本实用新型专利技术的表面贴装片式整流桥引线框架，包括上引线框架和下引线框架，所述上引线框架和下引线框架均包括引线框架本体以及设置于引线框架本体上呈矩阵式排列的12行30列引线框架单元，相邻两列引线框架单元之间通过中筋相连接；所述每个引线框架单元包括2个芯片承载区和与芯片承载区相连接的引脚，所述引脚还与中筋相连接。本实用新型专利技术通过在中筋上设置长圆孔有效消除了长度超过200mm的引线框架易出现的由于材料应力作用而产生的扭曲和侧弯现象；引线框架结构简单，封装出来的产品质量一致性高、工艺可靠，在保证产品质量的基础上有效提高了生产效率，降低了能源、材料消耗，提高了材料利用率，降低了生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及微电子
的一种半导体封装引线框架，特别涉及一种表面贴装片式整流桥引线框架。
技术介绍
片式整流桥封装结构是最近几年新开发出来的引线框架封装模式，使用量非常大，年需求量在500亿只左右，由于原来的设计采用5片式结构，每组框架只能生产50只产品，具有生产效率低下、一致性差等不足，新近出现的矩阵式2片式结构由于不能克服原材料应力的不利影响，致使一般长度不超过200mm，单条总数量不超过180个单元产品，由于生产效率低，占用设备多，能量消耗大造成了材料和劳动力成本高，严重制约该封装形式产品的产量。
技术实现思路
本技术为了克服以上技术的不足，提供了一种表面贴装片式整流桥引线框架，在保证产品质量的基础上有效提高了生产效率，降低了能源、材料消耗，提高了材料利用率，降低了生产成本。本技术克服其技术问题所采用的技术方案是:一种表面贴装片式整流桥引线框架，包括上引线框架和下引线框架，所述上引线框架和下引线框架均包括引线框架本体以及设置于引线框架本体上呈矩阵式排列的12行30列引线框架单元，相邻两列引线框架单元之间通过中筋相连接；所述每个引线框架单元包括2个芯片承载区和与芯片承载区相连接的引脚，所述引脚还与中筋相连接。为保证引线框架上能设置12行30列引线框架单元，需要消除和抵消材料加工时产生的应力，所述中筋上设置有长圆孔，长圆孔长不小于7mm，宽不小于0.6mm，数量不少于6个，进一步优选的，长圆孔的长为7mm，宽为0.6mm，数量为6个。根据本技术优选的，所述芯片承载区和引脚均为对称排列。根据本技术优选的，所述引线框架的长为300mm，宽为74.6mm。本技术的有益效果是:本技术的表面贴装片式整流桥引线框架，通过在中筋上设置长圆孔有效消除了长度超过200_的引线框架易出现的由于材料应力作用而产生的扭曲和侧弯现象；引线框架结构简单，封装出来的产品质量一致性高、工艺可靠，在保证产品质量的基础上有效提高了生产效率，降低了能源、材料消耗，提高了材料利用率，降低了生产成本。【附图说明】图1为本技术的表面贴装片式整流桥引线框架结构示意图。图2为本技术的上引线框架和下引线框架合片时的引线框架单元结构示意图。图中，1、上引线框架，2、下引线框架，3、引线框架本体，4、引线框架单元，5、中筋，6、芯片承载区，7、引脚，8、长圆孔。【具体实施方式】为了便于本领域人员更好的理解本技术，下面结合附图和具体实施例对本技术做进一步详细说明，下述仅是示例性的不限定本技术的保护范围。如图1和2所示，本技术的表面贴装片式整流桥引线框架，包括上引线框架I和下引线框架2，所述上引线框架和下引线框架均包括引线框架本体3以及设置于引线框架本体上呈矩阵式排列的12行30列引线框架单元4，相邻两列引线框架单元之间通过中筋5相连接；所述引线框架的长为300mm，宽为74.6mm。所述每个引线框架单元4包括2个芯片承载区6和与芯片承载区相连接的引脚7，所述引脚7还与中筋5相连接。所述芯片承载区和引脚均为对称排列。为保证引线框架上能设置12行30列引线框架单元，需要消除和抵消材料加工时产生的应力，本技术在中筋5上设置有长圆孔8，长圆孔长不小于7_，宽不小于0.6mm，数量不少于6个，优选长圆孔8的长为7mm，宽为0.6mm，数量为6个。封装时，首先在上引线框架I的芯片承载区6和与下引线框架2对应的铜电极处涂覆锡膏，将两只芯片粘贴在引线框架单元内的两个芯片承载区的锡膏上，再在下引线框架2的芯片承载区6和与上引线框架对应的铜电极处涂覆锡膏，将两只芯片粘贴在引线框架单元内的芯片承载区的锡膏上；然后将上引线框架I和下引线框架2芯片相对压合，使得上引线框架I上的芯片和下引线框架2上的芯片呈列错开，再经过烧结、塑封、电镀以及分离等工序得到半导体整流桥器件。本技术的表面贴装式整流桥引线框架，一次可封装360只产品，封装出来的产品质量一致性高、工艺可靠，在保证产品质量的基础上有效提高了生产效率，降低了能源、材料消耗，提高了材料利用率，降低了生产成本。以上仅描述了本技术的基本原理和优选实施方式，本领域人员可以根据上述描述作出许多变化和改进，这些变化和改进应该属于本技术的保护范围。【主权项】1.一种表面贴装片式整流桥引线框架，包括上引线框架(I)和下引线框架(2)，其特征在于:所述上引线框架和下引线框架均包括引线框架本体(3)以及设置于引线框架本体上呈矩阵式排列的12行30列引线框架单元(4)，相邻两列引线框架单元之间通过中筋(5)相连接；所述每个引线框架单元(4)包括2个芯片承载区(6)和与芯片承载区相连接的引脚(7)，所述引脚(7)还与中筋(5)相连接。2.根据权利要求1所述的表面贴装片式整流桥引线框架，其特征在于:所述中筋(5)上设置有长圆孔(8)，长圆孔长不小于7mm，宽不小于0.6mm，数量不少于6个。3.根据权利要求2所述的表面贴装片式整流桥引线框架，其特征在于:所述长圆孔(8)的长为7mm，宽为0.6mm，数量为6个。4.根据权利要求1所述的表面贴装片式整流桥引线框架，其特征在于:所述芯片承载区(6)和引脚(7)均为对称排列。5.根据权利要求1-4中任一项所述的表面贴装片式整流桥引线框架，其特征在于:所述引线框架的长为300mm，宽为74.6mm。【专利摘要】本技术的表面贴装片式整流桥引线框架，包括上引线框架和下引线框架，所述上引线框架和下引线框架均包括引线框架本体以及设置于引线框架本体上呈矩阵式排列的12行30列引线框架单元，相邻两列引线框架单元之间通过中筋相连接；所述每个引线框架单元包括2个芯片承载区和与芯片承载区相连接的引脚，所述引脚还与中筋相连接。本技术通过在中筋上设置长圆孔有效消除了长度超过200mm的引线框架易出现的由于材料应力作用而产生的扭曲和侧弯现象；引线框架结构简单，封装出来的产品质量一致性高、工艺可靠，在保证产品质量的基础上有效提高了生产效率，降低了能源、材料消耗，提高了材料利用率，降低了生产成本。【IPC分类】H01L23/495【公开号】CN204668296【申请号】CN201520422376【专利技术人】段花山, 孔凡伟, 孙滨, 贺先忠, 夏昊, 胡菊山 【申请人】山东晶导微电子有限公司【公开日】2015年9月23日【申请日】2015年6月18日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种表面贴装片式整流桥引线框架，包括上引线框架（1）和下引线框架（2），其特征在于：所述上引线框架和下引线框架均包括引线框架本体（3）以及设置于引线框架本体上呈矩阵式排列的12行30列引线框架单元（4），相邻两列引线框架单元之间通过中筋（5）相连接；所述每个引线框架单元（4）包括2个芯片承载区（6）和与芯片承载区相连接的引脚（7），所述引脚（7）还与中筋（5）相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：段花山，孔凡伟，孙滨，贺先忠，夏昊，胡菊山，
申请(专利权)人：山东晶导微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37
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