本申请公开了一种用于ITO/Ag/ITO多层薄膜的蚀刻液，蚀刻液由总重量5-20％的草酸、10-40％的磷酸、0.1-0.5％的表面活性剂组成，余量为去离子水。本申请的蚀刻液，不仅使用十分方便、易于控制，而且在蚀刻过程中完全不产生蚀刻残渣，蚀刻均匀性好，可形成美观的图案。本申请的蚀刻液实现了在温和的工作条件下对ITO/Ag/ITO多层薄膜进行高效且高精度地蚀刻，为生产高精度产品奠定了基础。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及蚀刻液领域，特别是涉及一种用于ITO/Ag/ITO多层薄膜的蚀刻液。
技术介绍
ITO/Ag/ITO多层薄膜是指采用直流和射频磁控溅射技术，在透明有机薄膜材料上 溅射透明氧化铟锡（ITO)导电薄膜镀层以及含银金属膜并经高温退火处理得到的高技术 产品。广泛地用于液晶显示器（LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种 光学领域。在薄膜场效应晶体管液晶显示器（TFT~IXD)、发光二极管（LED)、有机发光二 极管（OLED)等行业用作面板过程中，铟锡氧化物半导体透明导电膜（ITO)与含银金属膜 的蚀刻通常采用盐酸/硝酸混合水溶液、盐酸/三氯化铁水溶液、碘酸水溶液、磷酸水溶液 等。以上蚀刻液不足之处在于腐蚀能力强，在试剂蚀刻过程中，往往难以控制蚀刻角度和蚀 刻时间，对操作人员和客户端设备的危险性也较高。目前，随着越来越多的生产者开始使用 ITO/Ag/ITO多层薄膜，对一种能够提高加工精度的蚀刻液的需求大大增加，因此，研制出一 种既无残留，又蚀刻均匀、易控制，且蚀刻条件温和的理想的ITO/Ag/ITO多层薄膜蚀刻液 将具有重大意义。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种改进的特别用于ITO/Ag/ITO多层薄膜的蚀刻液。 为了实现上述目的，本申请采用了以下技术方案： 本申请公开了一种用于ITO/Ag/ITO多层薄膜的蚀刻液，蚀刻液由总重量5-20% 的草酸、10-40 %的磷酸、0. 1-0. 5 %的表面活性剂组成，余量为去离子水。 需要说明的是，本申请的蚀刻液由特定用量的草酸、磷酸和表面活性剂组成，三者 有机配合，既保留了草酸蚀刻的温和性，又保障了蚀刻效果，蚀刻均匀、易控制、无残留。并 且，根据不同的IT0/Ag/IT0多层薄膜厚度，采用本申请的蚀刻液在1-20分钟内即可完成蚀 刻。 需要补充说明的是，现有的ITO/Ag/ITO多层薄膜蚀刻，为了保障生产效率，避免 残留，通常都是采用腐蚀能力强的蚀刻液；而本申请正是为了避免强腐蚀力对生产设备、生 产质量的影响或不足，创造性的将草酸应用于ITO/Ag/ITO多层薄膜蚀刻，并与特定用量的 磷酸和表面活性剂组合，在保障与强腐蚀力蚀刻液相当的生产效率和无残留的情况下，避 免了强腐蚀力蚀刻液对操作人员和客户端设备的危害，同时，由于本申请的蚀刻液相对较 温和，蚀刻角度和蚀刻时间都更容易控制。 优选的，表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚系列表面活性剂。 优选的，烷基酚聚氧乙烯醚系列表面活性剂选自于壬基酚聚氧乙烯5醚、壬基酚 聚氧乙烯（9)醚、二壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚（10)硫酸 钠、十二烷基聚氧乙烯醚及其钠盐中的至少一种。 本申请的另一面公开了本申请的蚀刻液在ITO/Ag/ITO多层薄膜蚀刻中的应用。 本申请的再一面公开了一种ITO/Ag/ITO多层薄膜的蚀刻方法，包括预先将ITO/ Ag/ITO多层薄膜依序形成于基板上，涂覆抗蚀涂层图案后，采用本申请的蚀刻液进行蚀刻。 优选的，采用本申请的蚀刻液进行蚀刻的温度为30°C -40°C，蚀刻时间为1-20分 钟。更优选的，蚀刻的温度为35°C。 需要说明的是，虽然本申请的蚀刻液腐蚀力相对较弱，蚀刻条件较温和，但是，按 照本申请的特定组合和用量所配置的蚀刻液，在对不同厚度的ITO/Ag/ITO多层薄膜进行 蚀刻是，也只需要1-20分钟即可完成蚀刻，且无残留；并且，正是由于本申请的蚀刻液蚀刻 条件相对温和，其蚀刻角度和蚀刻时间也更容易掌握，有利于高精度产品的生产。 由于采用以上技术方案，本申请的有益效果在于： 本申请的蚀刻液，不仅易于控制、使用十分方便，而且在蚀刻过程中完全不产生蚀 刻残渣，蚀刻均匀性好，可形成美观的图案。本申请的蚀刻液实现了在温和的工作条件下对 ITO/Ag/ITO多层薄膜进行高效且高精度地蚀刻，为生产高精度产品奠定了基础。【具体实施方式】 现有的腐蚀力强的蚀刻液，虽然能够有效的保障无残留，但是，其蚀刻角度和蚀刻 时间很难控制，且环境不友好，对操作人员和客户端设备的危险性也较高。随着ITO/Ag/ITO 多层薄膜的广泛应用，对于ITO/Ag/ITO多层薄膜蚀刻，也不仅仅要求其蚀刻无残留；一方 面，需要更加精确的产品，蚀刻角度、蚀刻均匀性的要求更高；另一方面，由于其应用广泛， 生产量大，也要求蚀刻液具有更高的安全性。本申请正是在这样的基础上提出的。 需要说明的是，腐蚀力强弱和无残留、生产效率基本上是呈正比例关系，也就是 说，腐蚀力越强，蚀刻的速度也越快，残留也就较少，反之则蚀刻速度较慢，残留也可能较 多；这是本申请需要克服的一个重要问题。本申请经过大量的试验研宄，采用特定用量的草 酸、磷酸和表面活性剂制备蚀刻液，三者有机配合；不仅具备与腐蚀力强的蚀刻液相当的生 产效率，在1-20分钟内即可完成蚀刻，而且同样可以做到无残留；并且，更为重要的是，本 申请的蚀刻液腐蚀力相对较弱，蚀刻条件温和，蚀刻角度和蚀刻时间更容易控制，蚀刻均匀 性更好，能够满足高精度产品的生产需求。 下面通过具体实施例对本申请作进一步详细说明。以下实施例仅对本申请进行进 一步说明，不应理解为对本申请的限制。 实施例 本例的蚀刻液由草酸、磷酸、表面活性剂和去离子水组成。其中，表面活性剂采用 烷基酚聚氧乙烯醚系列的壬基酚聚氧乙烯5醚。按表2所示用量配制蚀刻液，并设计三个 对比试验，表2中的百分比为重量百分比，余量为去离子水，制备的蚀刻液备用。 在玻璃基板上采用直流和射频磁控溅射法形成ITO/Ag/ITO膜，显影、曝光，形成 抗蚀涂层图案。然后，将玻璃基板在35°C下用本例制备的蚀刻液进行蚀刻，蚀刻时间可根据 ITO/Ag/ITO膜的膜厚等进行调节，一般而言为1-20分钟，本例蚀刻时间为3分钟。蚀刻结 束后，进行清洗和干燥。 在扫描电镜（SEM)下观察样品蚀刻后的残留，以及蚀刻均匀性、蚀刻角度等。 蚀刻液残渣除去能力： 在玻璃基板上采用直流和射频磁控溅射法形成ITO/Ag/ITO膜，显影、曝光，形成 抗蚀涂层图案。结合经验蚀刻速率，在确定膜厚与蚀刻温度及蚀刻时间的条件下计算出恰 好蚀刻时间，进行过蚀刻（over etching，Ο/E)量的测试，Ο/E表示实际蚀刻时间超出恰好 蚀刻时间的百分数，本例具体对0/E 20%、0/E 50%、0/E 80%、0/E 100%等不同的0/E量 进行了观察，具体的在扫描电镜（SEM)下观察样品并对蚀刻后的残渣进行评价。 另外，本例还对100% OE下的蚀刻进行统计观察，结果如表2所示。 本例按照表1的标准，对SEM观察结果进行评价： 表1蚀刻液效果评价标准【主权项】1. 一种用于ITO/Ag/ITO多层薄膜的蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液由总重量5-20% 的草酸、10-40 %的磷酸、0. 1-0. 5 %的表面活性剂组成，余量为去离子水。2. 根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚 系列表面活性剂。3. 根据权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于：所述烷基酚聚氧乙烯醚系列表面活性 剂选自于壬基酚聚氧乙烯5醚、壬基酚聚氧乙烯（9)醚、二壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧 乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚（10)硫酸本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于ITO/Ag/ITO多层薄膜的蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液由总重量5‑20％的草酸、10‑40％的磷酸、0.1‑0.5％的表面活性剂组成，余量为去离子水。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：康威，梁作，赵大成，陈昊，
申请(专利权)人：深圳新宙邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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