金属镁基UVC波段透明导电结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种金属镁基UVC波段透明导电结构及其制备方法，所述金属镁基UVC波段透明导电结构包括两层Mg基化合物层，所述两层Mg基化合物层之间设置有金属Mg层。所述金属镁基UVC波段透明导电结构的制备方法包括以下步骤：选取衬底，清洗衬底；选择高纯镁为靶材，通过磁控溅射方法沉积Mg基化合物层和金属Mg层，得到Mg基化合物/Mg/Mg基化合物多层结构。本发明专利技术所述金属镁基UVC波段透明导电结构在UVC波段具有优良的透明导电性，其制备方法步骤科学、易行，有效的解决了目前UVC波段透明导电材料制备难题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及透明导电材料制备
，尤其涉及一种金属镁基UVC波段透明导电结构及其制备方法。
技术介绍
传统的透明导电薄膜在近紫外和可见区具有较高的透过率，并兼具优良的导电性，已应用于平板液晶显示器、触摸屏、太阳能电池等领域。近年来，透明导电薄膜还被应用于低辐射玻璃、节能电致变色窗、除霜除雾玻璃、抗静电涂层、防电磁干扰透明窗和红外至雷达波段宽频谱隐身材料等诸多新兴领域。ITO(In2O3:Sn)、SnO2:F、ZAO(ZnO:Al)等传统单层透明导电膜应用较为广泛，它们具有高可见光透过率(85％-90％)、化学稳定性好、与各种基板(如玻璃、PVC、硅片等)附着力好等优点。然而随着发光与光电探测器件向深紫外区域发展，上述传统透明导电薄膜由于带隙宽度的限制(一般小于4.0eV)，难以透过波长小于300nm的深紫外光。目前，Si或者Sn掺杂Ga2O3薄膜具备深紫外透明导电性，但是由于材料的禁带宽度越大，将其掺杂成为导电材料的困难也越大，所以具有优良导电特性的单层Ga本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属镁基UVC波段透明导电结构，其特征在于，包括两层Mg基化合物层，所述两层Mg基化合物层之间设置有金属Mg层。

【技术特征摘要】
1.一种金属镁基UVC波段透明导电结构，其特征在于，包括两层Mg
基化合物层，所述两层Mg基化合物层之间设置有金属Mg层。
2.根据权利要求1所述金属镁基UVC波段透明导电结构，其特征在于，
所述Mg基化合物层厚度为1-500nm；所述金属Mg层厚度为0.1-20nm。
3.根据权利要求1所述金属镁基UVC波段透明导电结构，其特征在于，
所述Mg基化合物层的材质为光学带隙较宽的材料。
4.根据权利要求3所述金属镁基UVC波段透明导电结构，其特征在于，
所述Mg基化合物层的材质为MgO、MgS、MgF2和MgCl2中的一种或者几
种混合。
5.一种权利要求1-4任意一项所述金属镁基UVC波段透明导电结构的
制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用高纯靶材，将衬底放入反应室内，调节反应室内压强，调节衬
底温度；
(2)通过磁控溅射方法在衬底上制备一层Mg基化合物层；
(3)通过磁控溅射方法，以高纯氩气为溅射气体，在Mg基化合物层上
生长一层金属Mg层；
(4)通过磁控溅射方法继而在金属Mg层上再生长一层Mg基化合物层；
获得金属镁基UVC波段透明导电结构。
6.根据权利要求5所述金属镁基UVC波段透明导电结构的制备方法，
其特征在于，步骤(1)所述高纯靶材为金属镁、MgO、MgS、MgF2和MgCl2中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏晓川，梁红伟，杜国同，柳阳，申人升，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21