【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及精细化工的
，具体地说是一种高效硅晶片研磨液。
技术介绍
研磨是在硅晶体切片后，对硅晶片表面的第一次机械加工。研磨硅晶片的目的是去除硅晶片表面的切片刀痕和凹凸不平，使表面加工损伤平整均匀，在化学腐蚀过程中，其表面腐蚀速率即可均匀一致。目前用于硅晶片的研磨液，大多采用美国生产的多氨19-C磨削液。多氨19-C磨削液是一种白色微有刺激性气味的悬浮状液体，呈弱碱性，其优点是:有非常高的稀释能力、很强的悬浮特性且具有生物降解能力；其缺点是:粘度大、表面吸附比严重、不容易清洗，常导致磨片清洗后表面出现花斑，不仅对下道工序加工带来困难，而且会直接影响磨片的成品率；此外多氨19-C磨削液价格昂贵，使加工成本大大提高。因此，如何既要提高研磨液性能，又能减少硅粉、磨料等粒子和金属离子在晶片表面的吸附使其易于清洗，是当前研磨中急需解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的是在于提供一种易于清洗、性能优异的高效硅晶片研磨液。本专利技术采用的技术方案是，一种高效硅晶片研磨液，所述各材料按以下重量组份:分子量200-10000聚乙二醇40-70份、碳化硼10-15份、氢氧化钠5_10份、EDTA 二钠1_3份、甘油1-3份、磷酸脂3-5份、烷基醇酰胺0.5-2份、余量为去离子水。本专利技术的优点是具有良好的研磨性能、研磨后又易于清洗。【具体实施方式】本专利技术结合以下实施例作进一步描述。实施例1，一种高效硅晶片研磨液，所述各材料按以下重量组份:分子量200-10000聚乙二醇70份、碳化硼15份、氢氧化钠10份、EDTA 二钠3份、甘油3份、磷酸...
【技术保护点】
一种高效硅晶片研磨液，其特征在于，所述各材料按以下重量组份：分子量200‑10000聚乙二醇40‑70份、碳化硼10‑15份、氢氧化钠5‑10份、EDTA二钠1‑3份、甘油1‑3份、磷酸脂3‑5份、烷基醇酰胺0.5‑2份、余量为去离子水。
【技术特征摘要】
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