本实用新型专利技术涉及集成电路技术领域，具体涉及一种过温检测装置的版图布局结构,所述过温检测装置包括热源器件、温检器件和温检处理器，该热源器件分别与温检器件和温检处理器连接，该温检器件与温检处理器连接，该热源器件设置在集成电路的发热主要区域，该温检器件贴近热源器件安装。本实用新型专利技术将温检器件放置在热源器件内，形成过温检测装置，并将其放置在集成电路的热源区域内部，精确检测集成电路热源区域的温度，提高现有工艺的温度检测性能，提高电路工作效率，提高电路使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路
，具体涉及一种过温检测装置的版图布局结构。
技术介绍
如何精确监控集成电路中热源区域的温度，如电路芯片温度，避免功率芯片因热损伤，导致使用寿命缩短，在集成电路的版图布局中是非常重要的。如图1所示，现有版图3布局中，过温检测器件I位于热源元件2外侧，这种布局方式会便于版图3布局，减少工作量，适用于对过温保护要求较低的集成电路中，但是在一些集成电路中，该布局方式不能很好的检测集成电路热源区域的最高温度，启动过温保护功能。特别是集成电路在恶劣环境中使用，并需过温保护功能实现自我保护，如果实际检测过温点设置过低，使用中经常会过温重启，虽然保护了电路，但影响使用效果；如果实际检测过温点超过工艺极限温度，会影响电路的使用寿命，甚至损坏电路。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种过温检测装置的版图布局结构，精确检测电路的工作温度。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种过温检测装置的版图布局结构，所述过温检测装置包括热源器件、温检器件和温检处理器，该热源器件分别与温检器件和温检处理器连接，该温检器件与温检处理器连接，该热源器件设置在集成电路的发热主要区域，该温检器件贴近热源器件安装。其中，较佳方案是:该热源器件设置在集成电路的发热主要区域的干路处。其中，较佳方案是:该热源器件为功率管。其中，较佳方案是:该温检器件包括一三极管。其中，较佳方案是:该温检处理器包括一功率放大器。其中，较佳方案是:该功率放大器的同相输入端与三极管的发射极连接，其输出端与功率管的栅极连接。本技术的有益效果在于，与现有技术相比，本技术将温检器件放置在热源器件内，形成过温检测装置，并将其放置在集成电路的热源区域内部，精确检测集成电路热源区域的温度，提高现有工艺的温度检测性能，提高电路工作效率，提高电路使用寿命。【附图说明】下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中:图1是现有技术过温检测器件的版图布局结构示意图；图2是本技术过温检测装置的版图布局结构示意图；图3是本技术过温检测装置的结构框图；图4是本技术过温检测装置的电路示意图。【具体实施方式】现结合附图，对本技术的较佳实施例作详细说明。如图2和图3所示，本技术提供一种过温检测装置的版图布局结构的优选实施例，其中，图2是过温检测装置的版图布局结构示意图，图3是过温检测装置的结构框图。一种过温检测装置10的版图布局结构，过温检测装置10包括热源器件11、温检器件12和温检处理器13，热源器件11分别与温检器件12和温检处理器13连接，温检器件12与温检处理器13连接，热源器件11设置在集成电路20的发热主要区域。其中，热源器件11安装在集成电路20的发热主要区域，便于热源器件11与集成电路20的发热主要区域进行温度同步；温检器件12用于检测热源器件11的实时温度，从而检测集成电路20的发热主要区域的实时温度，并将检测到的温度信息反馈到温检处理器13中；温检处理器13用于控制热源器件11的开关，当接收到的温度信息进行识别处理，当热源器件11的温度达到最高阀值时，其关闭热源器件11，让热源器件11停止工作，停止热量产生。进一步地，热源器件11设置在集成电路20的发热主要区域的干路处，便于过温检测装置10准确检测集成电路20的发热主要区域的温度情况。具体是，在现有的热源器件11基础上，将温检器件12放置在热源器件11内，贴近安装，并连接温检处理器13，形成过温检测装置10。根据电路的布局需要，将不同类型的热源器件11，即过温检测装置安装到集成电路20的发热主要区域，对当前集成电路20的进行过温保护，当温度过高时，通过关闭温检测装置，从而关闭当前集成电路20，让当前集成电路20停止工作，停止热量产生。同时，将热源器件11设置在集成电路20的发热主要区域的干路处，便于过温检测装置10对当前集成电路20的控制。其中，热源器件11优选为功率管。如图4所示，本技术提供一种过温检测装置的较佳实施例，其中，图4是过温检测装置的电路示意图。过温检测装置10包括热源器件11、温检器件12和温检处理器13，其中热源器件11为功率管，优选为MOS管；温检器件12包括一三极管，其中三极管的发射极与MOS管连接，采集流经MOS管的电流I，温检器件12利用三极管的BE结正向压降Vbe，提供负温度系数，其中负温度系数优选-2mv/°C，三极管的发射极又与温检处理器13连接，反馈温度信息；温检处理器13包括一功率放大器，功率放大器的同相输入端与三极管的发射极连接，其反向输入端与内部电源连接，其输出端与功率管的栅极连接。其中，假设集成电路20内部温度不可超过127°C，若超过此温度可造成集成电路20失效。若外界环境温度是27°C，为确保集成电路20不会由于温度过高而失效，在集成电路20在工作时，其产生的能量导致芯片温度升高不可超过100°C。利用Vbe的负温度系数-2mv/°C，当集成电路20的内部温度升高100°C，Vbe下降200mv。令Vbe= 0.7V(—般PN正向压降为0.7V左右，随着温度变化会发生变化的)，内部电源Vref = 0.5V (集成电路20内部产生的恒压)。当集成电路20内部温度升高不超过100°C时，VBE>0.5V,功率放大器的输出端输出高电平，功率管继续工作；当集成电路20内部温度升高超过100°C时，VBE〈0.5V,功率放大器的输出端输出低电平，使功率管关闭，停止工作。以上所述者，仅为本技术最佳实施例而已，并非用于限制本技术的范围，凡依本技术申请专利范围所作的等效变化或修饰，皆为本技术所涵盖。【主权项】1.一种过温检测装置的版图布局结构，其特征在于:所述过温检测装置包括热源器件、温检器件和温检处理器，该热源器件分别与温检器件和温检处理器连接，该温检器件与温检处理器连接，该热源器件设置在集成电路的发热主要区域，该温检器件贴近热源器件安装。2.根据权利要求1所述的过温检测装置的版图布局结构，其特征在于:该热源器件设置在集成电路的发热主要区域的干路处。3.根据权利要求2所述的过温检测装置的版图布局结构，其特征在于:该热源器件为功率管。4.根据权利要求3所述的过温检测装置的版图布局结构，其特征在于:该温检器件包括一三极管。5.根据权利要求4所述的过温检测装置的版图布局结构，其特征在于:该温检处理器包括一功率放大器。6.根据权利要求5所述的过温检测装置的版图布局结构，其特征在于:该功率放大器的同相输入端与三极管的发射极连接，其输出端与功率管的栅极连接。【专利摘要】本技术涉及集成电路
，具体涉及一种过温检测装置的版图布局结构,所述过温检测装置包括热源器件、温检器件和温检处理器，该热源器件分别与温检器件和温检处理器连接，该温检器件与温检处理器连接，该热源器件设置在集成电路的发热主要区域，该温检器件贴近热源器件安装。本技术将温检器件放置在热源器件内，形成过温检测装置，并将其放置在集成电路的热源区域内部，精确检测集成电路热源区域的温度，提高现有工艺的温度检测性能，提高电路工作效率，提高电路使用寿命。【IPC分类】H01L27-0本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种过温检测装置的版图布局结构，其特征在于：所述过温检测装置包括热源器件、温检器件和温检处理器，该热源器件分别与温检器件和温检处理器连接，该温检器件与温检处理器连接，该热源器件设置在集成电路的发热主要区域,该温检器件贴近热源器件安装。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王春来，孙申权，
申请(专利权)人：深圳市麦积电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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