本发明专利技术适用于电源领域，尤其涉及一种移动电源及其充电电路。在本发明专利技术中，本移动电源的充电电路包括储能电池以及分别与储能电池、电源和用电设备连接的充电控制单元，移动电源的充电电路还包括与充电控制单元连接的开关控制单元，充电控制单元采用充电控制芯片，充电控制芯片的两个管脚分别以一定频率输出高低电平的电压，分别控制两组MOS管导通，从而升高了移动电源对外部用电设备的充电电压，进一步提高了对外部用电设备的充电电流，从而使得移动电源可以同时对多个设备充电。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电源领域，尤其涉及一种移动电源及其充电电路。
技术介绍
手机作为一种常用的移动终端被广泛地应用在人们的日常生活当中，随着手机的广泛应用，人们对手机电量的需求也越来越大，而移动电源作为最合适的电量供给装备，也获得了越来越多地应用。人们对移动电源的认知度越来越高，智能手机覆盖集中的地方就是移动电源普及度最高的地方，在不少中心大城市，移动电源已经成为上班一族以及很多青年人的必备物品O然而，目前市场上移动电源最大输出电流只能达到2.0A，由于输出电流的限制，不能同时对多个设备充电。这样当多个用电设备需要充电时，便不是很方便。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种移动电源的充电电路，旨在解决现在的移动电源存在受输出电流的限制，不能同时对多个设备充电的问题。本专利技术实施例是这样实现的，一种移动电源的充电电路，所述移动电源的充电电路包括储能电池以及分别与所述储能电池、电源和用电设备连接的充电控制单元，所述移动电源的充电电路还包括与所述充电控制单元连接的开关控制单元，用于激发所述充电控制单元对所述用电设备充电；所述充电控制单元包括:充电控制芯片U1、P型MOS管芯片U2、P型MOS管芯片U3、P型MOS管Q1、P型MOS管 Q2、P 型 MOS 管 Q3、P 型 MOS 管 Q4 ;所述充电控制芯片Ul的第一控制端CTRLl同时接所述P型MOS管Ql和P型MOS管Q2的栅极，所述P型MOS管Ql和P型MOS管Q2的漏极同时接所述储能电池，所述P型MOS管Ql和P型MOS管Q2的源极同时接所述P型MOS管Q3和P型MOS管Q4的源极，所述P型MOS管Q3的漏极接所述用电设备，所述P型MOS管Q4的漏极接所述电源，所述充电控制芯片Ul的第三控制端CTRL3接所述P型MOS管Q3的栅极，所述充电控制芯片Ul的第四控制端CTRL4接所述P型MOS管Q4的栅极，所述充电控制芯片Ul的第二控制端CTRL2同时接所述P型MOS管芯片U2和P型MOS管芯片U3的栅极，所述P型MOS管芯片U2和P型MOS管芯片U3的源极同时接地，并且所述P型MOS管芯片U2和P型MOS管芯片U3的源极同时通过电容接所述储能电池。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种移动电源，所述移动电源包括移动电源的充电电路，所述移动电源的充电电路包括储能电池以及分别与所述储能电池、电源和用电设备连接的充电控制单元，所述移动电源的充电电路还包括与所述充电控制单元连接的开关控制单元，用于激发所述充电控制单元对所述用电设备充电；所述充电控制单元包括:充电控制芯片U1、P型MOS管芯片U2、P型MOS管芯片U3、P型MOS管Q1、P型MOS管 Q2、P 型 MOS 管 Q3、P 型 MOS 管 Q4 ;所述充电控制芯片Ul的第一控制端CTRLl同时接所述P型MOS管Ql和P型MOS管Q2的栅极，所述P型MOS管Ql和P型MOS管Q2的漏极同时接所述储能电池，所述P型MOS管Ql和P型MOS管Q2的源极同时接所述P型MOS管Q3和P型MOS管Q4的源极，所述P型MOS管Q3的漏极接所述用电设备，所述P型MOS管Q4的漏极接所述电源，所述充电控制芯片Ul的第三控制端CTRL3接所述P型MOS管Q3的栅极，所述充电控制芯片Ul的第四控制端CTRL4接所述P型MOS管Q4的栅极，所述充电控制芯片Ul的第二控制端CTRL2同时接所述P型MOS管芯片U2和P型MOS管芯片U3的栅极，所述P型MOS管芯片U2和P型MOS管芯片U3的源极同时接地，并且所述P型MOS管芯片U2和P型MOS管芯片U3的源极同时通过电容接所述储能电池。在本专利技术实施例中，本移动电源的充电电路包括储能电池以及分别与储能电池、电源和用电设备连接的充电控制单元，移动电源的充电电路还包括与充电控制单元连接的开关控制单元，充电控制单元采用充电控制芯片U1，充电控制芯片Ul的两个管脚分别以一定频率输出高低电平的电压，分别控制两组MOS管导通，从而升高了移动电源对外部用电设备的充电电压，进一步提高了对外部用电设备的充电电流，从而使得移动电源可以同时对多个设备充电。【附图说明】图1是本专利技术实施例提供的移动电源的充电电路的模块结构图；图2是本专利技术实施例提供的移动电源的充电电路的电路结构图。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图1示出了本专利技术实施例提供的移动电源的充电电路的模块结构，为了便于说明，仅示出了与本专利技术实施例相关的部分。一种移动电源的充电电路，所述移动电源的充电电路包括储能电池3以及分别与所述储能电池3、电源和用电设备连接的充电控制单元2，所述移动电源的充电电路还包括与所述充电控制单元2连接的开关控制单元I，用于激发所述充电控制单元2对所述用电设备充电；作为本专利技术一实施例，所述移动电源的充电电路还包括与所述储能电池3并联的电池保护单元4，用于对所述储能电池3进行过充、过放、过流、短路保护。图2示出了本专利技术实施例提供的移动电源的充电电路的电路结构，为了便于说明，仅示出了与本专利技术实施例相关的部分。作为本专利技术一实施例，所述充电控制单元2包括:充电控制芯片U1、P型MOS管芯片U2、P型MOS管芯片U3、P型MOS管Q1、P型MOS管 Q2、P 型 MOS 管 Q3、P 型 MOS 管 Q4 ;所述充电控制芯片Ul的第一控制端CTRLl同时接所述P型MOS管Ql和P型MOS管Q2的栅极，所述P型MOS管Ql和P型MOS管Q2的漏极同时接所述储能电池3，所述P型MOS管Ql和P型MOS管Q2的源极同时接所述P型MOS管Q3和P型MOS管Q4的源极，所述P型MOS管Q3的漏极接所述用电设备，所述P型MOS管Q4的漏极接所述电源，所述充电控制芯片Ul的第三控制端CTRL3接所述P型MOS管Q3的栅极，所述充电控制芯片Ul的第四控制端CTRL4接所述P型MOS管Q4的栅极，所述充电控制芯片Ul的第二控制端CTRL2同时接所述P型MOS管芯片U2和P型MOS管芯片U3的栅极，所述P型MOS管芯片U2和P型MOS管芯片U3的源极同时接地，并且所述P型MOS管芯片U2和P型MOS管芯片U3的源极同时通过电容接所述储能电池3。作为本专利技术一实施例，所述充电控制芯片Ul采用型号为JC801IQ的芯片，当然还可以采用其它型号的芯片。作为本专利技术一实施例，所述开关控制单元I包括:开关K1、电阻R1、电阻R2、电容Cl和N型MOS管Q5 ；所述开关Kl的第一端通过所述电阻Rl接所述储能电池3，所述开关Kl的第二端通过并联的所述电阻R2和电容Cl接地，所述N型MOS管Q5的栅极接所述开关Kl和电容Cl的公共连接端，所述N型MOS管Q5的源极接地，所述N型MOS管Q5的漏极接所述充电控制芯片Ul的使能端EN。作为本专利技术一实施例，所述充电控制单元2还包括用于显示移动电源电量的指示灯L1、指示灯L2、指示灯L3和指示灯L4，所述指示灯L1、指示灯L2、指示灯L3和当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种移动电源的充电电路，其特征在于，所述移动电源的充电电路包括储能电池以及分别与所述储能电池、电源和用电设备连接的充电控制单元，所述移动电源的充电电路还包括与所述充电控制单元连接的开关控制单元，用于激发所述充电控制单元对所述用电设备充电；所述充电控制单元包括：充电控制芯片U1、P型MOS管芯片U2、P型MOS管芯片U3、P型MOS管Q1、P型MOS管Q2、P型MOS管Q3、P型MOS管Q4；所述充电控制芯片U1的第一控制端CTRL1同时接所述P型MOS管Q1和P型MOS管Q2的栅极，所述P型MOS管Q1和P型MOS管Q2的漏极同时接所述储能电池，所述P型MOS管Q1和P型MOS管Q2的源极同时接所述P型MOS管Q3和P型MOS管Q4的源极，所述P型MOS管Q3的漏极接所述用电设备，所述P型MOS管Q4的漏极接所述电源，所述充电控制芯片U1的第三控制端CTRL3接所述P型MOS管Q3的栅极，所述充电控制芯片U1的第四控制端CTRL4接所述P型MOS管Q4的栅极，所述充电控制芯片U1的第二控制端CTRL2同时接所述P型MOS管芯片U2和P型MOS管芯片U3的栅极，所述P型MOS管芯片U2和P型MOS管芯片U3的源极同时接地，并且所述P型MOS管芯片U2和P型MOS管芯片U3的源极同时通过电容接所述储能电池。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘良春，
申请(专利权)人：深圳市倍斯特电源有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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