一种用于浸没式光刻机的垂直回收和气密封装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于浸没式光刻机的垂直回收和气密封装置。在浸没单元基体上开有中心锥孔，底面开有垂直气液回收腔和注气腔，浸没单元基体开有水平注液口和、水平液体回收口、注气口和垂直气液回收口；浸没单元下端盖上开有中心通孔，浸没单元下端盖顶面开有垂直气液回收孔槽和气密封孔槽；垂直气液回收孔槽上开有垂直气液回收孔，气密封孔槽开有气密封孔，其个微孔均位于相邻道垂直回收孔中最紧邻的两个微孔中垂线上。本发明专利技术完成浸没式光刻系统中缝隙流场的密封功能，通过垂直回收的回收负压和气密封的气体流，约束浸没液体的流场边界，保证光刻机在高速运转过程中浸没液体不发生泄漏。

【技术实现步骤摘要】
一种用于浸没式光刻机的垂直回收和气密封装置
本专利技术涉及了一种流场密封装置，特别是涉及了一种用于浸没式光刻机的垂直回收和气密封装置。
技术介绍
光刻机是制造超大规模集成电路的核心装备之一，现代光刻机以光学光刻为主，它利用光学系统把掩膜版上的图形精确地投影并曝光在涂过光刻胶的硅片上。它包括一个激光光源、一个光学系统、一块由芯片图形组成的投影掩膜版、一个对准系统和一个涂有光敏光刻胶的硅片。浸没式光刻(ImmersionLithography)设备通过在最后一片投影物镜组与硅片之间填充某种高折射率的液体，相对于中间介质为气体的干式光刻机，提高了投影物镜的数值孔径(NA)，从而提高了光刻设备的分辨率和焦深。在已提出的下一代光刻机中，浸没式光刻对现有设备改动最小，对现在的干式光刻机具有良好的继承性。目前常采用的方案是局部浸没法，即将液体限制在硅片上方和最后一片投影物镜的下表面之间的局部区域内，并保持稳定连续的液体流动。在步进-扫描式光刻设备中，硅片在曝光过程中进行高速的扫描运动，这种运动会将曝光区域内的液体带离流场，从而引起泄漏，泄漏的液体会在光刻胶上形成水迹，严重影响曝光质量。随着光刻过程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于浸没式光刻机的垂直回收和气密封装置，在浸没式光刻机的投影物镜组(1)和硅片(7)之间设置有垂直回收和气密封装置(2)，所述垂直回收和气密封装置(2)包括浸没单元基体(2A)和浸没单元下端盖(2B)，其特征在于：1)浸没单元基体(2A)：在浸没单元基体(2A)上开有中心锥孔，中心锥孔向外的浸没单元基体(2A)底面依次开有同心圆环的垂直气液回收腔(5C)和注气腔(5D)，浸没单元基体(2A)四边中相对称的两侧面分别开有水平注液口(3A)和水平液体回收口(3B)，浸没单元基体(2A)四边中相对称的另外两侧面分别开有注气口(3D)，水平注液口(3A)和水平液体回收口(3B)两侧的浸没单元基体(...

【技术特征摘要】
1.一种用于浸没式光刻机的垂直回收和气密封装置，在浸没式光刻机的投影物镜组(1)和硅片(7)之间设置有垂直回收和气密封装置(2)，所述垂直回收和气密封装置(2)包括浸没单元基体(2A)和浸没单元下端盖(2B)，其特征在于：1)浸没单元基体(2A)：在浸没单元基体(2A)上开有中心锥孔，中心锥孔向外的浸没单元基体(2A)底面依次开有同心圆环的垂直气液回收腔(5C)和注气腔(5D)，浸没单元基体(2A)四边中相对称的两侧面分别开有水平注液口(3A)和水平液体回收口(3B)，浸没单元基体(2A)四边中相对称的另外两侧面分别开有注气口(3D)，水平注液口(3A)和水平液体回收口(3B)两侧的浸没单元基体(2A)上均开有垂直气液回收口(3C)；2)浸没单元下端盖(2B)：浸没单元下端盖(2B)上开有中心通孔，中心通孔向外的浸没单元下端盖(2B)顶面依次开有同心圆环的垂直气液回收孔槽和气密封孔槽，垂直气液回收孔槽和气密封孔槽分别与浸没单元基体(2A)的垂直气液回收腔(5C)和注气腔(5D)对应相通；垂直气液回收孔槽上开有多道沿圆周间隔均布的微孔作为垂直气液回收孔(6A)，气密封孔槽开有一道沿圆周间隔均布的微孔作为气密封孔(6B)，垂直气液回收孔(6A)的每个微孔均位于相邻道垂直气液回收孔(6A)中最紧邻的两个微孔中点连线的中垂线上，气密封孔(6B)的每个微孔均位于最外圈垂直气液回收孔(6A)中最紧邻的两个微孔中点连线的中垂线上。2.根据权利要求1所述的一种用于浸没式光刻机的垂直回收和气密封装置(2)，其特征在于：所述的浸没单元基体(2A)上注气口(3D)与注气腔(5D)之间通过注气流道(4D)...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅新，王培磊，徐宁，陈文昱，吴敏，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33