一种高产能吸盘的气道结构制造技术

本发明专利技术公开了一种高产能吸盘的气道结构，包括有吸盘体，吸盘体内设有位于下部的十字形的下层气道、位于中部的环形通道以及位于上部的若干相互独立的上层气道；吸盘体内设有联通于下层气道与环形通道之间的下层联通孔、联通于环形通道与相应上层气道之间的若干中层联通孔以及联通于吸盘表面与相应上层气道之间的吸气孔，吸盘表面上设有若干排与吸气孔一一对应的吸气槽；环形通道与相应的上层气道之间联通的部位分别设有气路开关；所述吸盘体底部设有与下层气道联通的抽气孔。本发明专利技术吸盘表面结构合理，布局美观。实现了多区域单独控制气路的闭合与开启，适用于对不同尺寸基片的吸附。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
:本专利技术涉及半导体光刻机领域，尤其涉及一种高产能吸盘的气道结构。
技术介绍
:真空吸盘是半导体光刻设备的重要组成部分，设备在工作过程中，通过抽真空使基片稳固贴合在吸盘表面，从而实现稳定的曝光。对不同尺寸的基片，如何合理巧妙的进行气道布局是吸盘气道设计的难题。
技术实现思路
:本专利技术的目的是提供一种高产能吸盘的气道结构，实现了多区域单独控制气路的闭合与开启，且吸盘表面结构合理，样式美观。本专利技术的技术方案如下:一种高产能吸盘的气道结构，其特征在于:包括有吸盘体，吸盘体内设有位于下部的十字形的下层气道、位于中部的环形通道以及位于上部的若干相互独立的上层气道；吸盘体内设有联通于下层气道与环形通道之间的下层联通孔、联通于环形通道与相应上层气道之间的若干中层联通孔以及联通于吸盘表面与相应上层气道之间的吸气孔，吸盘表面上设有若干排与吸气孔一一对应的吸气槽；环形通道与相应的上层气道之间联通的部位分别设有气路开关；所述吸盘体底部设有与下层气道联通的抽气孔。所述吸盘体中心设有与下层气道联通的上层中心气道，吸盘表面中心设有与上层中心气道联通的中心吸气槽。一种高产能吸盘的气道结构，其特征在于:所述吸盘体包括有密封贴合的上、下吸盘，所述上层气道位于上吸盘内，下层气道位于下吸盘内。一种高产能吸盘的气道结构，其特征在于:所述上、下吸盘的对合面上分别开有环形的凹槽，上、下吸盘对合后形成环形通道。一种高产能吸盘的气道结构，其特征在于:所述下层联通孔的下口部位位于下层气道的十字端头部位。每排吸气槽构成一个独立的吸附区域，所述的吸盘有9个独立的吸附区域，每个区域有独立的气路开关，可分别控制该区域真空的开启和关闭。也就是说，本专利技术可以单次生广9片基片，大大提升广能。所述的吸盘为分离式，分上下两块，中间通过研磨使两吸盘表面贴合不漏气。本专利技术中，上吸盘表面设有中心吸附区域以及环绕在中心区域周围的8个边部吸附区域，中心吸附区域保持常开状态，边部吸附区域分别配有对应的气路开关。边部吸附区域旁边的长腰孔为方便拿取基片设计，负压经过气路开关，进入上层气道，再经过吸气孔进入相应的吸附区域，从而将基片紧紧贴合在吸盘表面的相应区域。本专利技术的工作过程为:真空负压从吸盘底部中央的抽气孔进入，通过下层气道、下层联通孔到达吸盘边缘位置的环形通道，再经过上层联通孔以及相应的气路开关进入到相应的上层气道，并从相应的吸气孔进入对应的吸附区域，将基片紧紧贴合在吸盘表面。另外，中心负压从抽气孔经下层气道直接进入上层中心气道，再进入到中心吸气槽，即中心吸附区域，全程对中心吸附区域具备吸附功能。本专利技术的优点:本专利技术吸盘表面结构合理，布局美观。实现了多区域单独控制气路的闭合与开启，适用于对不同尺寸基片的吸附。【附图说明】:图1为本专利技术的结构简图；图2为本专利技术的俯视图；图3为本专利技术的下吸盘的主视图。图4为下吸盘上A-A剖视图；图5为本专利技术的上吸盘仰视图；图6为本专利技术的爆炸视图。【具体实施方式】:一种高产能吸盘的气道结构，包括有吸盘体，吸盘体内设有位于下部的十字形的下层气道1、位于中部的环形通道2以及位于上部的若干相互独立的上层气道3 ;吸盘体内设有联通于下层气道I与环形通道2之间的下层联通孔4、联通于环形通道2与相应上层气道3之间的若干中层联通孔5以及联通于吸盘表面与相应上层气道3之间的吸气孔6，吸盘表面上设有若干排与吸气孔6 —一对应的吸气槽7 ;环形通道2与相应的上层气道3之间联通的部位分别设有气路开关8 ;所述吸盘体底部设有与下层气道I联通的抽气孔9。所述吸盘体中心设有与下层气道联通的上层中心气道10，吸盘表面中心设有与上层中心气道10联通的中心吸气槽12。吸盘体包括有密封贴合的上、下吸盘13、14，所述上层气道I位于上吸盘内，下层气道3位于下吸盘内。上、下吸盘13、14的对合面上分别开有环形的凹槽，上、下吸盘13、14对合后形成环形通道2。下层联通孔4的下口部位位于下层气道I的十字端头部位。【主权项】1.一种高产能吸盘的气道结构，其特征在于:包括有吸盘体，吸盘体内设有位于下部的十字形的下层气道、位于中部的环形通道以及位于上部的若干相互独立的上层气道；吸盘体内设有联通于下层气道与环形通道之间的下层联通孔、联通于环形通道与相应上层气道之间的若干中层联通孔以及联通于吸盘表面与相应上层气道之间的吸气孔，吸盘表面上设有若干排与吸气孔一一对应的吸气槽；环形通道与相应的上层气道之间联通的部位分别设有气路开关；所述吸盘体底部设有与下层气道联通的抽气孔。2.根据权利要求1所述的一种高产能吸盘的气道结构，其特征在于:所述吸盘体中心设有与下层气道联通的上层中心气道，吸盘表面中心设有与上层中心气道联通的中心吸气槽。3.根据权利要求1或2所述的一种高产能吸盘的气道结构，其特征在于:所述吸盘体包括有密封贴合的上、下吸盘，所述上层气道位于上吸盘内，下层气道位于下吸盘内。4.根据权利要求3所述的一种高产能吸盘的气道结构，其特征在于:所述上、下吸盘的对合面上分别开有环形的凹槽，上、下吸盘对合后形成环形通道。5.根据权利要求3所述的一种高产能吸盘的气道结构，其特征在于:所述下层联通孔的下口部位位于下层气道的十字端头部位。【专利摘要】本专利技术公开了一种高产能吸盘的气道结构，包括有吸盘体，吸盘体内设有位于下部的十字形的下层气道、位于中部的环形通道以及位于上部的若干相互独立的上层气道；吸盘体内设有联通于下层气道与环形通道之间的下层联通孔、联通于环形通道与相应上层气道之间的若干中层联通孔以及联通于吸盘表面与相应上层气道之间的吸气孔，吸盘表面上设有若干排与吸气孔一一对应的吸气槽；环形通道与相应的上层气道之间联通的部位分别设有气路开关；所述吸盘体底部设有与下层气道联通的抽气孔。本专利技术吸盘表面结构合理，布局美观。实现了多区域单独控制气路的闭合与开启，适用于对不同尺寸基片的吸附。【IPC分类】G03F7/20【公开号】CN104950591【申请号】CN201510253470【专利技术人】宋耀东, 项宗齐, 何少锋, 方林 【申请人】合肥芯硕半导体有限公司【公开日】2015年9月30日【申请日】2015年5月18日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高产能吸盘的气道结构，其特征在于：包括有吸盘体，吸盘体内设有位于下部的十字形的下层气道、位于中部的环形通道以及位于上部的若干相互独立的上层气道；吸盘体内设有联通于下层气道与环形通道之间的下层联通孔、联通于环形通道与相应上层气道之间的若干中层联通孔以及联通于吸盘表面与相应上层气道之间的吸气孔，吸盘表面上设有若干排与吸气孔一一对应的吸气槽；环形通道与相应的上层气道之间联通的部位分别设有气路开关；所述吸盘体底部设有与下层气道联通的抽气孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋耀东，项宗齐，何少锋，方林，
申请(专利权)人：合肥芯硕半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34