一种有机电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，包括玻璃基底、阳极导电薄膜、有机发光功能层和阴极，有机发光功能层至少包括依次层叠设置在阳极导电薄膜表面的电子阻挡层、发光层和空穴阻挡层；电子阻挡层的材质包括有机硅小分子材料和铁盐，有机硅小分子材料为UGH1，UGH2，UGH3和UGH4中的至少一种，铁盐为FeCl3，FeBr3和Fe2S3中的至少一种；空穴阻挡层的材质包括TiO2。本发明专利技术通过在发光层两侧分别设置电子阻挡层和空穴阻挡层，使电子和空穴有效地限制在发光层中，使电子和空穴的复合界面位于发光层中，防止了部分电子和空穴复合形成的激子的衰减，从而提高了有机电致发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电致发光领域，尤其涉及。
技术介绍
有机电致发光器件(OLED)是电光源中的一种。1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展，这一突破性进展使得有机电致发光器件的研究得以在世界范围内迅速广泛地开展起来。有机电致发光器件的发光原理:首先，有机电致发光器件在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机分子的最低占有分子轨道(LUM0)，同时，空穴从阳极注入到有机分子的最高占有轨道(HOMO);然后，电子与空穴在发光层相遇、复合，形成激子；接着，激子在电场的作用下发生迁移，将能量传递给发光材料，并激发发光材料中的电子从基态跃迁到激发态；最后，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放出光能。对于现有的有机电致发光器件而言，空穴和电子常常穿越发光层分别向阴极和阳极传输，因此，导致空穴和电子复合界面的改变，空穴和电子在复合界面形成激子后向两侧扩散，一部分激子就会扩散到未掺杂发光材料的其他区域，然后衰减，从而不能产生光子，使得有机电致发光器件的发光效率降低。因此，如何使电子和空穴有效地限制在发光层中，防止复合形成的激子的衰减，从而提高有机电致发光器件的发光效率是当今技术人员所要迫切解决的问题之一。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件通过在发光层两侧分别设置电子阻挡层和空穴阻挡层，使电子和空穴有效地限制在发光层中，使电子和空穴的复合界面位于发光层中，防止了部分电子和空穴复合形成的激子的衰减，从而提高了有机电致发光器件的发光效率；本专利技术还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。第一方面，本专利技术提供了一种有机电致发光器件，包括玻璃基底，以及在所述玻璃基底表面依次层叠设置的阳极导电薄膜、有机发光功能层和阴极；所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的电子阻挡层、发光层和空穴阻挡层；所述电子阻挡层的材质包括有机硅小分子材料和铁盐，所述有机硅小分子材料为二苯基二( ο-甲苯基)硅(UGHl)、P- 二 (三苯基硅)苯(UGH2 )、I，3-双(三苯基硅)苯(UGH3 )和P-双(三苯基硅)苯(UGH4)中的至少一种，所述铁盐为氯化铁(FeCl3)、溴化铁(FeBr3)和硫化铁(Fe2S3)中的至少一种；所述空穴阻挡层的材质包括二氧化钛(T12)。电子阻挡层的材质包括有机硅小分子材料和铁盐，其中有机硅小分子材料的LUMO能级较高，能在发光层与阳极间形成较大的电子注入势垒，可阻挡电子穿越发光层向阳极传输，从而使电子被限制在发光层中，防止激子复合界面的改变；铁盐的载流子浓度较高，能够提闻电子的密度，从而提闻电子与空穴的复合几率，进而可以提闻有机电致发光器件的发光效率；空穴阻挡层的材质包括二氧化钛，二氧化钛的HOMO能级很低，能在发光层与阴极极间形成较大的空穴注入能量势垒，可阻挡空穴穿越发光层到阴极一端，从而使空穴也被限制在发光层中，防止激子复合界面的改变，同时二氧化钛的比表面积大，孔隙率高，有利于光的散射，使向两侧的光散射回到中间，从而可以提高有机电致发光器件的出光效率。优选地，所述电子阻挡层中所述有机硅小分子材料和所述铁盐的质量比为10:1 ?30:1。优选地，所述空穴阻挡层中所述二氧化钛(T12)的粒径为20nm。优选地，所述电子阻挡层的厚度为1nm?30nm,所述空穴阻挡层的厚度为20nm?40nmo优选地，所述阳极导电薄膜的材质为铟锡氧化物(ΙΤ0)、掺铝的氧化锌(AZO)或掺铟的氧化锌(IZO);所述阳极导电薄膜的厚度为50nm?300nm。优选地，所述发光层的材质包括4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’-联苯(BCzVBi)和8-羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种；所述发光层的厚度为5nm?40nm。优选地,所述阴极的材质包括银(Ag)、招(Al)、钼(Pt)和金(Au)中的至少一种；所述阴极的厚度为80nm?250nm。优选地，所述有机发光功能层包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。更优选地，所述空穴注入层的材质包括三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)和五氧化二钥;(V2O5)中的至少一种；所述空穴注入层的厚度为20nm?80nm。更优选地，所述空穴传输层的材质包括1，1-二 苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和N，N’ - (1-萘基)_N，N’-二苯基_4，4’-联苯二胺(NPB)中的至少一种；所述空穴传输层的厚度为20nm?60nm。更优选地，所述电子传输层的材质包括4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)和N-芳基苯并咪唑(TPBi)中的至少一种；所述电子传输层的厚度为40nm?250nm。更优选地，所述电子注入层的材质包括氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、碳酸铯(Cs2CO3)和叠氮化铯(CsN3)中的至少一种；所述电子注入层的厚度为0.5nm?10nm。第二方面，本专利技术还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:(I)提供清洁的玻璃基底，采用磁控溅射的方法在所述玻璃基底表面制备阳极导电薄膜；(2)在所述阳极导电薄膜表面制备有机发光功能层，所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的电子阻挡层、发光层和空穴阻挡层；采用真空蒸镀的方法制备所述发光层；采用热阻蒸镀的方法制备所述电子阻挡层，真空度为5X10 —5Pa?2X10 —3Pa,蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s ;采用电子束蒸镀的方法制备所述空穴阻挡层，真空度为5X10 —5Pa?2X10 —3Pa,蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s，功率密度为1ff/cm2 ?100W/cm2 ；所述电子阻挡层的材质包括有机硅小分子材料和铁盐，所述有机硅小分子材料为二苯基二( ο-甲苯基)硅(UGHl)、P- 二 (三苯基硅)苯(UGH2 )、I，3-双(三苯基硅)苯(UGH3 )和P-双(三苯基硅)苯(UGH4)中的至少一种，所述铁盐为氯化铁(FeCl3)、溴化铁(FeBr3)和硫化铁(Fe2S3)中的至少一种；所述空穴阻挡层的材质包括二氧化钛(T12)；(3)采用真空蒸镀的方法在所述有机发光功能层表面制备阴极，得到有机电致发光器件。优选地，步骤(2)中所述电子阻挡层中所述有机硅小分子材料和所述铁盐的质量比为10:1?30:1。优选地，步骤(2)中所述空穴阻挡层中所述二氧化钛(T12)的粒径为20nm。优选地，步骤(2)中所述电子阻挡层的厚度为1nm?30nm，所述空穴阻挡层的厚度为20nm?40nm。[当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括玻璃基底，以及在所述玻璃基底表面依次层叠设置的阳极导电薄膜、有机发光功能层和阴极，其特征在于，所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的电子阻挡层、发光层和空穴阻挡层；所述电子阻挡层的材质包括有机硅小分子材料和铁盐，所述有机硅小分子材料为二苯基二（o‑甲苯基）硅、p‑二（三苯基硅）苯、1,3‑双（三苯基硅）苯和p‑双（三苯基硅）苯中的至少一种，所述铁盐为氯化铁、溴化铁和硫化铁中的至少一种；所述空穴阻挡层的材质包括二氧化钛。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，黄辉，陈吉星，王平，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44