【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，本专利技术属于半导体封装
技术介绍
晶圆级封装一般要对晶圆背部进行互联工艺，包括减薄，研磨，刻蚀及切割等工艺，很容易伤害晶圆的正面区域，因此在晶圆级封装之前，会先用一层玻璃之类的封盖键合在晶圆的正面，一是起到保护晶圆正面的作用，二是为后面的研磨和切割工艺提供负载作用。但是随着人们对芯片的功能要求越来越严格，对于很多高灵敏度的芯片来说，这层封盖多少会影响到正常的工作能力。例如当影像传感器像素超过500万以后，像素尺寸变小，这样就需要其光响应能力增强，此时在外面加一层玻璃封盖则会影响到芯片的保真能力。而对于某些MEMS传感器来说，在其外面加一层封盖会影响其敏感度，尤其是对于气体感应类的传感器来说，则完全不能有封盖遮挡。因此对于晶圆级封装来说，在封装的最后流程中使晶粒和封盖分离就成为必要程序。因为封盖是以打胶的方式跟晶圆临时键合在一起的，对该封盖进行分离，一般采用激光类对胶进行去键合作业，利用激光的高能量将胶的化学键打断，使其丧失粘合能力。但是激光能量很高，像图像传感器和MEMS这样具有高灵敏度感应区域的芯片，一旦其感应区域被激光扫到...
【技术保护点】
一种晶圆级封装的保护封盖的表面处理方法，其特征是该工艺包括以下步骤：a1、在保护封盖（1）的上表面做上呈间隔设置的光阻薄膜（2），相邻两片光阻薄膜（2）之间形成间隙；b1、在对应相邻两片光阻薄膜（2）之间的间隙内的保护封盖（1）的上表面做出支撑墙（3）；c1、在支撑墙（3）的墙顶涂键合胶，将晶圆（4）的下表面和支撑墙（3）的墙顶通过键合胶键合在一起；d1、在晶圆（4）的背面做完背部工艺，用激光对键合胶进行去粘性作业，然后将保护封盖（1）连同光阻薄膜（2）和支撑墙（3）一起取下。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冯光建，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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