圆片级芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种圆片级芯片封装结构，包括：芯片载体层，装载多个圆片级芯片，上表面设置有多个焊垫；再布线层，固定在所述芯片载体层的上表面，所述再布线层的下表面覆盖所述多个焊垫；封装基板，固定在所述再布线层的上表面；所述再布线层的上表面覆盖设置在所述封装基板下表面的导线区基板。本实用新型专利技术通过替代引线框架，减少接触电阻的特性阻抗变化，有效降低导线之间的互感现象，提升封装结构中的电路信号品质及系统稳定度；通过金属镍钯金薄膜的结构设置，实现更优越的耐晶须性，可焊性，延展性与耐热性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种圆片级芯片封装结构。
技术介绍
传统框架类封装倒装工艺采用芯片凸点与框架引脚相联接，通电性能容易产生导热性能差，接触电阻偏高等问题，并且测试易出现接触电阻的特性阻抗变化，形成导线之间的互感现象等异常，很难区分是凸点制作工艺的问题还是倒装组装的问题，并且铜框架与基板封装基板的表面覆盖导线区连结因材料接合问题，易导致可焊性与耐热性的异常。
技术实现思路
在下文中给出关于本技术的简要概述，以便提供关于本技术的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本技术的穷举性概述。它并不是意图确定本技术的关键或重要部分，也不是意图限定本技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。本技术提供一种减少电阻的特性阻抗变化和导线之间的互感现象，提升可焊性、耐热性和稳定性的圆片级芯片封装结构。本技术提供一种圆片级芯片封装结构，包括:芯片载体层，装载多个圆片级芯片，上表面设置有多个焊垫；再布线层，固定在所述芯片载体层的上表面，所述再布线层的下表面覆盖所述多个焊垫；封装基板，固定在所述再布线层的上表面；所述再布线层的上表面覆盖设置在所述封装基板下表面的导线区基板。本技术提供的圆片级芯片封装结构通过在焊垫表面形成再布线层作为芯片电性输出装置，在第二再布线层表面形成金属镍钯金薄膜，替代引线框架结构，将第二再布线层联接延伸至封装基板的表面覆盖导线区基板，工艺可操作性强，易实现；通过替代引线框架，减少接触电阻的特性阻抗变化，有效降低导线之间的互感现象，提升封装结构中的电路信号品质及系统稳定度；通过金属镍钯金薄膜的结构设置，实现更优越的耐晶须性，可焊性，延展性与耐热性。【附图说明】参照下面结合附图对本技术实施例的说明，会更加容易地理解本技术的以上和其它目的、特点和优点。附图中的部件只是为了示出本技术的原理。在附图中，相同的或类似的技术特征或部件将采用相同或类似的附图标记来表示。图1为本技术圆片级芯片封装结构一种实施方式的结构示意图。图2为本技术圆片级芯片封装结构一种实施方式中在填充层上表面形成第二再布线层的结构示意图。图3为本技术圆片级芯片封装结构一种实施方式中在第二再布线层表面覆盖金属镍钯金薄膜的结构示意图。附图标记说明:101芯片载体层102 焊垫201第一再布线层202连接线层301第二再布线层302填充层303金属镍钯金薄膜401接合层402封装基板【具体实施方式】下面参照附图来说明本技术的实施例。在本技术的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本技术无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。图1为本技术圆片级芯片封装结构一种实施方式的结构示意图。如图1所示，在本实施方式中，本技术圆片级芯片封装结构包括:芯片载体层101，装载多个圆片级芯片，上表面设置有多个焊垫102 ;再布线层，固定在芯片载体层101的上表面，所述再布线层的下表面覆盖所述多个焊垫102 ；封装基板402，固定在所述再布线层的上表面；所述再布线层的上表面覆盖设置在封装基板402下表面的导线区基板。其中，所述再布线层的再布线制材为铜，所述再布线层由铜再布线组成。图2为本技术圆片级芯片封装结构一种实施方式中在填充层上表面形成第二再布线层的结构示意图。优选地，所述再布线层包括:第一再布线层201，与芯片载体层101的上表面固定连接，覆盖所述多个焊垫102 ；填充层302，填充于芯片载体层101和第一再布线层201的上表面；第二再布线层301，固定在填充层302的上表面，与封装基板402的下表面固定连接，覆盖所述导线区基板；连接线层202，连接第一再布线层201和第二再布线层301。图3为本技术圆片级芯片封装结构一种实施方式中在第二再布线层表面覆盖金属镍钯金薄膜的结构示意图。优选地，所述再布线层还包括覆盖在第二再布线层301表面的金属镍钯金薄膜303，金属镍钯金薄膜303用于保护第二再布线层301。优选地，封装基板402和第二再布线层301之间还设有用于固定连接的接合层401。具体地，所述接合层401为焊锡膏。优选地，芯片载体层101以硅为载体装载多个分拆开的圆片级芯片。封装本技术所提出的圆片级芯片封装结构的封装工艺步骤包括:SlO:用铜再布线在芯片载体层101的上表面形成第一再布线层201覆盖多个焊垫102，在芯片载体层101和第一再布线层201之上填充形成填充层302 ;S20:利用光敏材料等辅助形成填充层302上的开口，并在开口中形成连接线层202，在填充层302的表面形成第二再布线层301 ；S30:通过电解化学镀工艺，在第二再布线层301表面形成金属镍钯金薄膜303，用于保护第二再布线层301 ;通过圆片切割工艺，将一颗颗圆片级芯片尺寸封装产品分拆开，以硅作为载体形式装载在芯片载体层101 ;S40:通过接合层401印刷的方法，将第二再布线层301联接延伸至封装基板402的表面覆盖导线区基板，并通过接合层401连接边缘延伸部与封装基板402的表面而将第二再布线层301固定于封装基板402上。综上所述，本技术提供的圆片级芯片封装结构通过在焊垫表面形成再布线层作为芯片电性输出装置，在第二再布线层表面形成金属镍钯金薄膜，替代引线框架结构，将第二再布线层联接延伸至封装基板的表面覆盖导线区基板，工艺可操作性强，易实现；通过替代引线框架，减少接触电阻的特性阻抗变化，有效降低导线之间的互感现象，提升封装结构中的电路信号品质及系统稳定度；通过金属镍钯金薄膜的结构设置，实现更优越的耐晶须性，可焊性，延展性与耐热性。最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。【主权项】1.一种圆片级芯片封装结构，其特征在于，包括: 芯片载体层，装载多个圆片级芯片，上表面设置有多个焊垫； 再布线层，固定在所述芯片载体层的上表面，所述再布线层的下表面覆盖所述多个焊垫； 封装基板，固定在所述再布线层的上表面；所述再布线层的上表面覆盖设置在所述封装基板下表面的导线区基板。2.根据权利要求1所述的圆片级芯片封装结构，其特征在于，所述再布线层包括: 第一再布线层，与所述芯片载体层的上表面固定连接，覆盖所述多个焊垫； 填充层，填充于所述芯片载体层和所述第一再布线层的上表面； 第二再布线层，固定在所述填充层上表面，与所述封装基板的下表面固定连接，覆盖所述导线区基板； 连接线层，连接所述第一再布线层和所述第二再布线层。3.根据权利要求2所述的圆片级芯片封装结构，其特征在于，所述再布线层还包括覆盖在所述第二再布线层表面的金属镍钯金薄膜，所述金属镍钯金薄膜用于保护所述第二再布线层。4.根据权利要求2所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种圆片级芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片载体层，装载多个圆片级芯片，上表面设置有多个焊垫；再布线层，固定在所述芯片载体层的上表面，所述再布线层的下表面覆盖所述多个焊垫；封装基板，固定在所述再布线层的上表面；所述再布线层的上表面覆盖设置在所述封装基板下表面的导线区基板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高国华，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32