具有来自侧壁的特征的处理室制造技术

本发明专利技术涉及具有来自侧壁的特征的处理室，具体提供了一种处理室，该处理室包括具有顶部和侧壁的室壳体。该处理室还具有密封件，该密封件用于将所述室壳体的侧壁连接到位于所述处理室下方的下室的顶部。衬底保持器联结到所述室壳体的侧壁。此外，该处理室具有晶片升降环，通过延伸穿过所述侧壁的侧臂支撑的晶片升降环具有至少三个支柱，每个支柱具有至少一个指状物，指状物的顶部限定第一晶片传运平面。下室具有至少一个最低晶片支撑件，至少一个最低晶片支撑件限定第二晶片传运平面，其中，第一晶片传运平面和第二晶片传运平面之间的高度不大于传送臂的最大竖直行程，传送臂被配置为从第一晶片传运平面和第二晶片传运平面传送晶片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种处理室。更具体地说，本专利技术涉及设计满足与整体的系统效率相关的所需特点的处理室。
技术介绍
在处理室的设计中，高度约束会影响那些能够被整合到室中的特点的数量。特征将通常从衬底下方被送入以保持室内部的圆柱对称性。
技术实现思路
为了实现上述目的并根据本专利技术的目的，提供了一种处理室装置。该处理室包括具有顶部和侧壁的室壳体。该处理室还具有密封件，该密封件用于将所述室壳体的所述侧壁连接到位于所述处理室下方的下室的顶部。另外，该处理室具有联结到所述室壳体的侧壁的衬底保持器。此外，该处理室具有晶片升降环，该晶片升降环通过延伸穿过所述室壳体的侧壁的侧臂支撑。所述晶片升降环具有竖直竖立的至少三个支柱，每个支柱具有从所述支柱水平地延伸的至少一个指状物。所述晶片升降环在上部位置的指状物的顶部限定第一晶片传运平面。此外，提供了定位在所述处理室下方的下室。所述下室具有至少一个晶片支撑件，其中最低的至少一个晶片支撑件的顶部限定了第二晶片传运平面。此外，所述第一晶片传运平面和所述第二晶片传运平面之间的高度不大于传送臂的最大竖直行程，所述传送臂被配置为从所述第一晶片传运平面和所述第二晶片传运平面传送晶片。在本专利技术另一实施方式中，提供了一种处理室装置。该处理室包括具有顶部和侧壁的室壳体。该处理室还具有密封件，该密封件用于将所述室壳体的所述侧壁连接到位于该处理室下方的室的顶部。此外，该处理室具有联结到所述室壳体的侧壁的衬底保持器。在本专利技术的进一步的实施方式中，提供了一种处理室。该处理室包括具有顶部和侧壁的室壳体。该处理室还具有密封件，该密封件用于将所述室壳体的侧壁连接到位于该处理室下方的室的顶部。此外，该处理室具有衬底保持器，该衬底保持器联结到所述室壳体的侧壁。该衬底保持器经由具有盘旋部的挠性侧面安装件联结于侧壁。该处理室还具有晶片升降环，该晶片升降环由延伸穿过所述室壳体的侧壁的侧臂支撑。下面在本专利技术的详细描述中并结合下面的附图将对本专利技术的这些和其它特征进行更详细的描述。【附图说明】另外，在附图的附图中，本专利技术通过示例的方式而不是通过限制的方式示出，并且在这些附图中，相似的附图标记指代类似的要素，其中:图1是根据本专利技术的实施方式的处理室的总览图。图2根据本专利技术的实施方式示出了处理室的基座部分。图3根据本专利技术的实施方式示出了具有图2的基座部分以及具有室壳体的处理室的示意图。图4根据本专利技术的实施方式示出了侧面安装的衬底保持器挠性件的透视图。图5根据本专利技术的实施方式示出了侧面安装的衬底保持器挠性件的俯视图。图6根据本专利技术的实施方式示出了万向连接组件的透视图。图7根据本专利技术的实施方式示出了万向连接组件的剖视图。图8根据本专利技术的实施方式示出了晶片升降组件。图9根据本专利技术的实施方式示出了整合有其它侧面安装的组件的晶片环组件。图10根据本专利技术的实施方式示出了沿晶片环设置支柱的特写图，该支柱将由臂的抓紧器啮合。图11根据本专利技术的实施方式示出了三端口的排气系统。图12根据本专利技术的实施方式示出了处理室和传送臂的总览图。【具体实施方式】现在将参考如在附图中所示的本专利技术的几个优选实施方式来详细描述本专利技术。在以下描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本专利技术的透彻理解。然而，对于本领域技术人员而言，显而易见的是，本专利技术可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实施。在其它实例中，未详细描述公知的工艺步骤和/或结构以免不必要地使本专利技术变得难以理解。在处理室的设计中，能被整合到处理室内的特点的选择通常受高度约束的影响。因此，如果处理室不具有显著的高度，则可能没有足够的竖直空间来安装设施到晶片支撑件。作为将高度约束最小化的方式，本公开内容讨论在处理室的侧壁而不是在底板上提供设施和安装支撑件。在一个实施例中，为了节省更多的竖直空间，省去室底板。在该例中，邻接的室的顶板用作处理室的底板。由于在所描述的实施方式中省去了处理室底板，所以已经设计了用于在所讨论的实施方式中的衬底保持器和所有设施的所有安装特征，使得它们从处理室的侧壁安装。这涉及到用于将衬底保持器支撑在良好限定的位置的侧面安装的衬底保持器挠性件、用于衬底保持器的加热器的功率馈给器、和温度传感器以及晶片升降机构。以这种方式，本专利技术利用一种没有来自处理室的底板的任何安装或者支撑特征的室设计。事实上，处理室底板已完全地被省去。因此，用于衬底保持器和用于晶片升降件以及所有设施和传感器的所有安装特征被从侧向支撑/供应并联结在室侧壁。图1是根据本专利技术的实施方式所示的处理室100的总览图。如图1所示，室壳体104被放置在下室110的顶部，以形成处理室100。室壳体104和下室110包含晶片115，如图1所示。例如，在处理室100中，晶片115坐落在衬底保持器135上面。在下室110中，晶片115坐落在晶片支撑件116、117上。诸如最低晶片支撑件116和上部晶片支撑件117等晶片支撑件可包括晶片槽，如在图1的下室110所示的，或者可以包括槽或晶片支撑件的其它形式。可使用具有三个支柱142的晶片升降环140升降晶片115，每个支柱142具有指状物144。指状物144可以是悬臂状的。此外，室壳体104具有密封件108，使得下室110的顶部是处理室100的底板。以这种方式，处理室100是无底板的，因为其底板来自下室110的顶板。此外，图1示出了侧面功率馈给器155和栗端口 160。在这些例子中，处理室100可被用于多种应用，包括但不限于剥离、退火、除气处理、加热处理或等离子体处理。此外，下室110可以是传送室。然而，替代地，下室110可以是另一种形式的处理室。图1还示出了与真空传输模块(VTM 112)以及VTM接口 114相关的处理室100。晶片115可通过传输室被传递到真空传输模块VTM 112内。VTM 112将晶片115放置在六个室中的一个中。VTM接口 114使得VTM 112与室(诸如室100、110)相互配合。在一个更具体的实施例中，图2根据本专利技术的实施方式示出了处理室100的基座部分102。如图2所示，穿过侧壁106提供处理室100的特征。例如，衬底保持器135使用联结到处理室100的侧壁106的挠性件120定位。关联于处理室100的特征的进一步的细节在下文讨论。图3根据本专利技术的实施方式示出了具有图2的基座部分102以及具有室壳体104的处理室100的示意图。室壳体104形成处理室100的顶部。如图3所示，提供了具有特征的处理室100，这些特征设在处理室100的侧壁106内。特别是，处理室100具有侧壁106，其中处理室100是无底板的。不是底板，而是处理室100的侧壁106坐落在下室110的顶部，当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理室，其包括：具有顶部和侧壁的室壳体；密封件，其用于将所述室壳体的所述侧壁连接到位于所述处理室下方的下室的顶部；衬底保持器，其联结到所述室壳体的所述侧壁；由延伸穿过所述室壳体的所述侧壁的侧臂支撑的晶片升降环，其中，所述晶片升降环具有竖直竖立的至少三个支柱，每个支柱具有从所述支柱水平地延伸的至少一个指状物，并且其中所述晶片升降环在上部位置的所述指状物的顶部限定第一晶片传运平面；以及定位在所述处理室下方的下室，所述下室具有至少一个晶片支撑件，其中最低的所述至少一个晶片支撑件的顶部限定了第二晶片传运平面，其中，所述第一晶片传运平面和所述第二晶片传运平面之间的高度不大于传送臂的最大竖直行程，所述传送臂被配置为从所述第一晶片传运平面和所述第二晶片传运平面传送晶片。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：迪恩·J·拉森，杰森·奥古斯蒂诺，安德里亚斯·费舍尔，安德烈·W·迪斯派特，哈梅特·辛格，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US