一种基于损耗抑制的高精度检波器系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于损耗抑制的高精度检波器系统，由采样电路，电压比较电路，以及与电压比较电路相连接的转换电路组成，其特征在于：在采样电路与电压比较电路之间还设置有损耗抑制电路，在转换电路和电压比较电路之间还连接有线性驱动电路；本发明专利技术设置有损耗抑制电路，该电路可稳定检波器系统的电压电流，降低其做功时的损耗；所述线性驱动系统，其可以避免信号失真。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种检波器，具体是指一种基于损耗抑制的高精度检波器系统。
技术介绍
检波器可以检出波动信号中某种有用信息，其是用于识别波、振荡信号存在或变化的器件，也可用于提取外界所携带的信息。目前检波器已被广泛应用，如可用于地质勘探和工程测量、用于量测设备运行时的噪音等，给人们带来了很大的便利。然而，目前市面上的检波器，其对信号的驱动为非线性的，做功时电路电流稳定性差，功率损耗过大，检测失真等缺陷。从而使检波器的检测结果不准确，影响人们的判断。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有检波器做功时电路电流稳定性差，功率损耗过大，检测失真等缺陷，提供一种基于损耗抑制的高精度检波器系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种基于损耗抑制的高精度检波器系统，由采样电路，电压比较电路，与电压比较电路相连接的转换电路，设置在采样电路与电压比较电路之间的损耗抑制电路，以及串接在转换电路和电压比较电路之间的线性驱动电路组成；所述的损耗抑制电路由抑制芯片U3，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极顺次经电阻R17、电阻R20后与三极管VT6的发射极相连接、负极经电阻R16后与采样电路相连接的极性电容C7，N极经电阻R22后与抑制芯片U3的SW管脚相连接、P极顺次经电阻R19、二极管D4、电阻R23、极性电容C9后与抑制芯片U3的SENSEl管脚相连接的二极管D3，正极经可熔电阻R18后与三极管VT5的基极相连接、负极经电阻R21后与三极管VT6的基极相连接的极性电容C8，正极与二极管D3的N极相连接、负极与抑制芯片U3的IN管脚相连接的极性电容C10，P极与抑制芯片U3的COMP管脚相连接、N极经可变电阻R26后与三极管VT7的基极相连接的二极管D5，负极经电阻R24后与抑制芯片U3的PWM管脚相连接、正极经电阻R25后与三极管VT7的发射极相连接的极性电容C11，P极经极性电容C12后与三极管VT7的集电极相连接、N极顺次经电阻R28、二极管D6后与抑制芯片U3的VDD管脚相连接的二极管D8，以及P极经电阻R27后与三极管VT7的集电极相连接、N极与电压比较电路相连接的二极管D7组成；所述三极管VT5的发射极与极性电容C7的正极相连接、其集电极则与二极管D3的P极相连接，三极管VT6的集电极接地；所述抑制芯片U3的SENSE2管脚与二极管D4与电阻R23的连接点相连接、其GND管脚接地、其PWM管脚还同时与二极管D8的N极和二极管D7的P极相连接。所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，正极与电压比较电路相连接、负极经电阻R9后与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C4，一端与三极管VTl的集电极相连接、另一端经电阻Rll后与三极管VT3的基极相连接的电阻R10，正极与三极管VTl的基极相连接、负极与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C6，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C5，一端与三极管VTl的发射极相连接、另一端与三极管VT2的基极相连接的电阻R13，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R12，N极与三极管VTl的集电极相连接、P极与三极管VT2的集电极相连接的二极管D1，正相端与三极管VTl的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K，一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R14后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R15，P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R14和电阻R15的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管VTl的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT2的集电极相连接，三极管VT2的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接，三极管VT3的集电极接地，二极管D2的N极与转换电路相连接。所述的米样电路由放大器P，一端与放大器P的正极相连接、另一端作为信号输入端的电阻R1，正极与放大器P的正极相连、负极接地的极性电容Cl，与极性电容Cl相并联的电阻R2，串接在放大器P的负极和输出端之间的电阻R4，以及一端与放大器P的负极相连、另一端接地的电阻R3组成；所述放大器P的输出端还经电阻R16后与极性电容C7的负极相连接。所述的电压比较电路由比较芯片U1，一端与比较芯片Ul的IN2管脚相连接、另一端同时与转换电路和比较芯片Ul的V+管脚相连接的电阻R6，一端与比较芯片Ul的IN2管脚相连接、另一端则与比较芯片Ul的OUT管脚相连的电阻R7，一端与二极管D7的N极相连接、另一端则与比较芯片Ul的INl管脚相连的电阻R5，以及负极与比较芯片Ul的V-管脚相连、正极同时与比较芯片Ul的GND管脚以及转换电路相连的极性电容C2组成；所述比较芯片Ul的V+管脚与外部电源相连，其OUT管脚与极性电容C4的正极相连接，GND管脚接地。所述的转换电路由转换芯片U2，极性电容C3，电阻R8组成；电阻R8的一端与二极管D2的N极相连接、另一端与转换芯片U2的IN管脚相连，极性电容C3则串接在转换芯片U2的CTRL管脚和SW管脚之间；所述转换芯片U2的SET管脚与比较芯片Ul的V+管脚相连接，其GND管脚与比较芯片Ul的GND管脚相连，其OUT管脚则作为信号输出端。为确保本专利技术的使用效果，所述的驱动芯片U为LM387集成芯片，抑制芯片U3为SD42560集成芯片，转换芯片U2为AL8807A集成芯片，而比较芯片Ul则为LM311集成芯片。本专利技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:(I)本专利技术设置有损耗抑制电路，该电路可稳定检波器系统的电压电流，降低其做功时的损耗。(2)本专利技术设置有线性驱动系统，其可以为检波器系统提供线性驱动，从而避免信号失真。(3)本专利技术设置有比较电路，能够对检测到的信号进行比较处理，同时可以清楚的识别检测信号的负峰值，避免检测信号存在负峰值时所输出的信号出现失真的情况。(4)本专利技术采用LM387芯片作为驱动芯片，其灵敏度高、价格便宜。【附图说明】图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的线性驱动电路的结构示意图。图3为本专利技术的损耗抑制电路的结构示意图。【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式并不限于此。实施例如图1所示，本专利技术由采样电路、电压比较电路、与电压比较电路相连接的转换电路、设置在采样电路与电压比较电路之间的损耗抑制电路，以及串接在转换电路和电压比较电路之间的线性驱动电路组成。所述的损耗抑制电路如图3所示，其由抑制芯片U3，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电阻R20，电阻R21，电阻R22，电阻R23，电阻R24，电阻R25，电阻R26，电阻R27电阻R28，二极管D3，二极管D4，二极管D5，二极管D6，二极管D7，二极管D8，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9，极性电容ClO，极性电容Cl I，以及极性电容C12组成。连接时，极性电容C7的正极顺次经电阻R17、电阻R20后与三极管VT6的发射极相连接、负极经电阻R16后与采样电路相连接。二极管D3的N极经电阻R22后与抑制芯片U本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于损耗抑制的高精度检波器系统，由采样电路，电压比较电路，与电压比较电路相连接的转换电路，以及串接在转换电路和电压比较电路之间的线性驱动电路组成，其特征在于：在采样电路与电压比较电路之间还设置有损耗抑制电路；所述的损耗抑制电路由抑制芯片U3，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极顺次经电阻R17、电阻R20后与三极管VT6的发射极相连接、负极经电阻R16后与采样电路相连接的极性电容C7，N极经电阻R22后与抑制芯片U3的SW管脚相连接、P极顺次经电阻R19、二极管D4、电阻R23、极性电容C9后与抑制芯片U3的SENSE1管脚相连接的二极管D3，正极经可熔电阻R18后与三极管VT5的基极相连接、负极经电阻R21后与三极管VT6的基极相连接的极性电容C8，正极与二极管D3的N极相连接、负极与抑制芯片U3的IN管脚相连接的极性电容C10，P极与抑制芯片U3的COMP管脚相连接、N极经可变电阻R26后与三极管VT7的基极相连接的二极管D5，负极经电阻R24后与抑制芯片U3的PWM管脚相连接、正极经电阻R25后与三极管VT7的发射极相连接的极性电容C11，P极经极性电容C12后与三极管VT7的集电极相连接、N极顺次经电阻R28、二极管D6后与抑制芯片U3的VDD管脚相连接的二极管D8，以及P极经电阻R27后与三极管VT7的集电极相连接、N极与电压比较电路相连接的二极管D7组成；所述三极管VT5的发射极与极性电容C7的正极相连接、其集电极则与二极管D3的P极相连接，三极管VT6的集电极接地；所述抑制芯片U3的SENSE2管脚与二极管D4与电阻R23的连接点相连接、其GND管脚接地、其PWM管脚还同时与二极管D8的N极和二极管D7的P极相连接；所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，正极与电压比较电路相连接、负极经电阻R9后与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C4，一端与三极管VT1的集电极相连接、另一端经电阻R11后与三极管VT3的基极相连接的电阻R10，正极与三极管VT1的基极相连接、负极与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C6，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C5，一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端与三极管VT2的基极相连接的电阻R13，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R12，N极与三极管VT1的集电极相连接、P极与三极管VT2的集电极相连接的二极管D1，正相端与三极管VT1的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K，一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R14后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R15，以及P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R14和电阻R15的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管VT1的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT2的集电极相连接，三极管VT2的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接，三极管VT3的集电极接地，二极管D2的N极与转换电路相连接。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：雷明方，
申请(专利权)人：成都颉盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51