【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种监测报警系统,具体是指一种大棚种植无花果用高精度温度监测报警系统。
技术介绍
无花果富含多种氨基酸、有机酸、镁、锰、铜及维生素等营养成分,深受人们的喜爱。随着大棚种植技术的发展,目前已出现了大棚种植无花果,采用大棚种植无花果,无花果产量提高,且果实更大点,果汁更多。由于无花果不耐寒,对温度要求较高,因此大棚种植时通常采用温度监测系统对大棚内的温度进行监测,当温度过低时则需及时对大棚供暖,以确保无花果正常生长。然而现有的温度监测系统由于温度传感器所输出的信号中掺杂很大的噪声信号,从而导致温度监测系统对温度测量的误差很大,无法有效的对大棚温度进行监测,从而导致种植户不能准确的对大棚内的温度进行调整,影响无花果的正常生长。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有的温度监测系统误差很大的缺陷,提供一种大棚种植无花果用高精度温度监测报警系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种大棚种植无花果用高精度温度监测报警系统,主要由温度传感器G,触发开关电路,与触发开关电路相连接的非线性补偿电路,与温度传感器G相连接的线性放大电路,放大器P1,P极与线性放大电路相连接、N极经电阻R3后与放大器P1的输出端相连接的二极管D1,正极与二极管D1的N极相连接、负极经电阻R2后与放大器P1的负极相连接的电容C1,N极与放大器P1的输出端相连接、P极经电阻R5后接地的稳压二极管D2,正极经电阻R1后与电容C1的负极相连接、负极与稳压二极管D2的P极相连接的电容C2,正极经电阻R4后与放大器P1的输出端相连接、负极与触发开关电路相连接的电容C3,以及与触发开关电 ...
【技术保护点】
一种大棚种植无花果用高精度温度监测报警系统,其特征在于,主要由温度传感器G,触发开关电路,与触发开关电路相连接的非线性补偿电路,与温度传感器G相连接的线性放大电路,放大器P1,P极与线性放大电路相连接、N极经电阻R3后与放大器P1的输出端相连接的二极管D1,正极与二极管D1的N极相连接、负极经电阻R2后与放大器P1的负极相连接的电容C1,N极与放大器P1的输出端相连接、P极经电阻R5后接地的稳压二极管D2,正极经电阻R1后与电容C1的负极相连接、负极与稳压二极管D2的P极相连接的电容C2,正极经电阻R4后与放大器P1的输出端相连接、负极与触发开关电路相连接的电容C3,以及与触发开关电路相连接的振荡电路组成;所述稳压二极管D2的P极与非线性补偿电路相连接;所述放大器P1的正极与二极管D1的N极相连接。
【技术特征摘要】
1.一种大棚种植无花果用高精度温度监测报警系统,其特征在于,主要由温度传感器G,触发开关电路,与触发开关电路相连接的非线性补偿电路,与温度传感器G相连接的线性放大电路,放大器P1,P极与线性放大电路相连接、N极经电阻R3后与放大器P1的输出端相连接的二极管D1,正极与二极管D1的N极相连接、负极经电阻R2后与放大器P1的负极相连接的电容C1,N极与放大器P1的输出端相连接、P极经电阻R5后接地的稳压二极管D2,正极经电阻R1后与电容C1的负极相连接、负极与稳压二极管D2的P极相连接的电容C2,正极经电阻R4后与放大器P1的输出端相连接、负极与触发开关电路相连接的电容C3,以及与触发开关电路相连接的振荡电路组成;所述稳压二极管D2的P极与非线性补偿电路相连接;所述放大器P1的正极与二极管D1的N极相连接。2.根据权利要求1所述的一种大棚种植无花果用高精度温度监测报警系统,其特征在于,所述非线性补偿电路由三极管VT4,三极管VT5,三极管VT6,放大器P4,一端与放大器P4的正极相连接、另一端与稳压二极管D2的P极相连接的电阻R23,串接在放大器P4的正极和三极管VT6的集电极之间的电阻R24,P极与放大器P4的输出端相连接、N极与三极管VT5的基极相连接的二极管D7,串接在三极管VT5的发射极和放大器P4的输出端之间的电阻R27,负极经电阻R25后与三极管VT5的集电极相连接、正极接地的电容C10,串接在三极管VT4的集电极和电容C10的正极之间的电阻R26,以及P极与三极管VT4的发射极相连接、N极与放大器P4的输出端相连接的二极管D8组成;所述放大器P4的负极接地、其输出端与三极管VT6的发射极相连接;所述三极管VT6的集电极与其基极相连接、其基极则与触发开关电路相连接;所述三极管VT4的基极与三极管VT6的集电极相连接。3.根据权利要求2所述的一种大棚种植无花果用高精度温度监测报警系统,其特征在于,所述线性放大电路由三极管VT2,三极管VT3,负极与三极管VT2的基极相连接、正极与温度传感器G相连接的电容C7,N极与三极管VT3的发射极相连接、P极经电阻R18后与三极管VT2的基极相连接的二极管D6,正极经电阻R17后与三极管VT2的基极相连接、负极接地的电容C8,一端与三极管VT2的发射极相连接、另一端接地的电阻R19,正极与三极管VT2的发射极相连接、负极经电阻R20后与三极管VT3的发射极相连接的电容C9,P极与三极管VT2...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨志良,孔利文,辜晓平,杨强,
申请(专利权)人:四川森迪科技发展股份有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。