【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术抗闩锁效应微处理器复位电路涉及电子技术应用领域，具体为一种复位电路，能够有效避免复位信号对微处理器带来的闩锁触发风险。包括一阶复位电路、掉电检测电路和泄流通道，掉电检测电路和一阶复位电路之间通过光耦连接；所述一阶复位电路由电阻和第一电容串接组成；掉电检测电路由二极管、第二电容和光耦内部的发光二极管组成，二极管的阳极以及发光二极管的阴极分别与电源相连，第二电容的正极、二极管的阴极分别与发光二极管的阳极相连，第二电容的负极接地；泄流通道由光耦内部的光敏三极管和一阶复位电路中的元件组成；所述元件为第一电容或电阻。【专利说明】抗闩锁效应微处理器复位电路
本专利技术抗闩锁效应微处理器复位电路涉及电子技术应用领域，具体为一种复位电路，能够有效避免复位信号对微处理器带来的闩锁触发风险。
技术介绍
CMOS工艺的低功耗、无比例逻辑设计以及较大的噪声容限等优点使得其成为数字电路、模拟电路以及在同一芯片上构成模拟、数字混合电路的首选技术。但CMOS结构所固有的寄生双极型晶体管在某些条件触发下会被激活，形成正反馈，产生闩锁，导致IC电路出现...
【技术保护点】
一种抗闩锁效应微处理器复位电路，其特征在于：包括一阶复位电路、掉电检测电路和泄流通道，掉电检测电路和一阶复位电路之间通过光耦连接；所述一阶复位电路由电阻和第一电容串接组成；掉电检测电路由二极管、第二电容和光耦内部的发光二极管组成，二极管的阳极以及发光二极管的阴极分别与电源相连，第二电容的正极、二极管的阴极分别与发光二极管的阳极相连，第二电容的负极接地；泄流通道由光耦内部的光敏三极管和一阶复位电路中的元件组成；所述元件为第一电容或电阻。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：侯立功，刘全胜，陈天娥，吴伟，肖颖，侯正昌，陆秋俊，王欣，
申请(专利权)人：无锡职业技术学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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