一种母板及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种母板及其制作方法，涉及显示技术领域，该母板能够改善因切割区域与基板单元区域的段差引起的光刻胶剧烈起伏，进而影响后续曝光和显影的问题。一种母板，包括：基板单元区域和切割区域，该母板还包括：缓冲部，所述缓冲部位于所述母板的切割区域，用于减小所述基板单元区域和所述切割区域的段差。本发明专利技术适用于母板的制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及。
技术介绍
液晶显示装置已经广泛应用于显示
液晶显示装置一般包括对盒的阵列基板和彩膜基板。在实际生产工艺中，先分别生产阵列基板和彩膜基板，接着将阵列基板和彩膜基板对盒以形成显示面板。为了提高生产效率，阵列基板和彩膜基板并不是单个形成，而是先形成母板，即在衬底上形成多个阵列基板单元或者多个彩膜基板单元，再将形成有多个阵列基板单元的母板和形成有多个彩膜基板单元的母板对盒，以形成包括多个显示面板单元的母板，然后切割该母板以得到多个显示面板。考虑到目前多采用高分辨率的显示装置，为了降低功耗和平坦化衬底表面，在形成包括多个阵列基板单元的母板时，在母板的衬底上会首先形成缓冲层，一般多采用有机树脂形成缓冲层，然后再通过构图工艺形成其他膜层。采用构图工艺形成其他膜层包括:涂覆待刻蚀的薄膜，接着在该薄膜上设置光刻胶，然后对光刻胶进行曝光、显影，再将未覆盖光刻胶的薄膜刻蚀掉，最后剥离剩余的光刻胶以形成薄膜图案。上述在该薄膜上设置光刻胶的过程中，为了提高生产工艺的效率，会在母板的衬底上整层涂覆光刻胶；同时在涂覆光刻胶后会采用甩胶工艺即将该母板进行高速旋转，从而使光刻胶分布均匀。考虑到后续工艺的限制，上述在母板的衬底上形成有机树脂层后，会将位于切割区域的有机树脂层移除，这样，母板的切割区域与阵列基板单元区域会出现段差。那么，在母板的衬底上整层涂覆光刻胶并进行甩胶时，参考图1所示，由于母板的切割区域I与阵列基板单元区域2存在段差H，光刻胶3会剧烈起伏，造成光刻胶流动的异常，从而影响光刻胶的涂覆，进而在后续曝光、显影中影响关键尺寸的形成。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供，该母板能够改善因切割区域与基板单元区域的段差引起的光刻胶剧烈起伏，进而影响后续曝光和显影的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:—方面，本专利技术的实施例提供了一种母板，包括:基板单元区域和切割区域，其特征在于，还包括:缓冲部，所述缓冲部位于所述母板的切割区域，用于减小所述基板单元区域和所述切割区域的段差。可选的，所述母板还包括:衬底以及设置在所述衬底之上的缓冲层，所述缓冲层位于所述母板的基板单元区域，所述缓冲部设置在所述衬底之上。可选的，所述缓冲层和所述缓冲部均与所述衬底接触。可选的，所述缓冲部的最大厚度小于所述平坦层缓冲层的厚度。可选的，所述缓冲部的最大厚度为hl，所述缓冲层的厚度为h2 ;hl和h2满足:0.6 彡 hl/h2 彡 0.9o可选的，所述切割区域包括多个横向子切割区域和多个纵向子切割区域，所述横向子切割区域和所述纵向子切割区域交叉的部分形成重叠区域，所述缓冲部设置在所述重叠区域。可选的，在各所述重叠区域中，所述缓冲部包括多个阵列排布的缓冲单元。可选的，多个所述缓冲单元的形状均相同，且所述缓冲单元沿垂直于所述衬底的方向的截面为梯形。可选的，所述缓冲部覆盖所述重叠区域。可选的，所述缓冲部厚度均一。可选的，所述缓冲部与所述缓冲层的材料相同且均为有机树脂。可选的，所述缓冲部的最大厚度等于所述平坦层缓冲层的厚度，且所述缓冲部设置于所述平坦层缓冲层的侧面，所述缓冲部的纵截面为直角三角形。可选的，所述缓冲部包括斜面和底面，其中，所述斜面远离所述缓冲层的侧面，且所述斜面与所述底面之间的夹角α满足:20° ^ a ^ 60°。可选的，所述切割区域包括多个横向子切割区域和多个纵向子切割区域，所述横向子切割区域和所述纵向子切割区域交叉的部分形成重叠区域，所述缓冲部设置在所述重叠区域。另一方面，本专利技术的实施例提供了一种母板的制作方法，该方法包括:在待刻蚀的薄膜上设置光刻胶，并采用包括多个阵列排布的子掩膜区域的掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影，以形成掩膜图案其中，所述掩膜板的分辨率低于曝光机的分辨率；刻蚀掉所述薄膜中未被所述掩膜图案覆盖的部分，以形成缓冲部图案。可选的，所述子掩膜区域的形状为矩形或圆形。本专利技术的实施例提供了，该母板包括:基板单元区域和切割区域，该母板还包括:缓冲部，该缓冲部位于母板的切割区域，用于减小基板单元区域和切割区域的段差。这样，在后续涂覆光刻胶时，可以减轻光刻胶的起伏程度，进而改善因切割区域与基板单元区域的段差引起的光刻胶剧烈起伏，从而影响后续曝光和显影的问题。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中提供的一种母板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种母板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种母板的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种母板的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一种母板的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种母板的俯视图；图7为本专利技术实施例提供的另一种母板的俯视图；图8为本专利技术实施例提供的另一种母板的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的另一种母板的俯视图；图10为本专利技术实施例提供的一种掩膜板的示意图。附图标记:1-切割区域；101-横向子切割区域；102_纵向子切割区域；103_重叠区域；2_阵列基板单元区域；3_光刻胶；4_基板单元区域；10_衬底；11-缓冲层；110-缓冲层的侧面；12-缓冲部；121_缓冲部的斜面；122_缓冲部的底面；120_缓冲单元；13_锯齿状的掩膜板。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。实施例一本专利技术的实施例提供了一种母板，参考图2所示，该母板包括:基板单元区域4和切割区域1，该母板还包括:缓冲部12，缓冲部12位于母板的切割区域1，用于减小基板单元区域4和切割区域I的段差。上述母板中，本专利技术实施例对于缓冲部的具体结构不作限定，只要满足能够减小基板单元区域和切割区域的段差即可。示例的，缓冲部可以是如图2所示包括多个阵列排布的缓冲单元，还可以是如图3所示在切割区域平铺一层，还可以是如图4所示设置在缓冲层的侧面，从而形成斜坡，当然还可以是其他结构，这里不作限定。上述母板中，基板单元区域和切割区域的段差是指:基板单元区域上设置的膜层和切割区域上设置的膜层存在高度差。示例的，参考图2所示，基板单元区域4和切割区域I的段差是指:基板单元区域4上设置的缓冲层11和切割区域I上设置的缓冲部12之间存在高度差Hl。本专利技术的实施例提供了一种母板，包括:基板单元区域和切割区域，该母板还包括:缓冲部，该缓冲部位于母板的切割区域，用于减小基板单元区域和切割区域的段差。这样在后续涂覆光刻胶时，可以减轻光刻胶的起伏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种母板，包括：基板单元区域和切割区域，其特征在于，还包括：缓冲部，所述缓冲部位于所述母板的切割区域，用于减小所述基板单元区域和所述切割区域的段差。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11