流体传感器芯片制造技术

技术编号:12113495 阅读:121 留言:0更新日期:2015-09-24 14:38
本实用新型专利技术提供了一种流体传感器芯片,该流体传感器芯片包括了包括非晶碳的隔离物衬底、包括石墨的电导体、以及包括石墨烯或碳纳米管的有源材料,该实用新型专利技术在化学侵蚀性环境中能够被可靠地使用。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及流体传感器芯片。一些实施例涉及用于制造流体传感器芯片的方法。
技术介绍
诸如例如气体传感器之类的化学传感器在许多情况下由非化学惰性的材料组成。一方面金属或硅衬底以及金属导体,以及另一方面诸如例如金属氧化物之类的有源传感器层被侵蚀性化学品(例如酸、HF等)腐蚀。具有这样的化学侵蚀性环境的应用的一个场所是锂离子电池的内部。这里,例如,电解液由溶解在有机溶剂(一般是二氧化碳酯)中的含氟导电盐组成。
技术实现思路
提供了一种流体传感器芯片。流体传感器芯片包括了包括非晶碳的隔离物衬底、包括石墨的电导体、以及包括石墨烯或碳纳米管的有源材料。提供了另外的流体传感器芯片。另外的流体传感器芯片包括衬底载体、导电层、包括非晶碳的隔离物衬底、包括石墨的电导体以及包括石墨烯或碳纳米管的有源材料。导电层被布置在隔离物衬底和衬底载体之间。隔离物衬底被形成在衬底载体和导电层之上。有源材料被形成在导电层和隔离物衬底之上。电导体从有源材料穿过隔离物衬底延伸到导电层,以将有源材料与导电层电连接。提供了一种用于在化学侵蚀性环境中感测物理或化学参数的流体传感器芯片。在这里,所有的传感器芯片表面暴露于包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种流体传感器芯片,包括:包括非晶碳的隔离物衬底;隔离物衬底中的包括石墨的电导体;以及覆在隔离物衬底之上并且接触电导体的包括石墨烯或碳纳米管的有源材料。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:F巴赫尔G鲁尔
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:德国;DE

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