一种双层棒芯铂电阻制造技术

技术编号:11688911 阅读:113 留言:0更新日期:2015-07-07 22:32
一种双层棒芯铂电阻,包括引线、内芯、绕组和保护层,其特征在于,所述的内芯为空心高铝瓷管,绕组的两端与引线相连接,所述保护层为聚酰亚胺薄膜,包裹在内芯和绕组的外面。其特殊之处是,在内芯的外表面上有螺旋形凹槽,绕组缠绕在螺旋形凹槽中。在绕组的表面上还有一层聚酰亚胺薄膜绝缘层,以提高铂电阻的绝缘强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种钼电阻。尤其涉及一种测量用钼电阻。
技术介绍
测量用钼电阻是一种常用的感温元件。现有技术中的测量用钼电阻由引线、绕组、内芯及保护层构成。其中,引线和绕组用钼制作,绕组为螺旋形薄膜,或用钼丝按照一定的间距缠绕而成,内芯为陶瓷空心管,绕组缠绕在内芯上,其两端与引线相连接,保护层为釉层,经二次高温烧结而成。这种钼电阻加工难度大,使用寿命短,灵敏度不高,且陶瓷内芯强度低,无法适用于复杂条件下的测温,从而限制了其应用。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是,克服现有测量用钼电阻存在的加工难度大、体积大、灵敏度低、绝缘强度低、耗电量大等问题,提供一种加工简单、体积小、柔软、绝缘强度高、耗电量小、灵敏度高、抗拉防震性能好的测量用钼电阻。为解决上述所存在的问题,本专利技术提供了一种测量用钼电阻,包括引线、内芯、绕组和保护层,其特征在于,所述的内芯为空心高铝瓷管,绕组的两端与引线相连接,所述保护层为聚酰亚胺薄膜,包裹在内芯和绕组的外面。其特殊之处是,在内芯的外表面上有螺旋形凹槽,绕组缠绕在螺旋形凹槽中。在绕组的表面上还有一层聚酰亚胺薄膜绝缘层,以提高钼电阻的绝缘强度。本专利技术的优点在于,制作工艺简单,采用一次整体烧结工艺,简化了生产工序,并在内芯的外表面上设置螺旋形凹槽,既便于缠绕,又易于控制间距,还减小了钼电阻的直径,提高了钼电阻的灵敏度,并有助于提高钼电阻的抗震能力;在绕组的表面上设置高密度绝缘层,不仅提高了钼电阻的绝缘性能和防腐蚀能力,也提高了钼电阻的抗拉和防震能力,从而延长了使用寿命,并使其同样环境下的耗电量降到了最低。此外,本专利技术所述钼电阻比较柔软,适用于曲面物体和平面物体的测温。【具体实施方式】下面将结合具体实施例来详细说明本专利技术,此为本专利技术的示意性实施例用来说明解释本专利技术,但并不作为对本专利技术的限定。本专利技术包括引线、内芯、绕组和保护层,所述的内芯为空心高铝瓷管,在内芯的外表面上有螺旋形凹槽,绕组缠绕在螺旋形凹槽中;所述的绕组用钼丝绕制而成,在绕组的表面上还有一层聚酰亚胺薄膜绝缘层,以提高钼电阻的绝缘强度;绕组的两端与引线相连接,其连接点嵌入到内芯两端的内孔中,使连接点更加牢固可靠,增大抗拉强度和防震能力;所述保护层为聚酰亚胺层,保护层包裹在内芯和绕组的外面,经一次烧结而成。【主权项】1.一种测温钼电阻,包括引线、内芯、绕组和保护层,所述的内芯为空心高铝瓷管,在内芯的外表面上有螺旋形凹槽,绕组缠绕在螺旋形凹槽中。2.如权利要求1所述的钼电阻,绕组用钼丝绕制而成,在绕组的表面上还有一层聚酰亚胺薄膜绝缘层,以提高钼电阻的绝缘强度;绕组的两端与引线相连接,其连接点嵌入到内芯两端的内孔中,使连接点更加牢固可靠,增大抗拉强度和防震能力。3.如权利要求1所述的钼电阻,保护层为聚酰亚胺层,保护层包裹在内芯和绕组的外面,经一次烧结而成。【专利摘要】一种双层棒芯铂电阻,包括引线、内芯、绕组和保护层,其特征在于,所述的内芯为空心高铝瓷管,绕组的两端与引线相连接,所述保护层为聚酰亚胺薄膜,包裹在内芯和绕组的外面。其特殊之处是,在内芯的外表面上有螺旋形凹槽,绕组缠绕在螺旋形凹槽中。在绕组的表面上还有一层聚酰亚胺薄膜绝缘层,以提高铂电阻的绝缘强度。【IPC分类】G01K7-18【公开号】CN104748880【申请号】CN201310756276【专利技术人】张朝晖 【申请人】天津科诺仪器设备有限公司【公开日】2015年7月1日【申请日】2013年12月30日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测温铂电阻,包括引线、内芯、绕组和保护层,所述的内芯为空心高铝瓷管,在内芯的外表面上有螺旋形凹槽,绕组缠绕在螺旋形凹槽中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张朝晖
申请(专利权)人:天津科诺仪器设备有限公司
类型:发明
国别省市:天津;12

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