用于处理晶片形物件的方法和装置制造方法及图纸

用于处理晶片形物件的方法和设备包括用于保持并围绕旋转轴旋转晶片形物件的旋转卡盘和用于将流体分配到晶片形物件的至少一个表面上的至少一个分配器。收集器围绕旋转卡盘，用于收集工艺流体，具有至少两个收集器水平部位，用于在不同收集器水平部位分别收集流体。每个收集器水平部位包括导向相应的排放气体管道的排放气体收集室。排放气体管道中的至少一个包括阀机构，该阀机构在向收集器外面的周围环境打开排放气体管道的同时相互地制约来自其相关排放气体管道的排放气体流，反之亦然。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于处理诸如半导体晶片、平板显示器或光盘之类的晶片形物件的装 置和方法。
技术介绍
半导体晶片要进行各种表面处理工艺，比如蚀刻、清洁、抛光和材料沉积。为了适 应这些工艺，单个晶片可相对于一或多个工艺流体喷嘴由关联于旋转载具的卡盘支撑，如 例如美国专利第4, 903, 717和5, 513, 668号中所描述的。 美国专利第4, 903, 717号公开了其旋转卡盘可相对于周围的液体收集器被升高 和降低，液体收集器具有多个液体收集水平部位和用于从液体收集器的内部收集气体的公 用排气装置。 美国专利第7, 837, 803号公开了一种改进的液体和气体收集器，其中在每个水平 部位的排气装置可经由在每个水平部位提供的阀被单独控制。但是，根据在晶片形物件上 执行的具体工艺，该专利的阀会与化学侵蚀性的烟气接触。在这种条件下，将这种阀维持在 良好工作状态会是困难的。 因此，需要一种收集器结构，能够更好地防止来自各种媒质（例如，酸、碱、有机 物）的烟气在共同的处理室中混合，以便防止蒸气交叉污染。这种交叉污染会导致结晶固 体在精密处理设备上的沉积，以及各种安全问题。
技术实现思路
因此，一方面，本专利技术涉及一种用于处理晶片形物件的设备，该设备包括用于保持 并围绕旋转轴旋转晶片形物件的旋转卡盘和用于将流体分配到晶片形物件的至少一个表 面上的至少一个分配器。收集器围绕旋转卡盘，用于收集工艺流体，具有至少两个收集器水 平部位，用于在不同收集器水平部位分别收集流体。所述至少两个收集器水平部位中的每 一个包括导向相应的排放气体管道的排放气体收集室。排放气体管道中的至少一个包括阀 机构，该阀机构在向收集器外面的周围环境打开排放气体管道的同时相互地制约来自其相 关排放气体管道的排放气体流，反之亦然。本文所使用的术语"流体"旨在表示液体，但这 种液体可包含气泡（例如具有泡沫性质的两相混合物），或者可以是两或更多种易混或难 混的液体的混合物，或者包括悬浮固体的液体，或者前述物的任意混合物。 在根据本专利技术的设备的优选实施方式中，所述排气管道中的一个包括旁通阀，该 旁通阀能操作来将排放气体从所述排气管道中的该一个改道至所述排气管道中的另一个。 在根据本专利技术的设备的优选实施方式中，所述阀机构包括翻板阀，该翻板阀能在 室位置和环境位置之间移动，在该室位置，来自其相关排气管道的排放气体被允许通过，同 时所述排气管道对外部环境密封，在该环境位置，所述收集器外面的环境大气被允许通过， 同时所述排气管道对所述阀机构上游的室排放气体密封。 在根据本专利技术的设备的优选实施方式中，所述收集器包括所述收集器水平部位中 的至少三个，且其中所述收集器水平部位中的至少两个的排气管道各自包括相应的所述阀 机构。 在根据本专利技术的设备的优选实施方式中，所述排气管道中的一个包括第一旁通 阀，该第一旁通阀能操作来将排放气体从所述排气管道中的一个改道至所述排气管道中的 第二个，以及第二旁通阀，该第二旁通阀能操作来将排放气体从所述排气管道中的一个改 道至所述排气管道中的第三个。 在根据本专利技术的设备的优选实施方式中，控制器被提供，用于致动所述阀机构，且 所述阀机构响应于所述旋转卡盘相对于所述收集器从一个收集器水平部位移动到另一个 收集器水平部位而被致动。 在根据本专利技术的设备的优选实施方式中，所述收集器水平部位沿所述旋转卡盘的 旋转轴垂直叠置。 在根据本专利技术的设备的优选实施方式中，所述收集器包括三个收集器水平部位， 且所述三个收集器水平部位中的最上面一个的排气管道包括能操作来将排放气体从所述 排气管道转到所述三个收集器水平部位的最下面一个的排气管道的第一旁通阀，能操作来 将排放气体从所述排气管道转到所述三个收集器水平部位的中间一个的排气管道的第二 旁通阀，以及设置在所述第一和第二旁通阀的下游的所述最上面的收集器水平部位的所述 排气管道中的阀机构。 在根据本专利技术的设备的优选实施方式中，所述收集器包括三个收集器水平部位， 且每一个相应的排气管道包括各自的阀机构。 在根据本专利技术的设备的优选实施方式中，所述阀机构能操作使得所述阀机构在其 相关排气管道中的致动在所述至少两个收集器水平部位中的任何其它收集器水平部位中 引起小于20帕的压强变化。 在根据本专利技术的设备的优选实施方式中，所述收集器包括三个收集器水平部位， 且每一个相应的排气管道包括各自的阀机构。 在根据本专利技术的设备的优选实施方式中，所述排放气体管道中的至少一个进一步 包括设置在所述阀机构上游的旁通阀，所述旁通阀能操作来将排放气体从该排气管道改道 至所述排气管道中的另一个。 在根据本专利技术的设备的优选实施方式中，所述阀机构和所述旁通阀能由控制器操 作使得在致动所述阀机构以相对于室排气的通道密封所述至少一个排气管道的同时致动 所述旁通阀以将排放气体从所述至少一个管道转到另一个管道，同时在所述旁通阀下游的 位置对外部环境打开所述至少一个气体管道。 另一方面，本专利技术涉及一种用于处理晶片形物件的方法，该方法包括在旋转卡盘 上保持并围绕旋转轴旋转晶片形物件，以及将第一流体分配到所述晶片形物件的至少一个 表面上。在围绕所述旋转卡盘的收集器的至少两个工艺水平部位中分别收集工艺流体。所 述至少两个收集器水平部位中的每一个包括导向相应的排放气体管道的排放气体收集室。 与所述排放气体管道中的至少一个相关联的阀机构被操作以便在向所述收集器外面的周 围环境打开所述排放气体管道的同时相互地制约来自其相关排放气体管道的排放气体流， 反之亦然。 在根据本专利技术的方法的优选实施方式中，在所述排气管道中的一个中所安装的旁 通阀被操作以便将排放气体从该排气管道改道至另一个排气管道。 在根据本专利技术的方法的优选实施方式中，所述阀机构被操作以便在室位置和环境 位置之间移动翻板阀，在该室位置，来自其相关排气管道的排放气体被允许通过，同时所述 排气管道对外部环境密封，在该环境位置，所述收集器外面的环境大气被允许通过，同时所 述排气管道对所述阀机构上游的室排放气体密封。 在根据本专利技术的方法的优选实施方式中，所述阀机构被操作使得所述阀机构在其 相关排气管道中的致动在所述至少两个收集器水平部位中的任何其它收集器水平部位中 引起小于20帕的压强变化。 在根据本专利技术的方法的优选实施方式中，具有各自不同组分的工艺气体各自通过 相应的排气管道被排放。 在根据本专利技术的方法的优选实施方式中，第二流体被分配到所述晶片上，其中所 述第二流体的化学组分与所述第一流体的化学组分不同，且通过与收集由所述第一工艺流 体产生的气体的排气管道不同的排气管道收集由所述第二工艺流体产生的气体。 在根据本专利技术的方法的优选实施方式中，排放的气体由共同的排气单元同时从至 少两个独立的收集器收集。【附图说明】 在阅读接下来参照附图给出的本专利技术的优选实施方式的详细描述之后，本专利技术的 其它目的、特征和优点会变得更加显而易见，其中： 图1示出了根据本专利技术第一实施方式的设备的示意性侧视图； 图2示出了图1所示翻板阀之一 52的优选结构布局； 图3示出了用于第一晶片工艺的阀状态的组合； 图4示出了用于第二晶片工艺的阀状态的组合； 图5示出了用于第三晶片工艺的阀状态的组合； 图6示出了用于第四晶片工艺的阀状态本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理晶片形物件的设备，包括：用于保持并围绕旋转轴旋转晶片形物件的旋转卡盘；用于将流体分配到晶片形物件的至少一个表面上的至少一个分配器；围绕所述旋转卡盘用于收集工艺流体的收集器，其具有至少两个收集器水平部位，用于在不同收集器水平部位分别收集流体；其中所述至少两个收集器水平部位中的每一个包括导向相应的排放气体管道的排放气体收集室；且其中所述排放气体管道中的至少一个包括阀机构，该阀机构在向所述收集器外面的周围环境打开所述排放气体管道的同时相互地制约来自其相关排放气体管道的排放气体流，反之亦然。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：莱茵霍尔德·施瓦辛格，克里斯蒂安·帕兹，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT