提供使用研磨带对由晶体材料构成的晶片的周缘进行研磨来制造圆形晶片的方法。包括以下工序：一次研磨工序，使在具有铅垂旋转轴的水平平台上进行定心而配置的晶片的外周部与研磨体抵接，并使平台旋转而研磨外周部；测定晶片的半径并设定所测定的最小半径以下的半径，沿外周部确定设定半径与所测定的晶片半径的差Δr的工序；确定Δr大于规定值的外周部的部分的工序；及二次研磨工序，使外周部与研磨体抵接，使平台在规定旋转角度范围内正转反转而研磨外周部，研磨体包括配置于平坦的研磨垫而划分出平坦研磨面的研磨带，在二次研磨工序中使平台与研磨面沿水平轴线相对摆动，使平台的正转反转速度在与所确定的外周部的部分对应的旋转角度的范围内降低。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对由晶体材料构成的晶片的周缘进行研磨的方法，尤其涉及通过使用研磨带研磨晶片周缘来制造在晶片周缘形成高精度的表面性状并且处理性(handlingability)提高的圆形晶片的方法。
技术介绍
近年来，用于制造半导体、MEMS等的各种晶片随着电路元件的高密度化、薄化等而具有晶片厚度薄到Imm至几十μπι的趋势。在从结晶块(ingot)切出的晶片中，对斜面部、边缘部等周缘进行倒角，将主面研磨为镜面，但是随着晶片的薄化而容易产生微细的缺口(豁口)、由缺口引起的晶片的裂纹等。因此，为了提高半导体等的制造过程中的成品率，晶片周缘的加工状态变得重要。以往，提出了一种适合于半导体集成电路的高集成化的晶片的倒角部加工方法等(日本特开平10-100050号公报:专利文献I)。在该加工方法中，一边使圆筒状或者圆柱状的砂轮与倒角部由定向平面(以下适当地称为OF)部、外周部以及角部构成的晶片相互旋转一边使其以规定的按压力压接，根据软磨削位置是OF部、外周部、还是角部来改变晶片的旋转速度并且分别对晶片的OF部、外周部以及角部进行软磨削，之后，分别对晶片的OF部、外周部以及角部进行研磨，从而在倒角部整体范围内进行均匀的软磨削。另外，以往，提出了一种用于使用研磨带来研磨半导体晶片的凹口(notch)和斜面的装置及方法(日本特开2006-303112公报:专利文献2)。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开平10-100050号公报专利文献2:日本特开2006-303112公报专利文献3:日本专利第4463326号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题当将砂轮使用于由解理性强的晶体材料构成的晶片的倒角加工时，存在如下问题:由于机械性冲击大而容易产生裂纹、豁口，倒角部的加工状态不充分，在对晶片的主面进行镜面研磨时，因倒角部的缺口等而导致容易产生裂纹。通过使用研磨带来研磨晶片的周缘，能够除去边缘部等的无法视觉辨认的微小缺口，从而能够进行高精度的倒角加工。然而，在以往的使用研磨带的研磨方法中，存在以下问题^OF的一端部(圆弧状部与OF的边界)周边容易产生塌角，并且由于晶片的晶体取向、晶面等导致研磨率产生差异，从而晶片的圆度降低。特别是，当使用研磨带对由软质的化合物材料等构成的晶片的周缘进行研磨时，晶片的外径容易变得不均匀，从而存在在后续的制造工序中晶片的定心精度下降等、无法充分满足加工标准的隐患。鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供以下方法:不会降低晶片的圆度地使用研磨带对具有表不晶体取向的定向平面(OF)和凹口的圆板状的晶片的周缘尚精度地进彳丁研磨加工，来制造充分满足加工标准的圆形晶片的方法，其中该晶片由晶体材料构成。用于解决课题的手段用于解决上述课题的本专利技术的一个实施方式是一种圆形晶片的制造方法，其通过使用研磨带对由晶体材料构成且具有定向平面和外周部的圆板状的晶片的周缘进行研磨来制造圆形晶片，该制造方法的特征在于，包括以下工序:一次研磨工序，一边使在具有铅垂的旋转轴的水平的晶片台上进行定心而配置的晶片的外周部与研磨体抵接一边使晶片台旋转，由此对外周部进行研磨；沿着外周部测定一次研磨后的晶片的半径，设定该测定的半径中的最小半径以下的半径，沿着外周部确定该设定的半径与所测定的晶片的半径的差即Ar的工序；确定Ar比规定值大的一次研磨后的晶片的外周部的部分的工序；以及二次研磨工序，使一次研磨后的晶片的外周部与研磨体抵接，使晶片台在规定的旋转角度的范围内绕旋转轴进行正转及反转，由此对一次研磨后的晶片的外周部进行研磨，研磨体包括研磨带而构成，该研磨带通过配置于平坦的研磨垫而划分出平坦的研磨面，在二次研磨工序中，以定向平面与研磨面不会变为平行的方式，使晶片台和研磨面沿着水平轴线相对摆动，使晶片台的正转或者反转的速度在与所确定的晶片的外周部的部分对应的旋转角度的范围内降低。通过像这样对具有OF和外周部的晶片的周缘进行研磨，能够充分减小因晶片的外周部的晶体取向等引起的研磨率的偏差，另外，由于一边使晶片进行正转反转一边进行研磨，因此能够防止研磨体与晶片的周缘之间的间歇性接触，从而能够进行均匀的研磨加工。使晶片正转反转的研磨至少在二次研磨工序中进行，也可以在一次研磨工序、二次研磨工序中均进行。晶片可以是由硅(S1、S01、单晶硅、多晶硅)、化合物(GaN、SiC、GaP, GaAs, GaSb,InP、InAs, InSb、ZnS、ZnTe 等)、氧化物(LiTaO3 (LT)、LiNbO3 (LN)、Ga203、MgO、ZnO、蓝宝石、水晶等)、玻璃(碱石灰玻璃、无碱玻璃、硼硅玻璃、冕玻璃、硅酸盐玻璃(硅石)、石英玻璃等)材料构成的晶片。晶片也可以是半导体晶片。圆形晶片可以是正圆的晶片。或者，也可以是与由SEMI (SemiconductorEquipment and Materials Internat1nal:国际半导体设备与材料组织)等业界团体标准化的晶片尺寸相应的具有允许范围的误差的圆形，也可以是其他规格或者具有满足与晶片尺寸、材料等相应的加工标准的范围的误差的圆形。优选的是，至少在二次研磨工序中，使晶片台在如下范围内进行正转及反转，即，晶片的圆弧状的外周部的一部分被直线状地研磨的旋转角度的范围内。这种旋转角度可以是由OF的两端部和晶片的中心形成的角度。或者，也可以是由分别位于OF的两端部附近的外周部上的两个点和晶片的中心形成的角度。在该情况下，为了去除被研磨成直线状的外周部，优选还通过使定向平面与研磨面进行抵接并沿着水平轴线直线地相对摆动来对定向平面进行研磨。由此，能够得到具有充分圆度的圆形晶片。如上所述那样形成的圆形晶片的OF长度等优选满足SEMI等的标准或加工标准。或者，也可以是，在二次研磨工序中，使晶片台在如下范围内进行正转及反转，即，晶片的圆弧状的外周部整体被圆弧状地研磨的旋转角度的范围内。在该情况下，优选通过适度的按压力等来防止研磨体与晶片周缘之间的间歇性接触。本专利技术所涉及的其他实施方式是一种圆形晶片的制造方法，其通过使用研磨带对由晶体材料构成且具有定向平面和外周部的圆板状的晶片的周缘进行研磨来制造圆形晶片，该制造方法的特征在于，包括以下工序，即，使在具有铅垂的旋转轴的水平晶片台上进行定心而配置的晶片的外周部与研磨体抵接，使晶片台在规定的旋转角度的范围内绕旋转轴进行正转及反转，由此对晶片的外周部进行研磨的工序，研磨体包括研磨带而构成，该研磨带通过配置于平坦的研磨垫而划分出平坦的研磨面，在进行研磨的工序中，以定向平面与研磨面不会变为平行的方式，使晶片台和研磨面沿着水平轴线相对摆动，使晶片台的正转或者反转的速度在与晶片的预先确定的外周部的部分对应的旋转角度的范围内降低。晶片的外周部的部分例如可以是通过对一个晶片进行测试研磨而根据如上所述那样所设定的半径与所测定的半径的差来预先确定的。由此，能够省略由晶体取向引起周缘的研磨率的偏差的由相同晶体材料构成的晶片(例如从同一结晶块切出的晶片)的一次研磨工序以及确定外周部的部分的工序从而能够高效地制造圆形晶片。本专利技术的另一个实施方式是一种圆形晶片的制造方法，其通过使用研磨带对由晶体材料构成的圆板状的晶片的圆弧状的周缘进行研磨来制造圆形晶片，该制造方法包括以下工序:沿着本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种圆形晶片的制造方法，其通过使用研磨带对由晶体材料构成且具有定向平面和外周部的圆板状的晶片的周缘进行研磨来制造圆形晶片，该制造方法包括以下工序：一次研磨工序，一边使在具有铅垂的旋转轴的水平的晶片台上进行定心而配置的晶片的外周部与研磨体抵接一边使所述晶片台旋转，由此对所述外周部进行研磨；沿着外周部测定所述一次研磨后的晶片的半径，设定该测定的半径中的最小半径以下的半径，沿着所述外周部确定该设定的半径与所述测定的晶片的半径的差即Δr的工序；确定所述Δr比规定值大的所述一次研磨后的晶片的外周部的部分的工序；以及二次研磨工序，使所述一次研磨后的晶片的外周部与所述研磨体抵接，使所述晶片台在规定的旋转角度的范围内绕所述旋转轴进行正转及反转，由此对所述一次研磨后的晶片的外周部进行研磨，所述研磨体包括研磨带而构成，该研磨带通过配置于平坦的研磨垫而划分出平坦的研磨面，在所述二次研磨工序中，以所述定向平面与所述研磨面不会变为平行的方式，使所述晶片台和所述研磨面沿着水平轴线相对摆动，使所述晶片台的所述正转或者所述反转的速度在与所述确定的晶片的外周部的部分对应的旋转角度的范围内降低。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山口直宏，
申请(专利权)人：米波克斯株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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