在193纳米辐射波长具有低折射率的顶部抗反射涂料组合物制造技术

已发现一种组合物，其特征是存在具有芳族残基、且对１９３纳米辐射波长的折射率值ｎ小于１．５的可溶于碱性水溶液的聚合物，其尤其可用作１９３纳米干式光刻法中的顶部抗反射涂层。已发现，具有烯式骨架并具有氟和磺酸残基的聚合物尤其有用。该组合物能够利用它们在碱性显影剂水溶液中的可溶性而在提供易用性的同时实现在１９３纳米的顶部反射控制。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在193纳米辐射波长具有低折射率 的顶部抗反射涂料组合物
技术介绍
在微电子工业中以及在涉及微观结构构造的其它工业(例如，微型机 械、磁阻磁头，等等)中，始终要求减小结构部件的尺寸。在微电子工业 中，需要减小微电子器件的尺寸和/或为给定的芯片尺寸提供更大量的电 路。有效的光刻技术对于减小部件尺寸是基本的。光刻技术不仅在直接于 所需基底上形成图像方面，还在制造在这种成像过程中常用的掩模方面， 都影响着孩O见结构的制造。典型的光刻法涉及通过使辐射敏感性抗蚀剂成 图案地暴露在成Y象辐射下而形成图案状的抗蚀层。然后通过4吏爆光的抗蚀 层与选择性去除部分抗蚀层的材料(通常是碱性显影剂水溶液)接触而使 图像显影，以显示出所需图案。然后通过蚀刻所述图案状抗蚀层的开孔中 的材料而使图案转移到下方材料上。在转移完成后，然后去除残留抗蚀层。对于许多光刻成像法，抗蚀剂图像的分辨率可能受到异常效应的限制， 异常效应与折射率失配和成像辐射的不合意反射相关。为了解决这些问题， 通常在抗蚀层与基底之间使用抗反射涂层(底部抗反射涂层或BARC )， 和/或在抗蚀层与传送成像辐射的物理路径中的环境气氛之间使用抗反射 涂层(本文档来自技高网...

【技术保护点】
适合用作１９３纳米光刻法所用的顶部抗反射涂层的组合物，所述组合物包含具有芳族残基、且对１９３纳米辐射波长的折射率值ｎ小于１．５的可溶于碱性水溶液的聚合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄武松，W希思，K帕特尔，P瓦拉纳斯，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]