上盖控制装置及半导体加工设备制造方法及图纸

技术编号:12394465 阅读:85 留言:0更新日期:2015-11-26 01:41
本发明专利技术涉及一种上盖控制装置及半导体加工设备,其包括气缸和气路控制单元,气缸用于在气路控制单元的控制下驱动上盖开启或关闭;气路控制单元包括检测单元、流量调节单元和控制单元;检测单元用于在上盖开启和关闭的过程中,检测上盖是否到达预设的张开角度,若是,则向控制单元发送检测信号;控制单元用于根据检测信号向流量调节单元发送控制信号;流量调节单元用于根据控制信号在上盖的开启或关闭过程中对通入气缸的流量进行调节,以改变上盖开启或关闭的速度。上盖控制装置可以使上盖在其开启或关闭过程中进行变速;从而可以使上盖在其开启的初段和末段,以及关闭的初段和末段,以较慢的速度转动;在上盖开启和关闭的中段,以较快的速度转动。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工
,具体地,涉及一种上盖控制装置及半导体加工设备
技术介绍
半导体加工设备广泛地应用在刻蚀、沉积等的工艺。其反应腔室主要包括腔体和用于开启或关闭该腔体的上盖。其中,在制作半导体发光二极管的镀膜工艺(刻蚀后道工艺)时,每次对被加工工件进行工艺之前,需要开启上盖将被加工工件放入至腔体内;然后,关闭上盖进行工艺;在完成工艺之后又需要再次开启上盖将被加工工件取出。因此,在整个工艺的过程中,需要频繁的进行开关上盖的操作。此外,在对腔体的内部空间进行维护时,也需要开启上盖,以对腔体内部的零部件进行清洗或更换。在实际应用中,上盖的开启和关闭一般由上盖控制装置驱动。例如,如图1所示,为现有的上盖控制装置的结构示意图。上盖I通过固定转轴与腔体可旋转地连接;上盖控制装置包括两个气缸2以及控制气缸2运动的气路控制单元,其中,每个气缸2的活塞杆通过铰链与上盖I连接。在进行工艺的过程中,两个气缸2的活塞杆同步运动,并通过铰链驱动上盖I绕固定转轴转动,从而实现上盖I的开启和关闭。图2为图1所示上盖控制装置的气路控制单元的气路图。如图2所示,气路控制单元包括过滤减压阀PRl、电磁阀SOVl、电磁阀S0V2、节流阀FRl、节流阀FR2、节流阀FR3和节流阀FR4。此外,气缸2上还设有第一传感器3、第二传感器4和自锁阀,第一传感器3和第二传感器4分别设置在对应于上盖I处于闭合状态以及上盖I处于最大开启角度状态时,气缸2的活塞所在的位置;自锁阀用于将气缸2的活塞锁止。在开启上盖I时,首先给电磁阀SOVl通电,使气体经过滤减压阀PRl和电磁阀SOVl进入到气缸2的自锁阀中,推动气缸2的自锁阀运动,使气缸2的活塞由锁定状态变为可运动状态;而后,给电磁阀S0V2的左侧线圈通电,使其左侧管路接通,在此情况下,气体依次经过滤减压阀PRl和电磁阀S0V2,并分别经过节流阀FRl和FR3同时进入相互并联的两个气缸2中,从而驱使气缸2的活塞运动,并带动上盖I开启;当气缸2的活塞运动至第二传感器4所在位置处时,第二传感器4被触发,此时上盖I处于最大开启角度状态,在此情况下,将电磁阀SOVl和电磁阀S0V2复位,使气缸2的活塞由可运动状态变为锁止状态,以及使电磁阀S0V2的左侧管路断开,从而完成上盖I的开启过程。上盖I的关闭过程与上盖I的上述开启过程相类似,在此不再赘述。在实际应用中,上盖I的开启或关闭的速度是在控制上盖运动之前的调试阶段,通过预先采用手动的方式对上述上盖控制装置中的节流阀FRl和FR3的流量进行调节,而改变气体填充气缸2的速度,从而实现上盖I的开启或关闭速度的调节。然而,由于上述上盖控制装置仅能在调试阶段对上盖I的开启或关闭速度进行调节,而无法在正常工作阶段调节,因而上盖I在开启或关闭的过程中仅能保持单一速度。在此情况下,若将节流阀FRl和FR3的流量调节得较大,则上盖I的开启或关闭速度过快,这容易出现上盖I与反应腔室之间产生碰撞,以及上盖I在其运动至最大开启角度的位置时产生抖动的问题;反之,若将节流阀FRl和FR3的流量调节得较小,则上盖I的开启或关闭速度过慢,这会导致工作效率较低。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种上盖控制装置及半导体加工设备,其可以控制上盖在其开启或关闭过程中进行变速,从而使上盖在其开启过程的初段和末段,以及关闭过程的初段和末段,以较慢的转速转动,使上盖以及上盖与腔体之间的连接结构不发生抖动;而在上盖的开启或关闭过程的中段,以较快的速度转动,从而提闻上盖开启或关闭的速度,提闻工作效率。为实现本专利技术的目的而提供一种上盖控制装置,用于控制反应腔室的上盖开启或者关闭,其包括气缸和气路控制单元,所述气缸用于在所述气路控制单元的控制下驱动所述上盖开启或关闭;所述气路控制单元包括检测单元、流量调节单元和控制单元;其中所述检测单元用于在所述上盖开启和关闭的过程中,检测所述上盖的张开角度是否到达预设角度,若是,则向所述控制单元发送检测信号;所述控制单元用于根据所述检测信号向所述流量调节单元发送控制信号;所述流量调节单元用于根据所述控制信号在所述上盖的开启或关闭过程中对通入所述气缸的流量进行调节,以改变所述上盖开启或关闭的速度。其中,所述气路控制单元包括开盖气路和闭盖气路,其中所述开盖气路用于通过向所述气缸的第一腔通入气体,使所述气缸驱动所述上盖开启;所述闭盖气路用于通过向所述气缸的第二腔通入气体,使所述气缸驱动所述上盖关闭。其中,所述流量调节单元包括第一流量控制阀和第二流量控制阀;所述控制单元在所述上盖的开启过程中,根据所述检测信号向所述第一流量控制阀发送控制信号;所述第一流量控制阀设于所述开盖气路上,用于在所述上盖的开启过程中,根据所述控制信号对通入所述气缸的第一腔的气体的流量进行调节;所述控制单元在所述上盖的关闭过程中,根据所述检测信号向所述第二流量控制阀发送控制信号;所述第二流量控制阀设于所述闭盖气路上,用于在所述上盖的关闭过程中,根据所述控制信号对通入所述气缸的第二腔的气体的流量进行调节。其中,所述开盖气路包括相互并联的多个第一支路;所述流量调节单元包括第一通断阀和第一节流阀;所述第一节流阀的数量与所述第一支路的数量相对应,且所述第一节流阀一一对应地设置于所述第一支路上,或者,所述第一节流阀的数量少于所述第一支路的数量,且所述第一节流阀一一对应地设置于其中一部分第一支路上;每个第一节流阀用于调节其所在第一支路的流量;所述控制单元在所述上盖的开启过程中,根据所述检测信号向所述第一通断阀发送控制信号;所述第一通断阀根据所述控制信号,可选择地接通所有第一支路中的至少一个,以对通入所述气缸的第一腔的气体的流量进行调节。其中,所述闭盖气路包括相互并联的多个第二支路;所述流量调节单元包括第二通断阀和第二节流阀;所述第二节流阀的数量与所述第二支路的数量相对应,且所述第二节流阀一一对应地设置于所述第二支路上,或者,所述第二节流阀的数量少于所述第二支路的数量,且所述第二节流阀一一对应地设置于其中一部分第二支路上;每个第二节流阀用于调节其所在第二支路的流量;所述控制单元在所述上盖的关闭过程中,根据所述检测信号向所述第二通断阀发送控制信号;所述第二通断阀根据所述控制信号,可选择地接通所有第一支路中的至少一个,以对通入所述气缸的第二腔的气体的流量进行调节。其中,所述第一通断阀包括电磁阀。其中,所述第二通断阀包括电磁阀。其中,所述检测单元包括位置传感器,所述位置传感器对应地设置在所述上盖到达所述预设角度时,所述气缸的活塞所在的位置处;所述位置传感器在所述上盖到达所述预设角度时,向所述控制单元发送检测信号。其中,所述预设角度包括一个或者角度不同的多个;所述位置传感器的数量为一个或多个,且所述位置传感器和预设角度一一对应。作为另一个技术方案,本专利技术还提供一种半导体加工设备,包括反应腔室,所述反应腔室包括腔体、上盖和上盖控制装置,所述上盖控制装置采用本专利技术提供的上述上盖控制装置。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术提供的上盖控制装置,其检测单元在上盖的开启或关闭过程中检测上盖的张开角度是否到达预设角度,并在检测到上盖的张开角度到达预设角度时,向控制单元发送检测信号,控制单本文档来自技高网
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上盖控制装置及半导体加工设备

【技术保护点】
一种上盖控制装置,用于控制反应腔室的上盖开启或者关闭,其包括气缸和气路控制单元,所述气缸用于在所述气路控制单元的控制下驱动所述上盖开启或关闭;其特征在于,所述气路控制单元包括检测单元、流量调节单元和控制单元;其中所述检测单元用于在所述上盖开启和关闭的过程中,检测所述上盖的张开角度是否到达预设角度,若是,则向所述控制单元发送检测信号;所述控制单元用于根据所述检测信号向所述流量调节单元发送控制信号;所述流量调节单元用于根据所述控制信号在所述上盖的开启或关闭过程中对通入所述气缸的流量进行调节,以改变所述上盖开启或关闭的速度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:田成微
申请(专利权)人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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