【技术实现步骤摘要】
本技术涉及GaN基LED外延生产领域，特别是一种提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘结构设计
技术介绍
第三代半导体材料GaN由于具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，已经广泛用于显示、光存储、激光打印、照明以及医疗和军事等领域。尤其在半导体照明领域，GaN基LED的大规模生产已经进入一个崭新阶段。GaN基LED的生产比较复杂，包括衬底材料、外延片、芯片、封装和应用等多个环节，其中，外延片的生产是整个LED产业链中的重要环节，外延片的生产对整个LED产业的发展具有重要作用。目前，GaN基LED外延片的大规模生产主要采用三种技术，近耦合SH0WERHEAD反应室技术、行星式反应室技术和高速旋转反应室技术，这三种技术占全球市场份额90%左右。在行星式反应室技术中，卫星盘的正面设有一个中心片槽和布置在中心片槽外围的若干边缘片槽，而卫星盘的底部中心位置有一个支撑小孔和固定栓，卫星盘通过支撑小孔和固定栓与大盘相连。由于固定栓与石墨之间热导率的差异，使得卫星盘表明温度分布不均匀，位于中心片槽内的中心片的受热温度与位于边缘片槽内的边缘片的受热温度不一致，导致在中心片槽制出的外延片的波长与在边缘片制出的外延片的波长存在较大差异，即造成外延生产中波长良率低下。
技术实现思路
针对以上设计方法的不足，本技术提供一种可有效提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘。本技术包括卫星盘体，在卫星盘体的背面中心开设固定栓支撑小孔，在卫星盘体的正面中心设置一个中心片槽，以所述中心片槽为对称中心，在卫星盘体的正面布置若干边缘片槽，本技术特点是:在所述中心片槽的底部开设内凹槽...
【技术保护点】
一种提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘，包括卫星盘体，在卫星盘体的背面中心开设固定栓支撑小孔，在卫星盘体的正面中心设置一个中心片槽，以所述中心片槽为对称中心，在卫星盘体的正面布置若干边缘片槽，其特征在于：在所述中心片槽的底部开设内凹槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙一军，李鸿渐，李盼盼，赵新印，王明洋，金豫浙，李志聪，王辉，王国宏，
申请(专利权)人：扬州中科半导体照明有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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