本实用新型专利技术公开了双通道短波射频预处理系统，包括带通滤波器、射频衰减器以及高线性放大器，带通滤波器的信号输出端与射频衰减器的信号输入端连接，射频衰减器的信号输出端与高线性放大器的信号输入端连接，射频信号经带通滤波器滤波之后，进入射频衰减器完成衰减，再经高线性放大器进行信号放大后输出。本实用新型专利技术能够大幅度地减小常规预处理系统引入的非线性失真，有效提高射频预处理系统的线性度，实现对射频信号的低失真接收。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及射频信号处理领域，具体涉及双通道短波射频预处理系统。
技术介绍
对射频信号进行直接采样之前，需要对射频信号进行必要的滤波、放大以及电平控制等，以实现对射频信号的最佳接收。在短波频段，由于信号密集且信号间的电平差异很大，为实现对短波信号的有效接收，对短波信号的射频预处理系统提出了很高的要求。链路中各个单元的设计都需要非常小心，以免造成预处理链路性能的恶化。常规的射频预处理系统动态指标较差，无法满足对短波信号的低失真接收。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种双通道短波射频预处理系统，解决线性度不高，达不到设计要求的问题。本技术为实现上述目的，采用以下技术方案实现:双通道短波射频预处理系统，包括带通滤波器、射频衰减器以及高线性放大器，带通滤波器的信号输出端与射频衰减器的信号输入端连接，射频衰减器的信号输出端与高线性放大器的信号输入端连接，射频信号经带通滤波器滤波之后，进入射频衰减器完成衰减，再经高线性放大器进行信号放大后输出，射频衰减器和高线性放大器由电源进行供电。进一步地，作为优选方案，所述带通滤波器电感用磁芯为自制镍锌磁芯，磁芯的长*宽*高为3.5*2*2mm，孔径为1mm，磁导率为lk。进一步地，作为优选方案，所述射频衰减器包括输出变压器T9、输出变压器T10、第一射频数字衰减器Ul和第二射频数字衰减器U2，所述输出变压器T9的一路信号输入第一射频数字衰减器Ul，另一路信号输入第二射频数字衰减器U2 ;所述第一射频数字衰减器Ul的射频输入端RFl串接电容C12后连接到输出变压器T9的输出端，第一射频数字衰减器Ul的射频输出端RF2串接电容C14后连接到输出变压器TlO的输入端，所述第一射频数字衰减器Ul的两个VDD端连接有三个相互并联的电容，分别是电容C15、电容C18及电容C17 ;所述第一射频数字衰减器Ul的5个衰减控制端，分别为衰减控制端Cl、衰减控制端C2、衰减控制端C4、衰减控制端C8、衰减控制端C16 ;还包括电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电容Cll及电容C13，所述电阻Rll的一端与第一射频数字衰减器Ul的衰减控制端C16连接，另一端接地；所述电阻R12的一端与第一射频数字衰减器Ul的衰减控制端Cl连接，另一端接地；所述电阻R13的一端与第一射频数字衰减器Ul的衰减控制端C2连接，另一端接地；所述电阻R14的一端与第一射频数字衰减器Ul的衰减控制端C4连接，另一端接地；所述电阻R15的一端与第一射频数字衰减器Ul的衰减控制端C8连接，另一端接地；所述电容Cll的一端与第一射频数字衰减器Ul的衰减控制端C16连接，另一端接地；所述电容C13的一端与第一射频数字衰减器Ul的射频输出端RF2连接，另一端接地；还包括电感L，所述电感L的一端接第一射频数字衰减器Ul的VDD端，电感L的另一端接+3.3V ；所述第二射频数字衰减器U2的射频输入端RFl串接电容C22后连接到输出变压器T9的输出端，第二射频数字衰减器U2的射频输出端RF2串接电容C24后连接到输出变压器TlO的输入端，所述第二射频数字衰减器U2的两个VDD端连接有三个相互并联的电容，分别是电容C25、电容C26及电容C27 ;所述第二射频数字衰减器U2的5个衰减控制端，分别为衰减控制端Cl、衰减控制端C2、衰减控制端C4、衰减控制端C8、衰减控制端C16 ;还包括电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电容C21及电容C23，所述电阻R21的一端与第二射频数字衰减器U2的衰减控制端C16连接，另一端接地；所述电阻R22的一端与第二射频数字衰减器U2的衰减控制端Cl连接，另一端接地；所述电阻R23的一端与第二射频数字衰减器U2的衰减控制端C2连接，另一端接地；所述电阻R24的一端与第二射频数字衰减器U2的衰减控制端C4连接，另一端接地；所述电阻R25的一端与第二射频数字衰减器U2的衰减控制端C8连接，另一端接地；所述电容C21的一端与第二射频数字衰减器U2的衰减控制端C16连接，另一端接地；所述电容C23的一端与第二射频数字衰减器U2的射频输出端RF2连接，另一端接地。作为优选方案，所述第一射频数字衰减器Ul和第二射频数字衰减器U2的型号为PE4306。作为优选方案，所述第一射频数字衰减器Ul的并行/串行接口与VDD端之间连接有电阻R16，所述第二射频数字衰减器U2的并行/串行接口与VDD端之间连接有电阻R26。作为优选方案，所述高线性放大器包括高线性衰减器、第一耦合器、第二耦合器、第一功率合成器、第二功率合成器、第一移相器、第二移相器、主放大器以及误差放大器；所述第一親合器、主放大器、第一移相器、第二親合器、第一功率合成器组成第一环路，第一环路用于提取误差信号；所述第二耦合器、第一功率合成器、误差放大器、第二移相器、第二功率合成器组成第二环路，第二环路用于抵消误差信号；射频输入信号经高线性衰减器的衰减作用后，进入第一耦合器，将射频信号分为两路信号，分别是信号M和信号N，信号M输入第一移相器，并从第一移相器输出信号Ml，信号N输入主放大器，主放大器输出的信号经第二耦合器分成信号NI和信号N2，信号Ml与信号NI经第一功率合成器合成之后输入误差放大器，误差放大器输出信号LI，信号N2输入第二移相器，并从第二移相器输出信号L2，信号LI与信号L2经第二功率合成器合成后得到射频输出信号。所述第一移相器包括电容C42、电容C43、电容C44、电容C45、电容C46、电容C47、电容C48、电容C49、电容C50、电容C51、电感Al、电感A2、电感A3、电感A4和电感A5，电感Al、电感A2、电感A3、电感A4、电感A5依次串联组成支路Al，支路Al的一端连接第一耦合器的输出端，另一端连接第一功率合成器的输入端；电容C42和电容C51串联后组成支路A2，支路A2的一端连接第一耦合器的输出端，另一端连接第一功率合成器的输入端；所述电容C43和电容C44并联，且两个并联端分别连接在电感Al与电感A2之间、电容C42与电容C51之间；所述电容C45和电容C46并联，且两个并联端分别连接在电感A2与电感A3之间、电容C42与电容C51之间；所述电容C47和电容C48并联，且两个并联端分别连接在电感A3与电感A4之间、电容C42与电容C51之间；所述电容C49和电容C50并联，且两个并联端分别连接在电感M与电感A5之间、电容C42与电容C51之间。还包括电容C52，所述电容C52连接在第一移相器与第一功率合成器之间，信号Ml经电容C52输入第一功率合成器。所述第二移相器包括电容C53、电容C54、电容C55、电容C56、电容C57、电容C58、电容C59、电容C60、电容C61、电容C62、电感A6、电感A7、电感A8、电感A9和电感A10，电感A6、电感A7、电感A8、电感A9、电感AlO依次串联组成支路BI，支路BI的一端连接第二耦合器的输出端，另一端连接第二功率合成器的输入端；电容C53和电容C62串联后组成支路B2，支路B2的一端连接第二耦合器的输出端，另一端连接第二功率合成器的输入端；所述电容C54和电容C55并联，且两个并联端分别连接在电感本文档来自技高网...
【技术保护点】
双通道短波射频预处理系统，其特征在于：包括带通滤波器、射频衰减器以及高线性放大器，带通滤波器的信号输出端与射频衰减器的信号输入端连接，射频衰减器的信号输出端与高线性放大器的信号输入端连接，射频信号经带通滤波器滤波之后，进入射频衰减器完成衰减，再经高线性放大器进行信号放大后输出，射频衰减器和高线性放大器由电源进行供电。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郝温利，
申请(专利权)人：成都中亚通茂科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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