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含有稠环的单体、低聚和聚合半导体以及它们的器件制造技术

技术编号:11810588 阅读:120 留言:0更新日期:2015-08-01 04:51
本发明专利技术描述了包含稠环部分(I)的单体、低聚物和聚合物材料,其可以用作用于电子、光学或电光学器件例如有机薄膜晶体管和有机光伏器件的有机半导体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】含有稠环的单体、低聚和聚合半导体以及它们的器件 背景 与常规硅基电子器件相比,有机电子器件可以以更低的成本制造,并且适用于广 泛的应用,包括显示器、射频识别(RFID)标签、化学/生物传感器、存储器件、太阳能电池、 光电二极管等。此外,有机半导体可以在低温下加工并且沉积在塑料基板上以使得能够获 得轻量、柔软和超薄的电子器件。然而,有机半导体,尤其是溶液加工的有机半导体与无机 半导体相比已经显示了不足的电子性能。例如经溶液加工的有机半导体的载流子迀移率通 常低于Icm 2I1iT1,其作为许多目标应用的有机薄膜晶体管(OTFT)中的沟道半导体材料是 不足的。因此,需要开发具有大于〇. ScnAT1iT1的迀移率的溶液可加工的有机半导体,包括 单体、低聚物和聚合物。 专利技术概述 本专利技术公开了包含稠环部分的半导体有机化合物,其可以用作0TFT、有机光伏器 件(OPV)、传感器和其它电子器件的高性能有机半导体。 本专利技术的一个目的是开发用于例如OTFT、OPV和传感器的电子器件的包含所述稠 环部分的单体、低聚或聚合半导体材料。 另一个目的是开发包含所述含有这种稠环部分的有机本文档来自技高网...

【技术保护点】
包含稠环部分(I)的单体、低聚物或聚合物:X独立地为氧(O)、硫(S)或NR(R独立地为氢或具有1‑60个碳原子的任选取代的烃基,例如烷基、取代的烷基、烯基、取代的烯基、炔基、取代的炔基、芳基和取代的芳基或任何其它合适的基团);表示与另一部分(或多个部分)的连接;M是共轭部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:李玉宁
申请(专利权)人:李玉宁
类型:发明
国别省市:加拿大;CA

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