一种阴极发射体制造技术

本实用新型专利技术公开了一种阴极发射体，所述阴极发射体包括发射基体和浸渍物，所述发射基体有孔隙，所述浸渍物置于发射体的孔隙中，所述发射基体的孔隙有不同的孔度，所述发射体基体的工作面孔隙的孔度小于发射基体的其它部份孔隙的孔度，本实用新型专利技术在发射电流（4.5～５）A，热循环冲击累计10000次条件下，阴极发射体正常工作寿命达到10000小时以上。

【技术实现步骤摘要】

    本技术涉及一种阴极，具体涉及一种热阴极。
技术介绍
阴极在很多电子器件中得到广泛应用，是电子器件中的电子发射源，是电子器件的重要组成部分。在一些电子器件中，比如霍尔推进器在工作时，先是将发射体缓慢加热，当发射体温度达到发射温度时，发射体产生足够热电子，热电子用来电离进入阴极管内的中性气体，对控制极加点火电压，使离子向发射体运动轰击发射体，维持发射体温度，然后关闭电源，进入自持放电状态，此时，阴极发射体处于高温工作状态，导致阴极在工作较长时间后发射性能将会发生减少，影响发射寿命；而作为一些需要长时间工作的电子器件，比如电推进霍尔推力器，要求寿命至少达到8000小时以上，目前现有的发射体不能满足长寿命的要求。
技术实现思路
鉴于上述情况，为解决上述问题，本技术提供一种阴极发射体，所述阴极发射体包括发射基体和浸渍物，所述发射基体有孔隙，所述浸渍物置于发射体的孔隙中，所述发射基体的孔隙有不同的孔度，所述发射体基体的工作面孔隙的孔度小于发射基体的其它部份孔隙的孔度。所述的阴极发射体是中间为空心的管状结构，从内到外依次为发射体内层和发射体外层，所述发射体内层孔隙的孔度小于发射体外层孔隙的孔度。所述的阴极发射体由钨材料制成，所述浸渍物是铝酸盐。采用本技术的技术方案后现有技术相比，具备如下优点和有益效果：在发射电流（4.5～５）A，热循环冲击累计10000次条件下，本技术所述的阴极发射体正常工作寿命达到10000小时以上。附图说明解图1本技术实施例的结构示意图；图2 本技术实施例的结构实物放大图。图中，1-发射体，2-发射体外层，3-发射体内层，4-发射基体，5-浸渍物。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明。本实施例提供一种阴极发射体，其结构如图1所示，结构放大图如图2所示，本实施例所述阴极发射体包括钨材料制成的发射基体和铝酸盐浸渍物，所述发射基体有孔隙，所述浸渍物铝酸盐置于发射体的孔隙中，所述发射基体的孔隙有不同的孔度，所述发射体基体的工作面孔隙的孔度小于发射基体的其它部份孔隙的孔度，本实施例中，所述阴极发射体是中间为空心的管状结构，从内到外依次为发射体内层和发射体外层，所述阴极发射体的工作面是内层的表面，所述发射体内层孔隙的孔度小于发射体外层孔隙的孔度。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阴极发射体，其特征在于，所述阴极发射体包括发射基体和浸渍物，所述发射基体有孔隙，所述浸渍物置于发射体的孔隙中，所述发射基体的孔隙有不同的孔度，所述发射体基体的工作面孔隙的孔度小于发射基体的其它部份孔隙的孔度。

【技术特征摘要】
1.一种阴极发射体，其特征在于，所述阴极发射体包括发射基体和浸渍物，所述发射基体有孔隙，所述浸渍物置于发射体的孔隙中，所述发射基体的孔隙有不同的孔度，所述发射体基体的工作面孔隙的孔度小于发射基体的其它部份孔隙的孔度。
2.如权利要求1所述的一种阴极发射...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐海宸，
申请(专利权)人：成都国光电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51