【技术实现步骤摘要】
本申请涉及荧光探针
,具体地说,是涉及一种检测汞离子的荧光探针及 其制备方法。
技术介绍
汞是广泛存在于环境中的有毒金属元素,汞富于流动性,且易在常温下蒸发,在自 然界中主要以无机汞、零价汞和有机汞3种形态存在。短时间(> 3~5小时)吸入高浓 度汞蒸气(> 1.0mg/m3)及口入一定量的无机汞可致急性汞中毒;服用或涂抹含汞偏方可 致亚急性汞中毒;接触汞蒸气常引起慢性汞中毒。汞中毒以慢性为多见,主要由长期吸入汞 蒸气和汞化合物粉尘所致。而食物链对于汞具有很强的富集作用,环境中的汞被动植物富 集,经生物转化作用转变成毒性更大的有机汞,使之成为对人类最有害、最危险的重金属元 素之一。 长时间暴露在高汞环境中,可以导致脑损伤和死亡。长期暴露在含汞离子的 环境中会导致中枢神经系统以及其它器官的永久性的伤害(Anal.Chem.,2011,83(24): 9702-9708)。如20世纪发生在日本的水俣病,就是有机汞富集造成中枢神经损伤导致的。 因此,环境中的痕量汞检测极为重要。 近年来,我国采取了多种方法来减少工业上汞的使用,但即使是环境 ...
【技术保护点】
一种检测汞离子的荧光探针,其特征在于,所述检测汞离子的荧光探针的结构式为:
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:彭小红,施汉昌,周小红,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:发明
国别省市:北京;11
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