【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工
,具体地,涉及一种上盖控制装置及半导体加工设备。
技术介绍
半导体加工设备广泛地应用在刻蚀、沉积等的工艺。其反应腔室主要包括腔体和用于开启或关闭该腔体的上盖。其中,在制作半导体发光二极管的镀膜工艺(刻蚀后道工艺)时,每次对被加工工件进行工艺之前,需要开启上盖将被加工工件放入至腔体内;然后,关闭上盖进行工艺;在完成工艺之后又需要再次开启上盖将被加工工件取出。因此,在整个工艺的过程中,需要频繁的进行开关上盖的操作。此外,在对腔体的内部空间进行维护时,也需要开启上盖,以对腔体内部的零部件进行清洗或更换。在实际应用中,上盖的开启和关闭一般由上盖控制装置驱动。例如,如图1所示,为现有的上盖控制装置的结构示意图。上盖I通过固定转轴与腔体可旋转地连接;上盖控制装置包括两个气缸2以及控制气缸2运动的气路控制单元,其中,每个气缸2的活塞杆通过铰链与上盖I连接。在进行工艺的过程中,两个气缸2的活塞杆同步运动,并通过铰链驱动上盖I绕固定转轴转动,从而实现上盖I的开启和关闭。图2为图1所示上盖控制装置的气路控制单元的气路图。如图2所示,气路控制单 ...
【技术保护点】
一种上盖控制装置,用于控制反应腔室的上盖开启或者关闭,其包括气缸和气路控制单元,所述气缸用于在所述气路控制单元的控制下驱动所述上盖开启或关闭;其特征在于,所述气路控制单元包括检测单元、流量调节单元和控制单元;其中所述检测单元用于在所述上盖开启和关闭的过程中,检测所述上盖的张开角度是否到达预设角度,若是,则向所述控制单元发送检测信号;所述控制单元用于根据所述检测信号向所述流量调节单元发送控制信号;所述流量调节单元用于根据所述控制信号在所述上盖的开启或关闭过程中对通入所述气缸的流量进行调节,以改变所述上盖开启或关闭的速度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:田成微,
申请(专利权)人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。