本发明专利技术提供一种在不使用减少了填充物、异物的特殊的基材薄膜(例如PET薄膜等)的情况下，能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片的脱模薄膜(载体薄膜)以及使用了其的可靠性高的层叠陶瓷电子部件的制造方法。脱模薄膜具备：在表面具有多个突起部的基材薄膜、和覆盖其表面的脱模层，使从脱模层的表面起至基材薄膜的突起部的根部为止的尺寸即脱模层的厚度T1比从基材薄膜的突起部的顶端起至突起部的根部为止的沿着方向X的方向上的尺寸即突起部的高度H大。此外，脱模薄膜具备：在表面具有多个凹部的基材薄膜、和覆盖其表面的脱模层，使从脱模层的表面起至基材薄膜的凹部的底面为止的尺寸即脱模层T2的厚度比凹部的深度D大。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及脱模薄膜以及层叠陶瓷电子部件的制造方法，详细来讲，涉及形成陶 瓷生片中使用的脱模薄膜以及对使用该脱模薄膜形成的陶瓷生片加以使用来制造层叠陶 瓷电子部件的方法。
技术介绍
层叠陶瓷电容器等层叠陶瓷电子部件的制造中使用的陶瓷生片较多是例如通过 在载体薄膜（例如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)薄膜）的表面，涂敷陶瓷浆料来成型为片 状的方法而制作的。此外，作为载体薄膜，在形成陶瓷生片的面，设置了用于容易剥离形成 的陶瓷生片的离形层的载体薄膜（脱模薄膜）被广泛使用。 但是，在将陶瓷浆料涂敷到作为支撑体的上述载体薄膜上的情况下，若在其表面 (涂敷面）存在突起部，形成于存在突起部的部位的陶瓷生片的该部位与形成在不存在突 起部的其他部位的部位相比，厚度可能变薄，或者可能由于突起部贯通而导致形成贯通孔。 在这种对厚度局部变薄、或者形成贯通孔的状态的陶瓷生片进行层叠来制作层叠 陶瓷电子部件的情况下，例如，在层叠陶瓷电子部件是层叠陶瓷电容器的情况下，存在容易 产生耐电压故障、短路故障，不能得到所希望的特性，可靠性降低的问题点。 作为对陶瓷生片的抑制这种突起部的产生的方法，具有减少构成载体薄膜的PET 薄膜中含有的填充物、异物的量，或者不含有填充物的方法（例如，专利文献1的权利要求 4等）。 但是，实际上一般大多数的PET薄膜含有填充物或异物，填充物或异物少或者实 质上不含有的PET薄膜是特殊的PET薄膜，由于其制作上要求高技术，制造成本上升，因此 是_价的。 因此，在将这种填充物或异物少或者实质上不含有的PET薄膜用作载体薄膜来制 造层叠陶瓷电子部件的情况下，存在层叠陶瓷电子部件的制造成本也增大的问题点。 在先技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2013-60555号公报
技术实现思路
本专利技术解决上述课题，其目的在于，提供一种在不使用减少了填充物、异物的特殊 的基材薄膜的情况下，能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片的脱模 薄膜（载体薄膜）以及使用了该脱模薄膜的可靠性高的层叠陶瓷电子部件的制造方法。 -解决课题的手段- 本专利技术的脱模薄膜解决上述课题，其特征在于，具备： 基材薄膜，其在表面具有多个突起部；和 脱模层，其覆盖所述基材薄膜的表面， 从所述脱模层的表面起至所述基材薄膜的所述突起部的根部为止的、沿着与所述 脱模层的表面正交的方向X的方向上的尺寸、即所述脱模层的厚度T1比从所述基材薄膜的 所述突起部的顶端起至所述突起部的根部为止的沿着所述方向X的方向上的尺寸、即所述 突起部的高度H大。 在本专利技术中，作为所述基材薄膜，能够使用包含填充物，并且，所述填充物在基材 薄膜的厚度方向上均匀分布的基材薄膜。 在使用填充物在厚度方向上均匀分布的基材薄膜的情况下，虽然在基材薄膜的表 面容易形成突起部，但是在本专利技术中，由于在基材薄膜的表面形成脱模层，使脱模薄膜的表 面变得平滑，因此能够提供一种在不使用减少了填充物、异物的特殊的基材薄膜（例如PET 薄膜）的情况下，能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片的脱模薄膜 (载体薄膜）。 此外，所述脱模层的厚度T1优选比所述突起部的高度H大96nm以上。 通过使脱模层的厚度T1的值比基材薄膜的突起部的高度H的值大96nm以上，从 而能够更可靠地形成表面的平滑性优良的脱模薄膜。 此外，所述脱模层的表面粗糙度优选比所述基材薄膜的表面粗糙度小。 通过具备上述结构，能够可靠地形成表面的平滑性优良的脱模薄膜。并且，通过使 用该脱模薄膜，能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片。 此外，优选在所述脱模层的表面具备多个脱模层突起部，从所述脱模层突起部的 顶部起至所述脱模层突起部的根部为止的、沿着所述方向X的方向上的尺寸、即所述脱模 层突起部的高度H2比所述基材薄膜的所述突起部的高度H小。 通过具备上述结构，能够可靠地形成表面的平滑性优良的脱模薄膜。并且，通过使 用该脱模薄膜，能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片。 此外，本专利技术的脱模薄膜的特征在于，具备： 基材薄膜，其在表面具有多个凹部；和 脱模层，其覆盖所述基材薄膜的表面， 从所述脱模层的表面起至所述基材薄膜的所述凹部的底面为止的、沿着与所述脱 模层的表面正交的方向X的方向上的尺寸、即所述脱模层的厚度T2比从所述基材薄膜的表 面起至所述凹部的底面为止的、沿着所述方向X的方向上的尺寸、即所述凹部的深度D大。 在本专利技术中，作为所述基材薄膜，能够使用含有填充物，并且，所述填充物在基材 薄膜的厚度方向上均匀分布的基材薄膜。 在使用填充物在厚度方向上均匀分布的基材薄膜的情况下，虽然基材薄膜的平滑 性被损害，在表面容易形成凹部，但是在本专利技术中，由于在基材薄膜的表面形成脱模层，使 脱模薄膜的表面变得平滑，因此能够提供一种在不使用减少了填充物、异物的特殊的基材 薄膜（例如PET薄膜）的情况下，能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生 片的脱模薄膜（载体薄膜）。 此外，所述脱模层的厚度T2优选比所述凹部的深度D大50nm以上。 通过使脱模层的厚度T2的值比基材薄膜的凹部的深度D的值大50nm以上，从而 能够更可靠地形成表面的平滑性优良的脱模薄膜。 所述脱模层的表面粗糙度优选比所述基材薄膜的表面粗糙度小。 通过具备上述结构，能够可靠地形成表面的平滑性优良的脱模薄膜。并且，通过使 用该脱模薄膜，能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片。 优选在所述脱模层的表面具有多个脱模层凹部，从所述脱模层的表面起至所述脱 模层凹部的底面为止的、沿着所述方向X的方向上的尺寸、即所述脱模层凹部的深度D2比 所述基材薄膜的所述凹部的深度D小。 通过具备上述结构，能够可靠地形成表面的平滑性优良的脱模薄膜。并且，通过使 用该脱模薄膜，能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片。 此外，本专利技术的层叠陶瓷电子部件的制造方法的特征在于，具备： 在上述本专利技术的脱模薄膜上涂敷陶瓷浆料，来形成厚度为0. 5~2ym的陶瓷生片 的工序； 形成具有所述陶瓷生片与内部电极层层叠而成的构造的层叠体的工序；和 烧成所述层叠体,来制作陶瓷烧结体的工序。 -专利技术效果- 由于本专利技术的脱模薄膜具备：基材薄膜；和覆盖其表面的、具有比存在于基材薄 膜的突起部的高度H大的厚度T1的脱模层，因此能够提供一种在不使用减少了填充物、异 物的特殊的基材薄膜（例如PET薄膜）的情况下，能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的 高质量的陶瓷生片的脱模薄膜（载体薄膜）。 也就是说，根据本专利技术，由于在基材薄膜的表面存在突起部的情况下，也通过形成 在基材薄膜的表面的脱模层，将基材薄膜的表面平滑化，因此在不使用减少了填充物、异物 的特殊的基材薄膜的情况下，也能够构成表面突起部少的脱模薄膜（载体薄膜），通过使用 该脱模薄膜，能够以低成本来制造高质量的陶瓷生片。 此外，由于在构成为具备基材薄膜、和覆盖其表面的、具有比存在于基材薄膜的凹 部的深度D大的厚度T2的脱模层的情况下，也通过在基材薄膜的表面形成的脱模层，将凹 部存在的基材薄膜的表面平滑化，因此能够提供一种在不使用减少了填充物、异物的特殊 的基材薄膜（例如PET薄膜）的情况下，能够本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种脱模薄膜，具备：基材薄膜，其在表面具有多个突起部；和脱模层，其覆盖所述基材薄膜的表面，所述脱模层的厚度T1比所述突起部的高度H大，其中所述脱模层的厚度为从所述脱模层的表面起至所述基材薄膜的所述突起部的根部为止的、沿着与所述脱模层的表面正交的方向X的方向上的尺寸，所述突起部的高度为从所述基材薄膜的所述突起部的顶端起至所述突起部的根部为止的沿着所述方向X的方向上的尺寸。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：堀裕之，福井大介，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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