本发明专利技术提供一种MOS管阱电阻的测量装置及测量方法，应用于MOS管制造工艺技术领域，其中，该装置包括RC振荡器、频率测量单元和计算单元；所述RC振荡器包括RC电路，用于控制RC振荡器的振荡频率；所述RC电路包括第一电阻接入端子和第二电阻接入端子，用于连接所述MOS管的阱电阻的两端；所述RC振荡器的输出端子与所述频率测量单元的输入端子连接；所述频率测量单元用于测量所述RC振荡器的振荡频率；所述计算单元用于根据所述频率测量单元测量的振荡频率计算所述MOS管的阱电阻。本发明专利技术的方案通过对MOS管阱电阻阻值进行测量，来监测阱电阻的阻值波动对MOS管的影响。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体MOS管制造工艺
，特别是涉及一种MOS管阱电阻的测 量装置及测量方法。
技术介绍
半导体低压铝栅MOS工艺通常由四种电阻，分别为P+电阻，N+电阻，Nsub电阻及 P阱电阻，后两种一般定义为N-、P_。 其中，P+、N+这两种电阻多为形成MOS管的源漏结构及欧姆接触位置的浓度要求， 两电阻的阻值较小，掺杂浓度较高，一般N+浓度高于P+浓度，这主要考虑到MOS管的导通 电阻及PN结击穿电压及驱动电流的要求。 N-、P-这两种电阻阻值相对较高，属于淡掺杂，这主要考虑到产品的应用电压，阈 值电压，产品频率等要求而选择不同的N-、P-电阻。 在MOS管制造过程中，N+杂质浓度为2. 0E20/cm3,P+杂质的浓度为8. 5E18/cm3,P 阱杂质的浓度为I. 2E16/cm3,Nsub杂质的浓度为8.OElVcm3，依次递减。 P阱方块电阻值多为5000-6000ohm/sq，P+方块电阻值多为500-700ohm/sq，N+方 块电阻值多为30_40ohm/sq，而Nsub为衬底材料，其电阻率多为2. 0-7.Oohm.cm。可见P讲 的方块电阻值相对较高，设计上一般喜欢用P阱做电阻，因为可用很小的面积就能得到较 高的电阻值，这样可以节省资源，降低成本。 然而工艺生产上最容易变化的是P阱电阻值，因其是淡掺杂，容易离散，当客户要 求高阻P阱的时候，情况将变得更糟。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种MOS管阱电阻的测量装置及测量方法，能够 解决现有MOS管制造时，P阱电阻阻值的波动对MOS管的影响监测不足的问题。 为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供一种MOS管阱电阻的测量装置，其中， 该装置包括： RC振荡器、频率测量单元和计算单元； 所述RC振荡器包括RC电路，用于控制RC振荡器的振荡频率；所述RC电路包括第 一电阻接入端子和第二电阻接入端子，用于连接所述MOS管的阱电阻的两端； 所述RC振荡器的输出端子与所述频率测量单元的输入端子连接； 所述频率测量单元用于测量所述RC振荡器的振荡频率； 所述计算单元用于根据所述频率测量单元测量的振荡频率计算所述MOS管的阱 电阻。 进一步地，所述RC电路还包括第一电容接入端子和第二电容接入端子，用于连接 所述MOS管的栅极氧化层电容的两端。 进一步地，所述第一电阻接入端子和第二电容接入端子连接，形成一连接点； 所述装置还包括一延时模块； 所述延时模块连接在所述连接点和第一电容接入端子之间，用于将所述连接点的 信号延迟传输至所述第一电容接入端子； 所述第一电容接入端子通过奇数个反相器连接所述第二电阻接入端子，用于将所 述第一电容接入端子的信号反相传输至所述第二电阻接入端子。 进一步地，所述延时模块包括一具有第一输入端、第二输入端与第一输出端的RS 触发器；所述第一输入端通过奇数个反相器与所述连接点连接，所述第二输入端通过偶数 个反相器与所述连接点连接；所述第一输出端通过若干个反相器与所述第一电容接入端子 连接。 进一步地，所述第二电阻接入端子连接若干个反相器。 为了解决上述技术问题，本专利技术的实施例还提供一种MOS管阱电阻的测量方法， 其中，该方法包括： 提供一RC振荡器，所述RC振荡器包括RC电路，用于控制RC振荡器的振荡频率， 所述RC电路包括第一电阻接入端子和第二电阻接入端子； 将MOS管的阱电阻通过所述第一电阻接入端子和第二电阻接入端子接入所述RC 电路中； 测量所述RC振荡器的振荡频率； 根据所述振荡频率计算MOS管的阱电阻。 进一步地，所述RC电路还包括第一电容接入端子和第二电容接入端子； 所述测量方法还包括： 将MOS管的栅氧化层电容通过所述第一电容接入端子和第二电容接入端子接入 所述RC电路中。 进一步地，所述第一电阻接入端子和第二电容接入端子连接，形成一连接点； 所述测量方法还包括： 将所述连接点的信号通过一延时模块延时传输至所述第一电容接入端子；将所述 第一电容接入端子通过奇数个反相器与所述第二电阻接入端子连接，用于将所述第一电容 接入端子的信号反相传输至所述第二电阻接入端子。 本专利技术的有益效果是： 本专利技术的方案通过对MOS管阱电阻进行测量，来监测阱电阻的阻值波动对MOS管 的影响。【附图说明】 图1表示本专利技术实施例的MOS管阱电阻的测量装置的组成框图； 图2表示本专利技术实施例的MOS管阱电阻的测量装置中RC振荡器的电路示意图； 图3表示本专利技术实施例的MOS管阱电阻测量装置中RC振荡器的输出端子信号的 时序图； 图4表示本专利技术实施例的MOS管阱电阻测量方法的流程图。【具体实施方式】 为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对 本专利技术进行详细描述。 本专利技术针对现有MOS管制造时，P阱电阻阻值的波动对MOS管的影响监测不足的问 题，提供一种MOS管阱电阻的测量装置，其中，该装置包括RC振荡器、频率测量单元和计算 单元；所述RC振荡器包括RC电路，用于控制RC振荡器的振荡频率；所述RC电路包括第一 电阻接入端子和第二电阻接入端子，用于连接所述MOS管的阱电阻的两端；所述RC振荡器 的输出端子与所述频率测量单元的输入端子连接；所述频率测量单元用于测量所述RC振 荡器的振荡频率；所述计算单元用于根据所述频率测量单元测量的振荡频率计算所述MOS 管的阱电阻。本专利技术的方案通过对MOS管阱电阻进行测量，来监测阱电阻的阻值波动对MOS 管的影响。 下面将结合具体实施例对本专利技术作详细说明： 如图1所述，本专利技术实施例的一种MOS管阱电阻测量装置，包括RC振荡器1、频率 测量单元2、当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种MOS管阱电阻的测量装置，其特征在于，包括RC振荡器、频率测量单元和计算单元；所述RC振荡器包括RC电路，用于控制RC振荡器的振荡频率；所述RC电路包括第一电阻接入端子和第二电阻接入端子，用于连接所述MOS管的阱电阻的两端；所述RC振荡器的输出端子与所述频率测量单元的输入端子连接；所述频率测量单元用于测量所述RC振荡器的振荡频率；所述计算单元用于根据所述频率测量单元测量的振荡频率计算所述MOS管的阱电阻。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋秀海，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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