一种具有多电极结构的横向高压器件制造技术

本发明专利技术提供了一种具有多电极结构的横向高压器件，属于半导体功率器件领域。包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源极金属和漏极金属；其特征在于，在所述第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区之间区域的上方的介质层中还设置有n个电极，n≥2，所述n个电极中任意两电极在横向方向上的投影之间有间隔，且每个电极偏置在不同的电位。本发明专利技术提供的横向高压器件可在提高器件耐压的同时降低器件的导通电阻，有效缓解了横向高压器件导通电阻与耐压之间的矛盾。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体功率器件领域，具体涉及一种具有多电极结构的横向高压器件。
技术介绍
横向高压器件是高压功率集成电路发展中必不可少的部分，它具有高耐压、高输入阻抗、良好的安全工作区、低功耗等优势，已广泛应用于电机驱动、汽车电子、工业控制的功率开关器件中。横向高压器件工作在高耐压环境时，需要采用长的漂移区，因此横向高压器件会伴随高的导通电阻，导致器件在正常工作时的功率消耗变高。在实际应用中，需要在保证横向高压器件耐压的同时尽量减小器件的导通电阻，以减小器件工作时的能量消耗。然而，导通电阻与器件耐压之间存在矛盾关系，这就限制了该类器件在高压大电流领域的应用，尤其是在要求低导通损耗和小芯片面积的电路中。
技术实现思路
本专利技术针对传统横向高压功率器件为获得高耐压而采用低掺杂浓度的漂移区导致器件导通电阻增大的问题，提出了一种具有多电极结构的横向高压器件。该器件在漂移区上方设置多个电极，且每个电极偏置在不同的电压，可在提高器件耐压的同时降低器件的导通电阻，有效缓解了横向高压器件导通电阻与耐压之间的矛盾。本专利技术的技术方案如下:一种具有多电极结构的横向高压器件，包括第二型掺杂杂质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多电极结构的横向高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底(1)；形成于所述第二型掺杂杂质半导体衬底(1)之上的第一型掺杂杂质漂移区(3)和第二型掺杂杂质阱区(4)；形成于所述第二型掺杂杂质阱区(4)之中的第二型掺杂杂质接触区(5)和第一型掺杂杂质源区(6)；形成于所述第一型掺杂杂质漂移区(3)之中的第一型掺杂杂质阱区(7)；形成于第一型掺杂杂质阱区(7)之中的第一型掺杂杂质漏区(8)；形成于所述第一型掺杂杂质漂移区(3)和第二型掺杂杂质阱区(4)上方的介质层(9)；所述介质层(9)中设置有多晶硅栅(10)、源极金属(12)和漏极金属(13)；其特征在于，在所述第二型掺杂杂质阱区(4)到第...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，周锌，李阳，代刚，陈钢，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51