一种缓冲驱动用高效率电荷泵稳压电源装置制造方法及图纸

技术编号:12164896 阅读:109 留言:0更新日期:2015-10-08 00:17
本发明专利技术公开了一种缓冲驱动用高效率电荷泵稳压电源装置,由直流电源S,与直流电源S相连接的控制电路,与控制电路相连接的温度补偿电路,以及与温度补偿电路相连接的光敏电阻CDS,以及串接在直流电源S与光敏电阻CDS之间的光束激发式逻辑放大电路组成,其特征在于,在温度补偿电路与光敏电阻CDS之间还设有稳压电路;同时,在直流电源S与稳压电路之间设有三线性缓冲驱动电路。本发明专利技术能根据外部环境的温度变化来自动调整输出电流值,而且经三线性缓冲驱动电路缓冲后的信号不会发生较大的衰减,从而能确保放大信号的质量和性能更加稳定,并有效的降低电路自身和外界的射频干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电源装置,具体是指一种缓冲驱动用高效率电荷泵稳压电源装置
技术介绍
目前,电池厂商在制作完电池保护电路板以后一般都需要用双极性电源来检测该电池保护电路板的各项功能是否已经达标,即利用双极性电源快速的实现对电池保护电路板的过压、欠压、过流的快速校准和测试,同时广泛应用了功率放大电路。所谓的双极性电源是指该电源放电时其电源内部的电流是从负极流向正极,而对该电源充电时其电源内部的电流是从正极流向负极(传统的普通电源其内部的电流无论在什么情况下都只能从负极流向正极,而不能从正极流向负极)。但是,目前市面上所销售的双极性电源不仅容易受到外部环境温度的影响,而且经传统的功率放大电路进行功率驱动放大后,其放大信号的衰减幅度较大,而且还会受到外部的电磁干扰,进而使得放大信号性能较为不稳定,使得其供电性能极其不稳定。因此严重影响了其深层次的使用和推广,成了急需有效克服和解决的难题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前双极性电源容易受到外部环境温度的影响,进而且经传统的功率放大电路进行功率驱动放大后,其放大信号的衰减幅度较大,而且还会受到外部的电磁干扰,进而使得放大信号性能较为不稳定,使得其供电性能极其不稳定的缺陷,提供一种缓冲驱动用高效率电荷泵稳压电源装置。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种缓冲驱动用高效率电荷泵稳压电源装置,由直流电源S,与直流电源S相连接的控制电路,与控制电路相连接的温度补偿电路,以及与温度补偿电路相连接的光敏电阻CDS,以及串接在直流电源S与光敏电阻CDS之间的光束激发式逻辑放大电路组成,同时,在温度补偿电路与光敏电阻CDS之间还设有稳压电路;以及设置在直流电源S与稳压电路之间的三线性缓冲驱动电路;所述稳压电路由功率放大器P2,一端与温度补偿电路相连接、另一端与功率放大器P2的负极输入端相连接的电压比较器U,基极与功率放大器P2的输出端相连接、发射极经电阻R8后与三线性缓冲驱动电路相连接的三极管Q5,一端与功率放大器P2的正极输入端相连接、另一端与温度补偿电路相连接的电阻R9,以及串接在电压比较器U与三极管Q5的集电极之间的电阻R7组成;所述三线性缓冲驱动电路由集成块U2,场效应管MOS,三极管Q7,三极管Q6,负极与三极管Q7的集电极相连接、正极顺次经电阻R19、极性电容C11、电阻R17后与场效应管MOS的源极相连接的极性电容C9,正极经电阻R21后与三极管Q7的发射极相连接、负极与集成块U2的CS脚相连接的极性电容C8,正极经电感L2后与集成块U2的DIM脚相连接、负极经电阻R20后与集成块U2的HYS脚相连接的极性电容C10,一端与电阻R19与极性电容Cll的连接点相连接、另一端经电感LI后与三极管Q7的基极相连接的电阻R18,正极与三极管Q6的集电极相连接、负极经电阻R16后与集成块U2的UM脚相连接的极性电容C12,P极接地、N极与场效应管MOS的漏极相连接的二极管D3以及一端与三极管Q6的基极相连接、另一端与集成块U2的SNS脚相连接的电阻R15组成;所述集成块U2的HG脚与场效应管MOS的栅极相连接,其GND脚接地,以及其IN脚与电感LI与电阻R18的连接点相连接;所述极性电容ClO的正极与直流电源S的负极相连接;所述三极管Q6的发射极经电阻R8后与三极管Q5的发射极相连接。所述的光束激发式逻辑放大电路,主要由功率放大器P3,与非门ICl,与非门IC2,与非门IC3,负极与功率放大器P3的正极输入端相连接、正极经光二极管Dl后接地的极性电容C5,一端与极性电容C5的正极相连接、另一端经二极管D2后接地的电阻R10,正极与电阻RlO和二极管D2的连接点相连接、负极接地的极性电容C6,一端与与非门ICl的负极输入端相连接、另一端与功率放大器P3的正极输入端相连接的电阻R11,串接在功率放大器P3的负极输入端与输出端之间的电阻R12,一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R13,正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C7,以及一端与极性电容C6的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R14组成;所述与非门ICl的正极输入端与功率放大器P3的负极输入端相连接,其输出端与非门IC2的正极输入端相连接;与非门IC3的正极输入端与功率放大器P3的输出端相连接,其输出端与光敏电阻CDS的一端相连接;所述极性电容C5的正极与直流电源S的负极与极性电容ClO的正极的连接点相连接;所述光敏电阻⑶S的一端与三极管Q5的集电极相连接,其另一端接地。进一步,所述控制电路由三极管Q1,三极管Q2,串接在三极管Ql的集电极与三极管Q2的集电极之间的电阻R1,串接在三极管Ql的发射极与直流电源S的负极之间的RC滤波电路,串接在三极管Ql的基极与直流电源S的负极之间的电阻R2,以及与直流电源S相并联的电阻R5组成;所述三极管Q2的发射极与直流电源S的正极相连接,而三极管Q2的基极还与三极管Ql的集电极相连接。所述的温度补偿电路由三极管Q3,三极管Q4,功率放大器Pl,串接在三极管Q3的集电极与三极管Q2的集电极之间的电阻R4,串接在功率放大器Pl的正极输入端与输出端之间的电容C2,串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间的电容C3,负极与三极管Q4的发射极相连接、正极与三极管Q5的集电极相连接的电容C4,以及与电容C4相并联的电阻R6组成;所述功率放大器Pl的正极输入端与三极管Q4的集电极相连接,其负极输入端与三极管Q3的发射极相连接;所述三极管Q4的集电极与三极管Q2的集电极相连接,其基极接地;三极管Q3的基极与直流电源S的正极相连接,所述电压比较器U与电阻R7的连接点与功率放大器Pl的输出端相连接,而三极管Q4的发射极则经电阻R9后与功率放大器P2的正极输入端相连接。所述RC滤波电路由电阻R3,以及与电阻R3相并联的电容Cl组成。所述的集成块U2采用型号为LM3401的驱动集成块。(I)本专利技术整体结构简单,其制作和使用非常方便。(2)本专利技术能根据外部环境的温度变化来自动调整输出电流值,而且经功率放大电路放大后的信号不会发生较大的衰减,从而能确保放大信号的质量和性能,确使其性能更加稳定,并有效的降低电路自身和外界的射频干扰。(3)本专利技术采用三线性缓冲驱动电路具有降压、稳压、可编程电流限制、过电流保护。(4)本专利技术设有稳压电路,不仅能确保输出电压的稳定,而且其与温度补偿电路配合使用后,能显著的提高温度补偿系数,进而确保工作状态的稳定。【附图说明】图1为本专利技术的结构示意图。【具体实施方式】下面结合实施例及附图,对本专利技术作进一步地详细说明,但本专利技术的实施方式不限于此。如图1所示,本专利技术所述的温度补偿稳压电源主要由直流电源S,与直流电源S相连接的控制电路,与控制电路相连接的温度补偿电路,与温度补偿电路相连接的光敏电阻CDS,串接在直流电源S与光敏电阻CDS之间的光束激发式逻辑放大电路,同时,设置在温度补偿电路与光敏电阻CDS之间的稳压电路,以及设置在直流电源S与稳压电路之间的三线性缓冲驱动电路组成。其中,该稳压电路由功率放大器P2,电压比较器U,电阻R8,三极管Q5及电阻R7和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缓冲驱动用高效率电荷泵稳压电源装置,由直流电源S,与直流电源S相连接的控制电路,与控制电路相连接的温度补偿电路,以及与温度补偿电路相连接的光敏电阻CDS,以及串接在直流电源S与光敏电阻CDS之间的光束激发式逻辑放大电路组成,其特征在于,在温度补偿电路与光敏电阻CDS之间还设有稳压电路;同时,在直流电源S与稳压电路之间设有三线性缓冲驱动电路;所述稳压电路由功率放大器P2,一端与温度补偿电路相连接、另一端与功率放大器P2的负极输入端相连接的电压比较器U,基极与功率放大器P2的输出端相连接、发射极经电阻R8后与三线性缓冲驱动电路相连接的三极管Q5,一端与功率放大器P2的正极输入端相连接、另一端与温度补偿电路相连接的电阻R9,以及串接在电压比较器U与三极管Q5的集电极之间的电阻R7组成;所述三线性缓冲驱动电路由集成块U2,场效应管MOS,三极管Q7,三极管Q6,负极与三极管Q7的集电极相连接、正极顺次经电阻R19、极性电容C11、电阻R17后与场效应管MOS的源极相连接的极性电容C9,正极经电阻R21后与三极管Q7的发射极相连接、负极与集成块U2的CS脚相连接的极性电容C8,正极经电感L2后与集成块U2的DIM脚相连接、负极经电阻R20后与集成块U2的HYS脚相连接的极性电容C10,一端与电阻R19与极性电容C11的连接点相连接、另一端经电感L1后与三极管Q7的基极相连接的电阻R18,正极与三极管Q6的集电极相连接、负极经电阻R16后与集成块U2的LIM脚相连接的极性电容C12,P极接地、N极与场效应管MOS的漏极相连接的二极管D3,以及一端与三极管Q6的基极相连接、另一端与集成块U2的SNS脚相连接的电阻R15组成;所述集成块U2的HG脚与场效应管MOS的栅极相连接,其GND脚接地,以及其IN脚与电感L1与电阻R18的连接点相连接;所述极性电容C10的正极与直流电源S的负极相连接;所述三极管Q6的发射极经电阻R8后与三极管Q5的发射极相连接。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:雷明方
申请(专利权)人:成都颉盛科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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