导电过孔结构、阵列基板和显示装置的制作方法制造方法及图纸

一种导电过孔结构的制作方法、阵列基板的制作方法和显示装置的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：形成包括第一金属结构的第一金属层；在所述第一金属层上形成非金属层薄膜，使所述非金属层薄膜包括对应所述第一金属结构的第一部分；在所述非金属层薄膜上形成有机绝缘层薄膜，对所述有机绝缘层薄膜进行图案化处理以形成对应所述第一部分的第一有机绝缘层过孔；对经过所述图案化处理的所述有机绝缘层薄膜进行烘烤处理以形成有机绝缘层；以及在形成所述有机绝缘层之后，去除所述非金属层薄膜的所述第一部分，以形成非金属层并暴露出所述第一金属结构的部分表面。该方法可以在低成本的前提下尽量避免金属结构在形成有机绝缘层之后被严重氧化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的至少一个实施例涉及一种导电过孔结构的制作方法、阵列基板的制作方法和显示装置的制造方法。
技术介绍
在显示
，随着显示器件尺寸的增大以及刷新率的提高等显示性能要求的提高，对金属层中栅极线和数据线等结构的电阻的要求也随之提高。目前主流的铝配线由于电阻系数较高，已经不能满足显示性能的要求。而铜的电阻系数比铝的电阻系数低30%，因此，使用铜金属制作金属层中的栅极线和数据线等结构成为主流选择。在液晶显示器中，例如，在采用ADS (高级超维场转换)模式的液晶显示器中，设置在阵列基板上的公共电极与金属层(例如栅金属层或源漏金属层)中结构之间可产生寄生电容，这造成显示器的功耗过大。通过在公共电极和金属层之间形成一层比较厚的有机绝缘层(例如树脂层)可以降低电路电容，从而使功耗降低，这种方式目前已大量应用于产品当中。铜金属层与有机绝缘层的结合应用可同时减少电阻及电容，大幅降低阻抗，减少能耗，提升产品性能。
技术实现思路
本专利技术的至少一个实施例提供了一种导电过孔结构的制作方法、阵列基板的制作方法和显示装置的制造方法，以在尽量减小成本的前提下尽量避免因阵列基板上的金属结构在形成有机绝缘层之后被严重氧化而造成的该金属结构与其他部件之间接触不良。本专利技术的至少一个实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该方法包括:形成包括第一金属结构的第一金属层；在所述第一金属层上形成非金属层薄膜，使所述非金属层薄膜包括对应所述第一金属结构的第一部分；在所述非金属层薄膜上形成有机绝缘层薄膜，对所述有机绝缘层薄膜进行图案化处理以形成对应所述第一部分的第一有机绝缘层过孔；对经过所述图案化处理的所述有机绝缘层薄膜进行烘烤处理以形成有机绝缘层；以及在形成所述有机绝缘层之后，去除所述非金属层薄膜的所述第一部分，以形成非金属层并暴露出所述第一金属结构的部分表面。例如，所述第一金属结构的形成材料包括铜金属或铜合金。例如，所述有机绝缘层的材料包括树脂。例如，所述有机绝缘层为彩色滤光层。例如，所述第一金属层包括栅极、公共电极线和与所述栅极连接的栅线，所述第一金属结构包括所述公共电极线或所述栅线；或者所述第一金属层包括栅极和与所述栅极连接的栅线，所述第一金属结构包括所述栅线；或者所述第一金属层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线，所述第一金属结构包括所述源极和所述漏极中的一个或所述数据线。例如，形成所述非金属层包括:以所述有机绝缘层为掩膜板，对所述非金属层薄膜的所述第一部分进行刻蚀。例如，形成所述非金属层薄膜包括形成第一绝缘层薄膜，形成所述非金属层包括形成第一绝缘层和所述第一绝缘层中的第一过孔，所述第一过孔暴露出所述第一金属结构的所述部分表面。例如，所述制作方法还包括:形成第二绝缘层和所述第二绝缘层中的过孔，使在所述第一金属层上形成所述第二绝缘层和所述第二绝缘层中的所述过孔，所述第二绝缘层中的所述过孔对应所述第一金属结构的所述部分表面；在所述第二绝缘层上形成所述第一绝缘层薄膜，所述第一绝缘层薄膜覆盖所述第二绝缘层中的所述过孔；在所述第一绝缘层薄膜上形成所述有机绝缘层和所述第一有机绝缘层过孔，所述第一有机绝缘层过孔对应所述第二绝缘层中的所述过孔；在形成所述有机绝缘层之后，去除所述第一绝缘层薄膜的覆盖所述第二绝缘层中的所述过孔的部分以形成所述第一过孔和所述第一绝缘层。或者，例如，在所述第一绝缘层薄膜上形成第二绝缘层和所述第二绝缘层中的过孔，所述第二绝缘层中的所述过孔对应所述第一部分；在所述第二绝缘层上形成所述第一有机绝缘层过孔和所述有机绝缘层，所述第一有机绝缘层过孔对应所述第二绝缘层中的所述过孔。例如，形成所述第一绝缘层薄膜包括形成第一子绝缘层薄膜和位于所述第一子绝缘层薄膜上的第二子绝缘层薄膜；在形成所述有机绝缘层之后，去除所述第一子绝缘层薄膜的部分材料和所述第二子绝缘层薄膜的部分材料，以形成第一子绝缘层、第二子绝缘层、位于所述第一子绝缘层中的第一子过孔和位于所述第二子绝缘层中的第二子过孔，所述第一绝缘层包括所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层，所述第一过孔包括所述第一子过孔和所述第二子过孔。例如，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极和有源层；并且所述第一绝缘层包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层与所述栅极接触并且位于所述栅极和所述有源层之间；和/或，所述第一绝缘层包括钝化层，所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管。例如，所述非金属层薄膜还包括有源层图案，所述第一部分的材料包括形成所述有源层图案的材料。例如，所述制作方法还包括:在形成所述非金属层薄膜之前，形成第二金属层，所述第二金属层包括第二金属结构。在该制作方法中，所述非金属层薄膜还包括对应所述第二金属结构的第二部分；在形成所述有机绝缘层时还形成第二有机绝缘层过孔，所述第二有机绝缘层过孔对应所述第二部分；以及去除所述非金属层薄膜的所述第一部分时还去除所述第二部分，以形成所述非金属层并暴露出所述第一金属结构的所述部分表面以及所述第二金属结构的部分表面。例如，所述第二金属结构的形成材料包括铜金属或铜合金。例如，所述第一金属层包括栅极、公共电极线和与所述栅极连接的栅线，所述第一金属结构包括所述公共电极线或所述栅线，所述第二金属层包括源极、漏极和与所述源极连接的数据线，所述第二金属结构包括所述源极和所述漏极中的一个或所述数据线。或者，例如，所述第一金属层包括栅极和与所述栅极连接的栅线，所述第一金属结构包括所述栅线，所述第二金属层包括源极、漏极和与所述源极连接的数据线，所述第二金属结构包括所述源极和所述漏极中的一个或所述数据线。或者，例如，所述第一金属层包括源极、漏极和与所述源极连接的数据线，所述第一金属结构包括所述源极和所述漏极中的一个或所述数据线，所述第二金属层包括栅极、公共电极线和与所述栅极连接的栅线，所述第二金属结构包括所述公共电极线或所述栅线。或者，例如，所述第一金属层包括源极、漏极和与所述源极连接的数据线，所述第一金属结构包括所述源极和所述漏极中的一个或所述数据线，所述第二金属层包括栅极和与所述栅极连接的栅线，所述第二金属结构包括所述栅线。例如，所述制作方法还包括:形成公共电极，所述公共电极设置于所述有机绝缘层上，所述公共电极与所述公共电极线电连接。例如，所述制作方法还包括:在形成所述公共电极的同时或者在形成所述公共电极之前或之后，形成像素电极，使所述像素电极与所述漏极电连接。例如，所述有机绝缘层的厚度为10000埃至40000埃。本专利技术的至少一个实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，该方法包括:形成绝缘层薄膜；在所述绝缘层薄膜上形成有机绝缘层薄膜，对所述有机绝缘层薄膜进行图案化处理以形成多个有机绝缘层过孔，使所述多个有机绝缘层过孔在所述绝缘层薄膜所在面上的正投影与所述绝缘层薄膜有重叠部分；对经过所述图案化处理的所述有机绝缘层薄膜进行烘烤处理以形成有机绝缘层；以及以所述有机绝缘层为掩膜板，对所述绝缘层薄膜进行刻蚀，以形成绝缘层和所述绝缘层中的多个绝缘层过孔。本专利技术的至少一个实施例提供了一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括阵列基板，所述方法包括:采用上述任一项所述的制作方法制作所述阵列基板。本专利技术的至少一个实施例提供了一种导电过孔结构的制作方法，该方法包括:形成金属层，所述金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，包括：形成第一金属层，其中，所述第一金属层包括第一金属结构；在所述第一金属层上形成非金属层薄膜，其中，所述非金属层薄膜包括对应所述第一金属结构的第一部分；在所述非金属层薄膜上形成有机绝缘层薄膜，对所述有机绝缘层薄膜进行图案化处理以形成第一有机绝缘层过孔，其中，所述第一有机绝缘层过孔对应所述第一部分；对经过所述图案化处理的所述有机绝缘层薄膜进行烘烤处理以形成有机绝缘层；以及在形成所述有机绝缘层之后，去除所述非金属层薄膜的所述第一部分，以形成非金属层并暴露出所述第一金属结构的部分表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林致远，黄寅虎，邹志翔，操彬彬，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34