一种环状PN结制造技术

本发明专利技术公开了一种环状PN结，所述环状PN结采用台阶PN结，在其PN结面中心位置构造有圆形阶面凹陷，与外围形成台阶结构。所述环状PN结嵌入在衬底上表面，环状PN结底部与衬底上表面处于同一平面；在衬底的上表面边缘生长有氧化层，所述氧化层并覆盖环状PN结；在环状PN结的底部上方设有铝层，所述铝层并覆盖氧化层边缘。应用本发明专利技术的环状PN结结构的恒流二极管具备恒流特性，且击穿电压已突破现有产品的2倍以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件设计及制造领域，具体是一种环状PN结。
技术介绍
PN结是采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junct1n)。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。恒流二极管是一种在固定电压段能将电流钳位在某一额定值的半导体器件，在恒流电源、LED驱动等领域都有重要作用。目前已有的恒流二极管采用了J-FET技术，是一种场效应器件，其优点是恒流值的公差小，精确性高，但耐压很低，一般不超过100V。
技术实现思路
本专利技术针对
技术介绍
存在的问题，提出一种环状PN结。技术方案是:一种环状PN结，其特征在于所述环状PN结采用台阶PN结，在其PN结面中心位置构造有圆形阶面凹陷，与外围形成台阶结构。所述台阶PN结嵌入在衬底上表面，台阶PN结底部与衬底上表面处于同一平面；在衬底的上表面边缘生长有氧化层，所述氧化层并覆盖台阶PN结；在台阶PN结的底部上方设有铝层，所述铝层并覆盖氧化层边缘。所述衬底为N型衬底，片厚200 μ m，电阻率50 ;所述氧化层厚度2 μ m?所述外围为P-区，硼扩散，结深50 μπι，表面方块电阻500 ;所述圆形阶面凹陷为P+区，硼扩散，结深20 μ m，表面方块电阻20。所述衬底双面抛光，各去除10 μ m表面损伤层。本专利技术的有益效果采用XJ4810半导体特性图示仪对应用本专利技术的环状PN结的恒流二极管进行试验测试，结果如图4所示，Vl = 270，表明击穿电压已经达到270V以上，圆圈标记处显示为Il+Δ i的恒流区特征。通过以上试验可知，应用本专利技术的环状PN结的恒流二极管具备恒流特性，且击穿电压已突破现有产品的2倍以上。通过调整衬底材料、P-以及P+浓度，可以进一步调整击穿电压以及恒流电流，为高压恒流器件提供一种可行性方案。【附图说明】图1为本专利技术环状PN结剖面示意图。图2为本专利技术环状PN结俯视示意图。图3为本专利技术环状PN结结构示意图。图4为试验效果图。【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术作进一步说明，但本专利技术的保护范围不限于此:实施例1，结合图1-图2，一种环状PN结结构，所述环状PN结采用台阶PN结2，在其PN结面中心位置构造有圆形阶面凹陷2-1，与外围2-2形成台阶结构。实施例2，结合图3，如实施例1所述的一种环状PN结结构，它包括实施例1中所述的台阶PN结2，所述台阶PN结2嵌入在衬底I上表面，台阶PN结2底部与衬底I上表面处于同一平面；在衬底I的上表面边缘生长有氧化层3，所述氧化层3并覆盖台阶PN结2 ;在台阶PN结2的底部上方设有铝层4，所述铝层4并覆盖氧化层3边缘。实施例3，如实施例2所述的一种环状PN结结构，所述衬底I为N型衬底，片厚200 μm，电阻率50 ;所述氧化层3厚度2 μπι。实施例4，如实施例3所述的一种环状PN结结构，所述外围2-2为P-区，硼扩散，结深50 μ m，表面方块电阻500 ;所述圆形阶面凹陷2-1为P+区，硼扩散，结深20 μ m，表面方块电阻20。实施例5，如实施例3所述的一种环状PN结结构，所述衬底I双面抛光，各去除10 μ m表面损伤层。作用原理及试验结果结合图4，当P区接-电，N区接+电，本专利技术产品处于反向击穿状态，当电压升至VI，P+区的PN结被反向击穿，电流上升，当电流达到II，P+区的PN结完全打开，P-区开始承受耐压，电流为11+ Δ i，当电压达到V2，P-区被反向击穿，整个PN结完全打开。Vl = 270，表明击穿电压已经达到270V以上，圆圈标记处显示为11+Λ i的恒流区特征。通过以上试验可知，本专利技术结构具备恒流特性，且击穿电压已突破现有产品的2倍以上。通过调整衬底材料、P-以及P+浓度，可以进一步调整击穿电压以及恒流电流，为高压恒流器件提供一种可行性方案。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本专利技术精神做举例说明。本专利技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本专利技术的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。【主权项】1.一种环状PN结，其特征在于所述环状PN结采用台阶PN结(2)，在其PN结面中心位置构造有圆形阶面凹陷(2-1)，与外围(2-2)形成台阶结构。2.根据权利要求1所述的一种环状PN结，所述台阶PN结⑵嵌入在衬底⑴上表面，台阶PN结(2)底部与衬底(I)上表面处于同一平面；在衬底(I)的上表面边缘生长有氧化层(3)，所述氧化层(3)并覆盖台阶PN结⑵；在台阶PN结⑵的底部上方设有铝层(4)，所述铝层(4)并覆盖氧化层(3)边缘。3.根据权利要求2所述的一种环状PN结，其特征在于所述衬底⑴为N型衬底，片厚200 μ m，电阻率50 ;所述氧化层(3)厚度2 μ m。4.根据权利要求3所述的一种环状PN结，其特征在于所述外围(2-2)为P-区，硼扩散，结深50 μm，表面方块电阻500;所述圆形阶面凹陷(2-1)为P+区，硼扩散，结深20 μm，表面方块电阻20。5.根据权利要求3所述的一种环状PN结，其特征在于所述衬底(I)双面抛光，各去除.10 μ m表面损伤层。【专利摘要】本专利技术公开了一种环状PN结，所述环状PN结采用台阶PN结，在其PN结面中心位置构造有圆形阶面凹陷，与外围形成台阶结构。所述环状PN结嵌入在衬底上表面，环状PN结底部与衬底上表面处于同一平面；在衬底的上表面边缘生长有氧化层，所述氧化层并覆盖环状PN结；在环状PN结的底部上方设有铝层，所述铝层并覆盖氧化层边缘。应用本专利技术的环状PN结结构的恒流二极管具备恒流特性，且击穿电压已突破现有产品的2倍以上。【IPC分类】H01L29/861, H01L29/06【公开号】CN104952911【申请号】CN201510319657【专利技术人】倪侠, 张俊 【申请人】江苏东晨电子科技有限公司【公开日】2015年9月30日【申请日】2015年6月11日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种环状PN结，其特征在于所述环状PN结采用台阶PN结(2)，在其PN结面中心位置构造有圆形阶面凹陷(2‑1)，与外围(2‑2)形成台阶结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：倪侠，张俊，
申请(专利权)人：江苏东晨电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32