基于错误校正而设定默认读取信号制造技术

本发明专利技术包含与基于错误校正而设定默认读取信号有关的设备及方法。若干种方法可包含以第一离散读取信号从存储器单元群组读取数据页及对以所述第一离散读取信号读取的所述数据页的至少一个码字进行错误校正。方法可包含以不同于所述第一离散读取信号的第二离散读取信号从所述存储器单元群组读取数据页及对以所述第二离散读取信号读取的所述数据页的至少一个码字进行错误校正。可至少部分地基于所述相应错误校正而将所述第一离散读取信号及所述第二离散读取信号中的一者设定为默认读取信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般来说涉及半导体存储器及方法，且更特定来说，涉及与基于错误校正而设定默认读取信号有关的设备及方法。
技术介绍
存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在包含易失性及非易失性存储器的许多不同类型的存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据(主机数据、错误数据等)，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)以及其它存储器。非易失性存储器可通过在未供电时留存所存储数据而提供永久数据，且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁阻式随机存取存储器(MRAM)以及其它存储器。存储器装置可组合在一起以形成例如固态驱动器(SSD)的存储器系统的存储卷。固态驱动器可包含非易失性存储器(例如，NAND快闪存储器及NOR快闪存储器)及/或可包含易失性存储器(例如，DRAM及SRAM)，以及各种其它类型的非易失性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其包括：以第一离散读取信号从存储器单元群组读取数据页；对以所述第一离散读取信号读取的所述数据页的至少一个码字进行错误校正；以不同于所述第一离散读取信号的第二离散读取信号从所述存储器单元群组读取数据页；对以所述第二离散读取信号读取的所述数据页的至少一个码字进行错误校正；至少部分地基于所述相应错误校正而将所述第一离散读取信号及所述第二离散读取信号中的一者设定为默认读取信号。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山帕斯·K·瑞特南，萨提希·K·亚那玛那玛达，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US