一种有机电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件包括依次层叠的玻璃基底、导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述电子注入层包括依次层叠的富勒烯衍生物层、噻吩类化合物层和金属氧化物层，所述富勒烯衍生物层设置在所述电子传输层表面上，所述富勒烯衍生物层的材质为足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯，所述噻吩类化合物层的材质为3-已基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述金属氧化物层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述电子注入层可有效提高器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电致发光领域，特别涉及。
技术介绍
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。1V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.511m/W，寿命大于100小时。OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUM0)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。在传统的有机电致发光器件中，电子传输速率都要比空穴传输速率低两三个数量级，因此，极易造成激子复合几率的低下，并且，使激子复合的区域不在发光区域，从而使器件发光效率降低。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了，所述有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述电子注入层包括依次层叠的富勒烯衍生物层、噻吩类化合物层和金属氧化物层，所述电子注入层可以提高有机电致发光器件的发光效率。第一方面，本专利技术提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述电子注入层包括依次层叠的富勒烯衍生物层、噻吩类化合物层和金属氧化物层，所述富勒烯衍生物层设置在所述电子传输层表面上，所述富勒烯衍生物层的材质为足球烯(C60)、碳70 (C70)、-苯基-C61- 丁酸甲酯(PC61BM)或-苯基-C71- 丁酸甲酯(PC71BM)，所述噻吩类化合物层的材质为3-已基噻吩(3HT)、3-甲基噻吩(3AT)、3-辛基噻吩(30T)或3-十二烷基噻吩(3DDT)，所述金属氧化物层的材质为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)。优选地,所述富勒烯衍生物层的厚度为5nm?20nm,所述噻吩类化合物层的厚度为Inm?1nm,所述金属氧化物层的厚度为20nm?50nm。优选地，所述导电阳极为铟锡氧化物(ΙΤ0)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物玻璃(ΙΖ0)，厚度为50nm?300nm，更优选地，所述导电阳极为ΙΤ0，厚度为120nm。优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5),厚度为20nm?80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为MoO3，厚度为40nm。优选地,所述空穴传输层的材质为1，1-二 苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)，所述空穴传输层的厚度为20nm?60nm，更优选地，所述空穴传输层的材质为NPB，厚度为27nm。优选地，所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，I, 7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3)，厚度为5nm?40nm，更优选地，所述发光层的材质为Alq3,厚度为17nm。优选地，所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、3_(联苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度为40nm?250nm,更优选地,所述电子传输层的材质为TPBi,厚度为105nm。优选地，所述阴极层的材质为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au)，所述阴极层的厚度为80nm?250nm,更优选地,所述阴极层的材质为Ag,厚度为150nm。本专利技术电子注入层包括依次层叠的富勒烯衍生物层、噻吩类化合物层和金属氧化物层，所述富勒烯衍生物是富电子材料，有利于电子的注入和传输，提高电子传输速率，噻吩化合物链段规整，有序，有利于载流子的传输，同时，规整的链段有利于光的散射，使向两侧的光散射回到器件中间，提高出光效率；金属氧化物为双极性金属氧化物，可降低与金属阴极之间的电子注入势垒，提高电子注入效率和电子传输速率，同时，金属氧化物稳定性较高，本专利技术提供的电子注入层可提高有机电致发光器件的发光效率。第二方面，本专利技术提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:(I)提供玻璃基底，清洗后干燥；在所述玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，然后在所述阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；(2)在所述电子传输层上制备电子注入层，所述电子注入层包括依次层叠的富勒烯衍生物层、噻吩类化合物层和金属氧化物层，所述电子注入层的制备包括:在所述电子传输层上采用热阻蒸镀的方法制备富勒烯衍生物层，所述富勒烯衍生物层的材质为足球烯、碳70、-苯基-C61-丁酸甲酯或-苯基471-丁酸甲酯，所述热阻蒸镀时压强为5X 10_5Pa?2X 10_3Pa，所述蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s ；在所述富勒烯衍生物层上采用热阻蒸镀的方法制备噻吩类化合物层，所述噻吩类化合物层的材质为3-已基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述热阻蒸镀时压强为5 X KT5Pa?2 X l(T3Pa，所述蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s ；在所述噻吩类化合物层上采用热阻蒸镀的方法制备金属氧化物层，所述金属氧化物层的材质为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒，所述热阻蒸镀时压强为5X10_5Pa?2 X 10 3Pa,蒸锻速率为 lnm/s ?1nm/s ；(3)在所述电子注入层上采用热阻蒸镀的方法制备阴极，得到所述有机电致发光器件。优选地，所述富勒烯衍生物层的厚度为5nm?20nm，所述噻吩类化合物层的厚度为Inm?1nm,所述金属氧化物层的厚度为20nm?50nm。优选地，采用磁控溅射制备所述阳极时，加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为 lW/cm2 ?40W/cm2。优选地，所述空穴注入层和阴极层的热阻蒸镀条件均为:压强为5X10_5Pa?2 X 10 3Pa,蒸锻速率为 lnm/s ?10nm/s。优选地，所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为:压强为5 X 10 5Pa ?2 X 10 3Pa,蒸镀速率为 0.lnm/s ?lnm/s。优选地，所述清洗后干燥的操作为将玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇和异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干。优选地，所述导电阳极为铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物玻璃(IZO)，厚度为50nm?300nm，更优选地，所述导电阳极为ITO，厚度为120nm。优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5),厚度为20nm?80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为MoO3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，所述电子注入层包括依次层叠的富勒烯衍生物层、噻吩类化合物层和金属氧化物层，所述富勒烯衍生物层设置在所述电子传输层表面上，所述富勒烯衍生物层的材质为足球烯、碳70、[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸甲酯或[6,6]‑苯基‑C71‑丁酸甲酯，所述噻吩类化合物层的材质为3‑已基噻吩、3‑甲基噻吩、3‑辛基噻吩或3‑十二烷基噻吩，所述金属氧化物层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，黄辉，陈吉星，王平，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44