混合式组合封装保护元件制造技术

一种混合式组合封装保护元件，其主要特征在于：该混合式组合封装保护元件，是由一具有相关电阻元件网络基板，组合具有电容值的过电压保护元件构成的混合式组合封装保护元件。优点是：电阻、电容值误差小并具有相当组合弹性；生产合格率高；除了静电暂态电压的保护，更具备突波暂态电压的保护功能；开发高组合度保护元件相当简单，设备投资低廉，可轻易地低成本、高合格率量产高组合度保护元件。（*该技术在2011年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种封装保护元件，特别是一种混合式组合封装保护元件。因应电子系统轻、薄、短、小的发展趋势，同时，静电、突波等暂态电压对于系统电路有源元件，如IC等会造成影响或破坏的情形，人们与业者已了解日益深入，故电子系统中对不会因静电、突波等暂态电压造成系统电路有源元件的影响的高组合度封装保护元件的需求也就越为殷切。于相关开发或生产技术中，以半导体薄膜技术来达成对此需求的对策，可以说是相当适当的一种方法，其是藉由暂态电压抑制元件、电容性元件与电阻元件的相关制作技术的组合，使元件开发业者可以制作出适合于系统业者需求的高组合度保护元件。但是，从实际层面来看，以半导体薄膜技术制作高组合度的保护元件；例如暂态电压抑制元件等的技术层次，乃比一般二极管元件为高，其制作成本亦相对提高；电容性元件与电阻元件，则因元件工序缺乏调整性，致使元件的规格值误差会受到限制。综合上述结果是以半导体薄膜技术制作的组合保护元件的特性会比较差，同时因为相关投入业者仅限于半导体薄膜技术，在其制作成本较高的情况下，当然对于下游系统业者而言，就有元件成本提高的痛苦。以半导体薄膜技术制作高组合度保护元件是目前运用最广的高组合度保护元件，但是应用半导体薄膜技术制作高组合度保护元件，虽可符合高组合度方面的需求，却也有其本质上的问题，兹将相关问题分述如下1、由于以半导体薄膜技术制作高组合度保护元件是以硅单晶片为基板材料，同时因为制造设备与相关工序的投资与成本较高，为了增加单位面积内的元件数量，或是提高相同设备的设备产能，往往导致在此种状况下所制造出来的以半导体元件构成高组合度的暂态电压抑制元件，仅能提供静电放电能量吸收的保护之用，对于较高能量，属于突波的暂态电压，则无法提供相对的过电压保护功能，这对于暂态电压的保护需求有所欠缺。2、以半导体薄膜技术制作的高组合度保护元件中的电容元件与电阻元件，因为元件制造工序缺乏调整性，致使元件的规格值误差会受到限制。常见的该种以半导体薄膜技术所制作的高组合度电容元件与电阻元件，其误差规格为电阻阻值误差±10％以及电容容值误差±20％，这对于习惯使用误差规格为电阻±5％以及电容±10％的系统业者而言，构成了设计上相当的困扰。3、以半导体薄膜技术制作高组合度保护元件有另一个相当不利的因素，就是，元件的生产合格率偏低。此外，由于组合元件的一体制作，电阻阻值与电容容值的配对固定，弹性相当低，对不同电阻阻值与电容容值配对的需求，必需经过设计与工序上的调整，其开发相当费时。4、由于半导体薄膜技术制作高组合度保护元件所需的设备投资相当高昂，同时相关生产技术的层次也较高，都构成了其它元件制造业者投入的重要考虑因素，在投入生产业者为极少的状况下，此一类型元件的供应自然受限，元件售价居高不下，系统业者的使用成本自然也居高不下。有鉴于以上所述的半导体薄膜技术高组合度保护元件的缺点，本技术的主要目的在于提供一种混合式组合封装保护元件，依本技术的混合式组合封装保护元件，其可以用标准厚膜混合集成电路的相关设备、制造工序，配合组合具有电容值的过电压保护元件结构方式，使高组合度保护元件的制造不用再仅利用半导体薄膜技术，可充分应用已经可以批量生产的标准工序而不需要特殊工序，不仅设备投资低、批量生产容易，同时因相关工序的作业调整性佳，在降低成本的同时，也可得到更佳的特性展现。本技术的另一主要目的是提供一种混合式组合封装保护元件，该混合式组合封装保护元件的电阻阻值误差规格可以轻易达到±5％以内的常见规格，有特殊需求时，±1％的规格也不是问题。本技术又一目的在于提供一种混合式组合封装保护元件，该混合式组合封装保护元件的过电压保护元件的电容容值误差规格可以轻易达到±10％以内的常见规格，有特殊需求时，±5％的误差规格也不是问题。本技术的再一目在于提供一种混合式组合封装保护元件，该高组合度保护元件生产合格率，几乎可以达到100％，同时两者的电阻值与电容值具有相当组合弹性，对新组合规格的工序调整相当容易。本技术的更一目的在于提供一种混合式组合封装保护元件，该混合式组合封装保护元件，既具有静电暂态电压的保护，又具备了突波暂态电压的保护功能。本技术的他一目的在于提供一种混合式组合封装保护元件，该混合式组合封装保护元件的制造设备投资低廉，可轻易地低成本、批量生产合格率高。本技术的上述目的是由如下技术方案来实现的。一种混合式组合封装保护元件，其主要特征在于是由一印制有相关电阻元件网络基板的陶瓷承载基板，组合具有电容值的过电压保护元件而构成。除上述必要技术特征外，在具体实施过程中，还可补充如下
技术实现思路
具有电容值的过电压保护元件为变阻器过电压保护元件。电阻元件网络基板上所有电阻均依据电阻阻值误差规格要求，以激光阻值修整工序调整。具有电容值的过电压保护元件为单一元件单一颗粒的形态。具有电容值的过电压保护元件为集合排。本技术的优点在于1、本技术的混合式组合封装保护元件，具有相关电阻元件网络基板可藉由厚膜标准的激光阻值修整技术，将电阻阻值误差规格控制在相当精密的规格内。2、本技术的混合式组合封装保护元件，利用具有电容值的过电压保护元件组装于具有相关电阻元件网络基板的方式，过电压保护元件可以于组装前经过适当的测试筛选或验证，将电容容值误差规格控制在相当精密的规格内。3、藉由组装前的电阻元件网络基板与过电压保护元件分别验证动作，完成后的高组合度保护元件生产合格率，几乎可以达到100％，同时两者的电阻阻值与电容容值具有相当组合弹性，对新组合规格开发相当容易。4、使用具有突波暂态电压保护功能的过电压保护元件，完成后的高组合度保护元件除了静电暂态电压的保护，更具备突波暂态电压的保护功能。5、开发高组合保护元件相当简单，设备投资因为标准工序的共用性而相当低廉，可轻易地低成本、高合格率量产高组合度保护元件。以下结合附图及实施例对本技术作进一步说明附图说明附图说明图1是高组合度保护元件电路之一图；图2A与图2B是常见高组合度保护元件集成电路封装方式的平面与侧面示意图；图3A与图3B是本技术的电阻元件网络基板的实施例示意图；图4是本技术的具有电容值的过电压保护元件组装示意图；图5A至图5C是本技术的组装示意图；图6A至图6C是本技术的封装方式示意图一；图7A至图7C是本技术的封装方式示意图二。如图1为高组合度保护元件的电路一实施例图，图2是常见高组合度保护元件的集成电路封装方式的示意图，其实施上的缺点已如上所述，此处不再重复叙述。本技术的混合式组合封装保护元件，是先于陶瓷承载基板之上，印刷制作出本技术结构的电阻元件网络基板100，于基板上的所有电阻均根据电阻阻值误差规格要求，以激光阻值修整工序调整至误差规格要求范围之内；电阻元件网络基板可以为如图3A及图3B所示，形成一具有所有电阻元件A1、A2、…等的组合，以及形成可供组装多个单元集合成的具有电容值的过电压保护元件集合排110组装的基板双面结构。再如图4所示，于具有相关电阻元件网络基板100之上，组装具有电容值的过电压保护元件110，如此乃完成本技术混合式组合封装保护元件，其情形如图5所示。完成本技术混合式组合封装保护元件之后，可依据所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合式组合封装保护元件，其主要特征在于：是由一印制有相关电阻元件网络基板的陶瓷承载基板，组合具有电容值的过电压保护元件而构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世宽，徐康能，
申请(专利权)人：佳邦科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]