本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，电子注入层包括层叠于电子传输层上的金属硫化物层，层叠于金属硫化物层上的富勒烯掺杂层及层叠于富勒烯掺杂层上的金属硫化物掺杂层。上述有机电致发光器件的电子注入层可有效提高光线的透过率，提高膜层的成膜性，降低电子的注入势垒，提高电子的传输效率，提高光的反射效率，阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭，从而提高该有机电致发光器件的发光效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机电致发光器件领域，特别是涉及一种。
技术介绍
有机电致发光(Organic Light Emiss1n D1de),以下简称0LED,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是国内外众多研究者的关注重点。但是，传统的有机电致发光器件，电子传输速率比空穴传输速率低两三个数量级，因此发光效率都较低。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的有机电致发光器件发光效率低的问题，提供一种发光效率高的有机电致发光器件。进一步，提供一种有机电致发光器件的制备方法。一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层包括层叠于所述电子传输层上的金属硫化物层，层叠于所述金属硫化物层上的富勒烯掺杂层及层叠于所述富勒稀惨杂层上的金属硫化物层；所述金属硫化物层的材料为硫化锋、硫化铺、硫化续或硫化铜；所述富勒烯掺杂层的材料包括富勒烯衍生物和金属，所述富勒烯衍生物为足球烯、碳70、-苯基-C61- 丁酸甲酯或-苯基-C71- 丁酸甲酯，所述金属的功函数为-2.0?-3.5eV ;所述金属硫化物掺杂层的材料包括金属硫化物和空穴掺杂客体材料，所述金属硫化物为硫化锋、硫化铺、硫化续或硫化铜。在其中一个实施例中，所述富勒烯衍生物与所述金属的质量比为5:1?10:1，所述金属硫化物与所述空穴掺杂客体材料的质量比为20:1?30:1。在其中一个实施例中，所述金属为镁、锶、钙或镱。在其中一个实施例中，所述空穴掺杂客体材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺或二萘基-N，N’ - 二苯基-4, 4，-联苯二胺。在其中一个实施例中，所述金属硫化物层的厚度为Inm?1nm,所述富勒烯掺杂层的厚度为20nm?60nm,所述金属硫化物掺杂层的厚度为30nm?80nm。在其中一个实施例中，所述阳极的厚度为50nm?300nm,所述空穴注入层的厚度为20nm?80nm,所述空穴传输层的厚度为20nm?60nm,所述发光层的厚度为5nm?40nm,所述电子传输层的厚度为40nm?250nm,所述阴极的厚度为80nm?250nm。上述有机电致发光器件的电子注入层包括依次层叠的金属硫化物层、富勒烯掺杂层及金属硫化物掺杂层。其中，金属硫化物层中的金属硫化物可提高膜层平整度，且在可见光范围内透过率较高，可有效提高光纤的透过率。富勒烯掺杂层中的富勒烯衍生物可提高膜层的成膜性，且是富电子材料，有利于提高电子传输速率，低功函数金属则可降低电子的注入势垒，有利于电子的注入，提高电子注入能力，同时，载流子较多，可提高电子的传输速率。金属硫化物掺杂层中的金属硫化物则可对光进行反射，提高光的反射效率，从而提高出光效率，而空穴掺杂客体材料的HOMO能级很低，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子复合而发生淬灭，有利于提高器件的发光效率。一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:在玻璃基底上磁控溅射制备阳极；在所述阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层；在所述电子传输层上依次蒸镀制备金属硫化物层、富勒烯掺杂层和金属硫化物掺杂层，得到层叠于所述电子传输层上的电子注入层，其中，所述金属硫化物层的材料为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜，所述富勒烯掺杂层的材料包括富勒烯衍生物和金属，所述富勒烯衍生物为足球烯、碳70、-苯基-C61-丁酸甲酯或-苯基471-丁酸甲酯，所述金属的功函数为-2.0?-3.5eV，所述金属硫化物掺杂层的材料包括金属硫化物和空穴掺杂客体材料，所述金属硫化物为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜 '及在所述金属硫化物掺杂层上蒸镀制备阴极，得到有机电致发光器件。在其中一个实施例中，所述在玻璃基底上磁控溅射制备阳极之前，还包括对玻璃基底进行清洗的步骤；所述清洗的步骤为:将所述玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇清洗，于异丙醇中浸泡12?24小时。在其中一个实施例中，所述在玻璃基底上磁控溅射制备阳极的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为lW/cm2?40W/cm2。在其中一个实施例中，在所述电子传输层上依次蒸镀制备金属硫化物层、富勒烯掺杂层和金属硫化物掺杂层时的工作压强为2X 10_3Pa?5X 10_5Pa。上述有机电致发光器件的电子注入层包括依次层叠的金属硫化物层、富勒烯掺杂层及金属硫化物掺杂层。其中，金属硫化物层中的金属硫化物可提高膜层平整度，且在可见光范围内透过率较高，可有效提高光纤的透过率。富勒烯掺杂层中的富勒烯衍生物可提高膜层的成膜性，且是富电子材料，有利于提高电子传输速率，低功函数金属则可降低电子的注入势垒，有利于电子的注入，提高电子注入能力，同时，载流子较多，可提高电子的传输速率。金属硫化物掺杂层中的金属硫化物则可对光进行反射，提高光的反射效率，从而提高出光效率，而空穴掺杂客体材料的HOMO能级很低，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子复合而发生淬灭，有利于提高器件的发光效率。【附图说明】图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；图3 为实施例1 制备的结构为:玻璃 /IT0/Mo03/NPB/BCzVBi/TPBi/ZnS/C60:Mg/ZnS:F4-TCNQ/Ag的有机电致发光器件与对比例I的结构为:玻璃/IT0/Mo03/NPB/BCzVBi/TPBi/LiF/Ag的器件的亮度与流明效率关系图。【具体实施方式】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100，包括依次层叠的玻璃基底110、阳极120、空穴注入层130、空穴传输层140、发光层150、电子传输层160、电子注入层170及阴极180。阳极120形成于玻璃基底110的表面。阳极120的材料为铟锡氧化物(ΙΤ0)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物(ΙΖ0)。阳极120的厚度为50nm?300nm。优选的，阳极120的材料为ΙΤ0，厚度为120nm。空穴注入层130形成于阳极120的表面。空穴注入层130的材料为三氧化钥(MoO3)、三氧化鹤(WO3)或五氧化二f凡(V2O5)。空穴注入层的厚度为20nm?80nm。优选的，空穴注入层的材料为MoO3，厚度为53nm。空穴传输层140形成于空穴注入层130的表面。空穴传输层140的材料为1，1_ 二苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1_萘基)州州，-二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)。空穴传输层140的厚度为20nm?60nm。优选的，空穴传输层140的材料为NP本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，其特征在于，所述电子注入层包括层叠于所述电子传输层上的金属硫化物层、层叠于所述金属硫化物层上的富勒烯掺杂层及层叠于所述富勒烯掺杂层上的金属硫化物掺杂层；所述金属硫化物层的材料为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜；所述富勒烯掺杂层的材料包括富勒烯衍生物和金属，所述富勒烯衍生物为足球烯、碳70、[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸甲酯或[6,6]‑苯基‑C71‑丁酸甲酯，所述金属的功函数为‑2.0～‑3.5eV；所述金属硫化物掺杂层的材料包括金属硫化物和空穴掺杂客体材料，所述金属硫化物为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，黄辉，陈吉星，王平，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。