IPS阵列基板及其制作方法、显示器件技术

本发明专利技术涉及触控显示技术领域，公开了一种IPS阵列基板及其制作方法、显示器件。所述IPS阵列基板的公共电极复用为触控电极，实现内嵌式触控，能够减薄触摸显示器件的厚度。并设置与触控电极一一对应电性连接的信号线，在一帧画面显示时间的触控时间段，通过对应的信号线检测触控电极的自电容是否发生变化，确定触摸位置。另外，由于信号线与触控电极一一对应，通过每条信号线获得的检测信号唯一对应一个触控电极，即使多个触控电极被同时触摸，也能够精确确定所述多个触摸位置，克服了现有技术中自容式触控检测会出现的鬼点现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触控显示
，特别是涉及一种IPS阵列基板及其制作方法、显示器件。
技术介绍
在触控屏技术中，相对于电阻式触控屏，电容式触控屏具有寿命长、透光率高、可以支持多点触控等优点。并且，电容式触控屏对噪声和对地寄生电容也有很好的抑制作用。因此，电容式触控屏已成为如今触控屏制造的热点之一。电容式触控屏包括自容式触控屏和互容式触控屏，由于自容式触控屏只需一层触控电极，通过检测触控电极的自动容是否发生变化，即可实现触摸检测，具有结构简单、便于实现等优点。近年来，显示器件的厚度越来越薄，内嵌式触控显示器件通过将触控屏的触控电极内嵌在显示屏内部，达到了减薄显示器件的厚度的目的，同时又大大降低了触控显示器件的制造成本，受到各大面板厂家的青睐。
技术实现思路
本专利技术提供一种IPS阵列基板及其制作方法、显示器件，用以实现内嵌式触控显示。为解决上述技术问题，本专利技术实施例中提供一种IPS阵列基板，包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，所述阵列基板的显示区域包括多个像素单元，每个像素单元包括狭缝公共电极和狭缝像素电极，所述阵列基板的一帧画面显示时间包括显示时间段和触控时间段，所述多个公共电极复用为多个触控电极，每个触控电极对应多个电性连接的公共电极，所述阵列基板还包括：多条信号线，所述信号线与触控电极一一对应电性连接，在一帧画面显示时间的显示时间段，通过对应的信号线向触控电极传递公共电压信号，在一帧画面显示时间的触控时间段，通过对应的信号线检测触控电极的自电容是否发生变化。如上所述的阵列基板，优选的是，所述阵列基板为薄膜晶体管阵列基板，所述阵列基板包括横纵交叉分布的栅线和数据线，用于限定所述多个像素单元所在的区域，每个像素单元还包括薄膜晶体管，所述公共电极和像素电极的狭缝与所述数据线大致平行；所述信号线与所述栅线和所述薄膜晶体管的栅电极为同层同材料设置，或，与所述数据线和所述薄膜晶体管的源电极、漏电极为同层同材料设置。如上所述的阵列基板，优选的是，所述信号线与触控电极之间设置有绝缘层，所述触控电极通过所述绝缘层中的过孔与对应的信号线电性连接。如上所述的阵列基板，优选的是，所述绝缘层包括栅绝缘层和钝化层；所述阵列基板具体包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的多条栅线、多条信号线和薄膜晶体管的栅电极，所述栅线、信号线和栅电极为同层同材料设置；覆盖所述栅线、信号线和栅电极的栅绝缘层；设置在所述栅绝缘层上的、薄膜晶体管的有源层图案；多条数据线和薄膜晶体管的源电极、漏电极，所述数据线与薄膜晶体管的源电极和漏电极为同层同材料设置，所述源电极和漏电极搭接在所述有源层的相对两侧；搭接在所述漏电极上的像素电极；覆盖所述薄膜晶体管和像素电极的钝化层；设置在所述钝化层上的多个公共电极，所述公共电极在所述衬底基板上的投影与对应的信号线在所述衬底基板上的投影具有交叠区域，所述公共电极通过贯穿所述栅绝缘层和钝化层的过孔与对应的信号线电性连接。如上所述的阵列基板，优选的是，所述触控电极搭接在对应的信号线上，电性接触。如上所述的阵列基板，优选的是，所述信号线位于显示区域的部分与所述栅线平行设置，或，所述信号线位于显示区域的部分与所述数据线平行设置。如上所述的阵列基板，优选的是，所述信号线从显示区域延伸至非显示区域；所述阵列基板为矩形结构，所述信号线从显示区域延伸至阵列基板的长边所在侧。本专利技术实施例中还提供一种如上所述的IPS阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，所述制作方法包括在阵列基板的显示区域形成多个像素单元的步骤，每个像素单元包括狭缝公共电极和狭缝像素电极，所述阵列基板的一帧画面显示时间包括显示时间段和触控时间段，所述多个公共电极复用为多个触控电极，每个触控电极对应多个电性连接的公共电极，所述制作方法还包括：形成多条信号线，所述信号线与触控电极一一对应电性连接，在一帧画面显示时间的显示时间段，通过对应的信号线向触控电极传递公共电压信号，在一帧画面显示时间的触控时间段，通过对应的信号线检测触控电极的自电容是否发生变化。如上所述的制作方法，优选的是，所述阵列基板为薄膜晶体管阵列基板，所述阵列基板包括横纵交叉分布的栅线和数据线，用于限定所述多个像素单元所在的区域，每个像素单元还包括薄膜晶体管，所述公共电极和像素电极的狭缝与所述数据线大致平行；形成多条信号线的步骤具体为：通过对同一栅金属层的构图工艺形成所述信号线、所述栅线和所述薄膜晶体管的栅电极，或，通过对同一源漏金属层的构图工艺形成所述信号线、所述数据线和所述薄膜晶体管的源电极、漏电极。如上所述的制作方法，优选的是，所述制作方法具体包括：形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，形成包括所述信号线的图案；在所述信号线上形成绝缘层，对所述绝缘层进行构图工艺，形成过孔；在所述绝缘层上形成透明导电层，对所述透明导电层进行构图工艺，形成多个公共电极，所述公共电极通过所述绝缘层中的过孔与对应的信号线电性连接。如上所述的制作方法，优选的是，所述绝缘层包括栅绝缘层和钝化层；所述制作方法具体包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，形成多条栅线、多条信号线和薄膜晶体管的栅电极；形成覆盖所述栅线、信号线和栅电极的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成薄膜晶体管的有源层图案；在所述有源层上形成源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图工艺，形成多条数据线和薄膜晶体管的源电极、漏电极；形成像素电极，所述像素电极搭接在所述漏电极上的像素电极；形成覆盖所述薄膜晶体管和像素电极的钝化层；对所述钝化层和栅绝缘层进行构图工艺，形成过孔，露出所述信号线；在所述钝化层上形成多个公共电极，所述公共电极在所述衬底基板上的投影与对应的信号线在所述衬底基板上的投影具有交叠区域，所述公共电极通过贯穿所述栅绝缘层和钝化层的过孔与对应的信号线电性连接。如上所述的制作方法，优选的是，所述制作方法具体包括：形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，形成包括所述信号线的图案；形成透明导电层，对所述透明导电层进行构图工艺，形成多个公共电极，所述触控电极搭接在对应的信号线上，电性接触。本专利技术实施例中还提供一种显示器件，采用如上所述的IPS阵列基板。本专利技术的上述技术方案的有益效果本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IPS阵列基板，包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，所述阵列基板的显示区域包括多个像素单元，每个像素单元包括狭缝公共电极和狭缝像素电极，其特征在于，所述阵列基板的一帧画面显示时间包括显示时间段和触控时间段，所述多个公共电极复用为多个触控电极，每个触控电极对应多个电性连接的公共电极，所述阵列基板还包括：多条信号线，所述信号线与触控电极一一对应电性连接，在一帧画面显示时间的显示时间段，通过对应的信号线向触控电极传递公共电压信号，在一帧画面显示时间的触控时间段，通过对应的信号线检测触控电极的自电容是否发生变化。

【技术特征摘要】
1.一种IPS阵列基板，包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，
所述阵列基板的显示区域包括多个像素单元，每个像素单元包括狭缝公共电极
和狭缝像素电极，其特征在于，所述阵列基板的一帧画面显示时间包括显示时
间段和触控时间段，所述多个公共电极复用为多个触控电极，每个触控电极对
应多个电性连接的公共电极，所述阵列基板还包括：
多条信号线，所述信号线与触控电极一一对应电性连接，在一帧画面显示
时间的显示时间段，通过对应的信号线向触控电极传递公共电压信号，在一帧
画面显示时间的触控时间段，通过对应的信号线检测触控电极的自电容是否发
生变化。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为薄膜
晶体管阵列基板，所述阵列基板包括横纵交叉分布的栅线和数据线，用于限定
所述多个像素单元所在的区域，每个像素单元还包括薄膜晶体管，所述公共电
极和像素电极的狭缝与所述数据线大致平行；
所述信号线与所述栅线和所述薄膜晶体管的栅电极为同层同材料设置，或，
与所述数据线和所述薄膜晶体管的源电极、漏电极为同层同材料设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线与触控电
极之间设置有绝缘层，所述触控电极通过所述绝缘层中的过孔与对应的信号线
电性连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括栅绝
缘层和钝化层；
所述阵列基板具体包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的多条栅线、多条信号线和薄膜晶体管的栅电极，
所述栅线、信号线和栅电极为同层同材料设置；
覆盖所述栅线、信号线和栅电极的栅绝缘层；
设置在所述栅绝缘层上的、薄膜晶体管的有源层图案；
多条数据线和薄膜晶体管的源电极、漏电极，所述数据线与薄膜晶体管的

\t源电极和漏电极为同层同材料设置，所述源电极和漏电极搭接在所述有源层的
相对两侧；
搭接在所述漏电极上的像素电极；
覆盖所述薄膜晶体管和像素电极的钝化层；
设置在所述钝化层上的多个公共电极，所述公共电极在所述衬底基板上的
投影与对应的信号线在所述衬底基板上的投影具有交叠区域，所述公共电极通
过贯穿所述栅绝缘层和钝化层的过孔与对应的信号线电性连接。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极搭接在
对应的信号线上，电性接触。
6.根据权利要求2-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线位
于显示区域的部分与所述栅线平行设置，或，所述信号线位于显示区域的部分
与所述数据线平行设置。
7.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线从
显示区域延伸至非显示区域；所述阵列基板为矩形结构，所述信号线从显示区
域延伸至阵列基板的长边所在侧。
8.一种权利要求1-7任一项所述的IPS阵列基板的制作方法，所述阵列基
板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，所述制作方法包括在阵列
基板的显示区域形成多个像素单...

【专利技术属性】
技术研发人员：许睿，董学，陈小川，王磊，卢鹏程，李昌峰，丁小梁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11