本发明专利技术属于功率放大器领域，提供了一种E类功率放大器的等效电感电路及器件参数获取方法。E类功率放大器的等效电感电路包括高阻抗线和低阻抗线，高阻抗线的第一端与晶体管漏极连接，高阻抗线的第二端与低阻抗线的第一端连接，低阻抗线的第二端与漏极直流电源连接。本发明专利技术通过所述E类功率放大器的等效电感电路及器件参数获取方法，使E类功率放大器适用于低频至高频的微波波段。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于功率放大器领域，特别设及一种E类功率放大器的等效电感电路及器 件参数获取方法。
技术介绍
目前，移动通信服务的快速发展对低能耗、高效率的器件设计提出了更高的要求。 而射频功率放大器恰恰是无线发射终端中耗能最大的模块。因此功率放大器的效率直接决 定了整个发射终端的能耗量级。所W，提高功率放大器的工作效率成为功率放大器研究领 域的热点。 E类功率放大器因其理想工作效率能够达到100%而结构简单、容易实现等优点， 近年来，在射频微波领域受到了广泛的研究和应用。然而，在实际情况中，E类功率放大器 的高效率特性很大程度上依赖于晶体管的特性。其中，晶体管内部的输出电容是限制E类 功率放大器工作频率最重要的一个因素。如何解决晶体管内部输出电容多余而带来的工作 频率的限制，是近年来E类功率放大器领域内研究的一个热点。 由于给定的晶体管内部的参数都是固定的，所W解决此问题的最流行的方法是利 用外部电路来补偿多余的电容，来拓展E类功率放大器的工作频率。现有技术采用集总参 数的等效电路，分别在基波和2~3次谐波点匹配晶体管的多余输出电容，在超高频处能很 好地匹配漏极输出电容，实现较好电路性能。 现有技术具有W下缺陷；由于采用的是集总参数元件，使得该匹配技术在微波频 段下的使用受到了诸多限制。
技术实现思路
本专利技术提供了一种E类功率放大器的等效电感电路及器件参数获取方法，旨在解 决现有的E类功率放大器的等效电感电路不适用于微波频段的技术问题。 本专利技术是该样实现的，一种E类功率放大器的等效电感电路，包括高阻抗线和低 阻抗线，所述高阻抗线的第一端与晶体管漏极连接，所述高阻抗线的第二端与所述低阻抗 线的第一端连接，所述低阻抗线的第二端与漏极直流电源连接。 另一方面，本专利技术还提供了一种E类功率放大器，包括如上述的等效电感电路。 另一方面，本专利技术还提供了一种的E类功率放大器的等效电感电路的器件参数获 取方法，包括： 确定所述E类功率放大器的设计参数，所述设计参数包括所述E类功率放大器的 理论所需电感值和电容系数，所述电容系数为多余的电容和理论所需电容的比值； 使用下述非线性方程组计算所述高阻抗线的参数和所述低阻抗线的参数： 其中1为所述￡类功率放大器的理论所需电感值，3为所述电容系数，《。为基波 的角频率，Z。为所述高阻抗线的特征阻抗，M为所述高阻抗线的特征阻抗和所述低阻抗线的 特征阻抗的比值，0同时为所述高阻抗线和所述低阻抗线的电长度。 本专利技术提供的技术方案带来的有益效果是： 从上述本专利技术可知，由于包括高阻抗线和低阻抗线，高阻抗线的第一端与晶体管 漏极连接，高阻抗线的第二端与低阻抗线的第一端连接，低阻抗线的第二端与漏极直流电 源连接，使用分布参数元件实现等效电感电路，因此，使E类功率放大器适用于低频至高频 的微波波段。【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于 本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可W根据该些附图获得其他 的附图。 图1为本专利技术实施例提供的E类功率放大器的等效电感电路的示例电路图； 图2为本专利技术实施例提供的E类功率放大器的等效电感电路的等效电路图。【具体实施方式】 为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方 式作进一步地详细描述。 本专利技术实施例提供E类功率放大器的等效电感电路Lnex的一种结构，如图1所 示，包括高阻抗线II和低阻抗线12,高阻抗线II的第一端与晶体管漏极连接，高阻抗线II 的第二端与低阻抗线12的第一端连接，低阻抗线12的第二端与漏极直流电源连接。 具体实施中，高阻抗线的阻抗可W大于低阻抗线的阻抗。 具体实施中，高阻抗线的阻抗为50欧姆。 具体实施中，高阻抗线的电长度与低阻抗线的电长度相等。 具体实施中，高阻抗线和低阻抗线组成的等效电感电路等效于基波和二次谐波并 联电感。[002引一种E类功率放大器，包括如上述的等效电感电路。如图1所示，E类功率放大器还包括晶体管Q、输出电容Cout、漏极偏置电源VckU栅极偏置电源Vgg、输入电压Vin、负载电阻R0、串联滤波电容COW及串联滤波电感L0,晶 体管Q包括输出电容Cout，输出电容Cout连接于晶体管Q的漏极和晶体管Q的源极之间。 晶体管Q的漏极与串联滤波电感LO的第一端连接，晶体管Q的栅极与输入电压 Vin的正极连接，晶体管Q的源极与负载电阻R0的第一端和漏极偏置电源Vdd的负极连接， 输入电压Vin的负极与栅极偏置电源Vgg的正极连接，串联滤波电感L0的第二端与串联滤 波电容C0的第一端连接，负载电阻R0的第二端与串联滤波电容C0的第二端连接。 其中，输出电容Cout由选择的晶体管决定；漏极偏置电源Vdd和栅极偏置电源 Vgg由选择晶体管的所需输出功率决定，负载电阻R0、串联滤波电容C0和串联滤波电感L0 由工作频率和E类功放工作模式决定。 本专利技术实施例提供E类功率放大器的等效电感电路的器件参数获取方法，包括W 下步骤： 101 ;确定E类功率放大器的设计参数，设计参数包括E类功率放大器的理论所需 电感值和电容系数，电容系数为多余的电容和理论所需电容的比值。 102 ;使用下述非线性方程组计算高阻抗线的参数和低阻抗线的参数：其中1为￡类功率放大器的理论所需电感值，3为电容系数，《。为基波的角频率， Z。为高阻抗线的特征阻抗，M为高阻抗线的特征阻抗和低阻抗线的特征阻抗的比值，0同 时为高阻抗线和低阻抗线的电长度。 优选的，在步骤102之前还包括步骤101-2。 101-2 ;预设高阻抗线的特征阻抗。 如图2所示，本专利技术当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种E类功率放大器的等效电感电路，其特征在于，包括高阻抗线和低阻抗线，所述高阻抗线的第一端与晶体管漏极连接，所述高阻抗线的第二端与所述低阻抗线的第一端连接，所述低阻抗线的第二端与漏极直流电源连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴光胜，马建国，成千福，朱守奎，邬海峰，
申请(专利权)人：深圳市华讯方舟科技有限公司，天津大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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