阵列基板及其制造方法、控制方法、控制组件和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术是关于一种阵列基板及其制造方法、控制方法、控制组件和显示装置，属于显示技术领域。所述阵列基板包括：衬底基板上形成的薄膜晶体管和至少一个感光结构，感光结构与薄膜晶体管的漏极电连接，用于感知外界光强；在形成有薄膜晶体管和至少一个感光结构的衬底基板上形成有包括公共电极的图案。本发明专利技术通过在阵列基板上形成感光结构，并通过感光结构来感知外界光强；解决了相关技术中需要通过外部安装的感光单元才能够获取外部光强，显示亮度的自动调节功能的实现成本较高的问题；达到了降低显示亮度的自动调节功能的实现成本的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、控制方法、控制组件和显示装置。
技术介绍
近些年，随着手机等移动电子产品的不断发展，人们对显示装置各种功能的要求越来越苛刻。其中，显示装置显示亮度的自动调节功能一种常用功能。相关技术中有一种显示装置(如手机)，该显示装置的外壳上安装有感光单元，该感光单元接收外部光强，并将外部光强反馈给显示装置的控制组件，再由控制组件根据该外部光强控制背光源的光强，以调节显示装置的显示亮度。专利技术人在实现本专利技术的过程中，发现上述方式至少存在如下缺陷：上述显示装置需要通过外部安装的感光单元才能够获取外部光强，并根据该外部光强来调节显示亮度，显示亮度的自动调节功能的实现成本较高。
技术实现思路
为了解决相关技术中显示亮度的自动调节功能的实现成本较高的问题，本专利技术提供了一种阵列基板及其制造方法、控制方法、控制组件和显示装置。所述技术方案如下：根据本专利技术的第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板上形成的薄膜晶体管和至少一个感光结构，所述感光结构与所述薄膜晶体管的漏极电连接，用于感知外界光强；在形成有所述薄膜晶体管和所述至少一个感光结构的衬底基板上形成有包括公共电极的图案。可选的，所述感光结构包括：感光层和感光电极；在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成有包括所述感光电极的图案，所述感光电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接；在所述感光电极上形成有所述感光层；在所述感光层上形成有所述公共电极。可选的，在所述公共电极上形成有发光结构；在所述发光结构上形成有包括像素电极的图案，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。可选的，所述发光结构为三层电致发光结构或五层电致发光结构；所述三层电致发光结构包括：阴极、电致发光层和阳极；所述五层电致发光结构包括：阴极、电致发光层、离子传导层、离子存储层和阳极。可选的，所述感光层的材料包括感光树脂和感光聚合物中的至少一种。根据本专利技术的第二方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管和至少一个感光结构，所述感光结构与所述薄膜晶体管的漏极电连接；在形成有所述薄膜晶体管和所述至少一个感光结构的衬底基板上形成包括公共电极的图案。可选的，所述感光结构包括：感光层和感光电极，所述在衬底基板上形成薄膜晶体管和至少一个感光结构，包括：在所述衬底基板上形成所述薄膜晶体管；在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成包括所述感光电极的图案，所述感光电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接；在所述感光电极上形成所述感光层，所述公共电极形成于所述感光层上。可选的，所述阵列基板还包括：发光结构，所述在形成有所述薄膜晶体管和所述至少一个感光结构的衬底基板上形成包括公共电极的图案之后，还包括：在所述公共电极上形成所述发光结构；在所述发光结构上形成包括像素电极的图案，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。可选的，所述发光结构为三层电致发光结构或五层电致发光结构；所述三层电致发光结构包括：阴极、电致发光层和阳极；所述五层电致发光结构包括：阴极、电致发光层、离子传导层、离子存储层和阳极。可选的，所述感光层的材料包括感光树脂和感光聚合物中的至少一种。根据本专利技术的第三方面，提供一种阵列基板的控制方法，用于控制组件，所述控制组件用于控制第一方面所述的阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管、感光结构和公共电极，所述方法包括：所述控制组件停止向所述薄膜晶体管的源极输入信号，所述感光结构获取外界光线并产生光电流；所述控制组件接收在所述公共电极的作用下流经所述薄膜晶体管的漏极和源极的所述光电流；所述控制组件根据所述光电流控制显示亮度。可选的，所述阵列基板还包括发光结构和像素电极，所述控制组件根据所述光电流控制显示亮度，包括：所述控制组件根据所述光电流获取控制信号；所述控制组件将所述控制信号输入所述薄膜晶体管的源极，所述薄膜晶体管的源极将所述控制信号导向所述薄膜晶体管的漏极并流入所述像素电极，所述发光结构在所述像素电极和所述公共电极的作用下发光。根据本专利技术的第四方面，提供一种控制组件，用于控制第一方面所述的阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管、感光结构和公共电极，所述控制组件包括：停止模块，用于停止向所述薄膜晶体管的源极输入信号，所述感光结构用于获取外界光线并产生光电流；接收模块，用于接收在所述公共电极的作用下流经所述薄膜晶体管的漏极和源极的所述光电流；控制模块，用于根据所述光电流控制显示亮度。可选的，所述控制模块，用于根据所述光电流获取控制信号，并将所述控制信号输入所述薄膜晶体管的源极，所述薄膜晶体管的源极用于将所述控制信号导向所述薄膜晶体管的漏极并流入所述像素电极，所述发光结构在所述像素电极和所述公共电极的作用下发光。根据本专利技术的第五方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第一方面所述的阵列基板。根据本专利技术的第六方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第四方面所述的控制组件。本专利技术提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过在阵列基板上形成感光结构，并通过感光结构来感知外界光强；解决了相关技术中需要通过外部安装的感光单元才能够获取外部光强，显示亮度的自动调节功能的实现成本较高的问题；达到了降低显示亮度的自动调节功能的实现成本的效果。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图1是根据本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2-1是根据本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图2-2是图2-1所示实施例提供的阵列基板上未设置有感光结构处的结构示意图；图2-3是图2-1所示实施例提供的阵列基板的俯视图；图2-4是图2-1所示实施例提供的阵列基板的等效电路图；图2-5是根据本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图3-1是根据本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；图3-2是图3-1所示实施例提供的阵列基板的制造方法中的衬底基板结构示意图；图4-1是根据本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；图4-2至图4-7是图4-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板上形成的薄膜晶体管和至少一个感光结构，所述感光结构与所述薄膜晶体管的漏极电连接，用于感知外界光强；在形成有所述薄膜晶体管和所述至少一个感光结构的衬底基板上形成有包括公共电极的图案。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板上形成的薄膜晶体管和至少一个感光结构，所述感光结构与所述
薄膜晶体管的漏极电连接，用于感知外界光强；
在形成有所述薄膜晶体管和所述至少一个感光结构的衬底基板上形成有包
括公共电极的图案。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述感光结构包括：感
光层和感光电极；
在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成有包括所述感光电极的图案，
所述感光电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接；
在所述感光电极上形成有所述感光层；
在所述感光层上形成有所述公共电极。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
在所述公共电极上形成有发光结构；
在所述发光结构上形成有包括像素电极的图案，所述像素电极与所述薄膜
晶体管的漏极电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述发光结构为三层电
致发光结构或五层电致发光结构；
所述三层电致发光结构包括：阴极、电致发光层和阳极；
所述五层电致发光结构包括：阴极、电致发光层、离子传导层、离子存储
层和阳极。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述感光层的材料包括感光树脂和感光聚合物中的至少一种。
6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成薄膜晶体管和至少一个感光结构，所述感光结构与所述
薄膜晶体管的漏极电连接；
在形成有所述薄膜晶体管和所述至少一个感光结构的衬底基板上形成包括
公共电极的图案。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述感光结构包括：感光层
和感光电极，
所述在衬底基板上形成薄膜晶体管和至少一个感光结构，包括：
在所述衬底基板上形成所述薄膜晶体管；
在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成包括所述感光电极的图案，所
述感光电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接；
在所述感光电极上形成所述感光层，所述公共电极形成于所述感光层上。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述阵列基板还包括：发光
结构，
所述在形成有所述薄膜晶体管和所述至少一个感光结构的衬底基板上形成
包括公共电极的图案之后，还包括：
在所述公共电极上形成所述发光结构；
在所述发光结构上形成包括像素电极的图案，所述像素电极与所述薄膜晶
体管的漏极电连接。
9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：包智颖，姜文博，王世君，吕振华，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11