一种有机电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠设置的玻璃基底、阳极导电薄膜、有机发光功能层和阴极，有机发光功能层至少包括发光层和电子注入层，电子注入层包括依次层叠设置在发光层表面的第一电子注入层、第二电子注入层和第三电子注入层；第一电子注入层的材质包括金属硫化物和铁盐；第二电子注入层的材质包括噻吩化合物和有机硅小分子材料；第三电子注入层的材质包括铜化合物。本发明专利技术通过设置三层结构的电子注入层，降低了阴极与有机发光功能层之间的电子注入势垒，提高了电子的注入能力，从而提高了电子与空穴的复合几率，同时提高了电子的传输速率，从而提高了电子与空穴注入的平衡，进而使得有机电致发光器件的发光效率得到了提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电致发光领域，尤其涉及。
技术介绍
有机电致发光器件(OLED)是电光源中的一种。1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展，这一突破性进展使得有机电致发光器件的研究得以在世界范围内迅速广泛地开展起来。有机电致发光器件的发光原理:首先，有机电致发光器件在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机分子的最低占有分子轨道(LUM0)，同时，空穴从阳极注入到有机分子的最高占有轨道(HOMO);然后，电子与空穴在发光层相遇、复合，形成激子；接着，激子在电场的作用下发生迁移，将能量传递给发光材料，并激发发光材料中的电子从基态跃迁到激发态；最后，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放出光能。对于现有的有机电致发光器件而言，有机分子对于空穴的传导能力远大于对电子的传导能力，电子传输速率要比空穴传输速率低两三个数量级，因此，极易造成电子与空穴注入的不平衡，使得电子与空穴复合形成激子的复合区不在发光层区域，激子在复合区形成后向两侧扩散，一部分激子就会扩散到未掺杂发光材料的其他区域，然后衰减，从而不能产生光子，极大地阻碍了有机电致发光器件的发光效率。所以，如何提高电子的传输效率，提高电子与空穴注入的平衡，进而提高有机电致发光器件的发光效率是当今技术人员所要迫切解决的问题之一。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件设置的电子注入层包括第一电子注入层、第二电子注入层和第三电子注入层；本专利技术通过设置三层结构的电子注入层，降低了阴极与有机发光功能层之间的电子注入势垒，提高了电子的注入能力，从而提高了电子与空穴的复合几率，同时提高了电子的传输速率，从而提高了电子与空穴注入的平衡，进而使得有机电致发光器件的发光效率得到了提高；本专利技术还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。第一方面，本专利技术提供了一种有机电致发光器件，包括玻璃基底，以及在所述玻璃基底表面依次层叠设置的阳极导电薄膜、有机发光功能层和阴极；所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的发光层和电子注入层，所述电子注入层包括依次层叠设置在所述发光层表面的第一电子注入层、第二电子注入层和第三电子注入层；所述第一电子注入层的材质包括金属硫化物和铁盐，所述金属硫化物为硫化锌(Z n S )、硫化镉(C d S )、硫化镁(M g S )和硫化铜(Cu S )中的至少一种，所述铁盐为氯化铁(FeCl3)、溴化铁(FeBr3)和硫化铁(Fe2S3)中的至少一种；所述第二电子注入层的材质包括噻吩化合物和有机硅小分子材料，所述噻吩化合物为3-甲基噻吩(3AT)、3-己基噻吩(3HT)、3-辛基噻吩(30T)和3-十二烷基噻吩(3DDT)中的至少一种，所述有机娃小分子材料为二苯基二(ο-甲苯基)娃(UGH1 )、p- 二(三苯基娃)苯(UGH2 )、I，3-双(三苯基硅)苯(UGH3 )和p-双(三苯基硅)苯(UGH4 )中的至少一种；所述第三电子注入层的材质包括铜化合物，所述铜化合物为氧化铜(CuO)、碘化铜(CuI2)、溴化铜(CuBr2)和硫化铜(CuS)中的至少一种。第一电子注入层的材质包括金属硫化物和铁盐，其中金属硫化物可以提高膜层的平整度，可对光进行反射，从而可以提高光的反射效率，进而提高有机电致发光器件的出光效率；铁盐的载流子浓度较高，能够提高电子的密度，从而提高电子与空穴的复合几率，进而可以提高有机电致发光器件的发光效率；第二电子注入层的材质包括噻吩化合物和有机硅小分子材料，其中噻吩化合物的链段规整、有序，有利于光的散射，使向两侧的光散射回到中间，从而可以提高有机电致发光器件的出光效率，同时噻吩化合物的链段规整、有序，其电子传输性能优良，有利于电子的传输，进而利于有机电致发光器件发光效率的提高；有机娃小分子材料的能隙宽，其玻璃化转变温度很低(50摄氏度以下)，极易结晶，结晶后的晶体结构对光有散射作用，并且和噻吩化合物一起，能进一步加强光的散射，提高电子的传输速率，进而提高有机电致发光器件的发光效率；第三电子注入层的材质包括铜化合物，铜化合物的原子半径和晶格结构较大，可对光进行散射，使向两侧的光散射回到中间，从而可以提高有机电致发光器件的出光效率；并且由于金属离子的存在，能够提高载流子的浓度，从而可以提高电子的传输速率，进而提高有机电致发光器件的发光效率。优选地，所述第一电子注入层中所述金属硫化物和所述铁盐的质量比为2:1?4:1。优选地，所述第二电子注入层中所述噻吩化合物和所述有机硅小分子材料的质量比为 0.1:1 ?0.4:1。优选地，所述第一电子注入层的厚度为1nm?50nm,所述第二电子注入层的厚度为20nm?40nm,所述第三电子注入层的厚度为1nm?30nm。优选地，所述阳极导电薄膜的材质为铟锡氧化物(ΙΤ0)、掺铝的氧化锌(AZO)或掺铟的氧化锌(IZO);所述阳极导电薄膜的厚度为50nm?300nm。优选地，所述发光层的材质包括4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’-联苯(BCzVBi)和8-羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种；所述发光层的厚度为5nm?40nm。优选地,所述阴极的材质包括银(Ag)、招(Al)、钼(Pt)和金(Au)中的至少一种；所述阴极的厚度为80nm?250nm。优选地，所述有机发光功能层包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述电子注入层包括依次层叠设置在所述电子传输层表面的第一电子注入层、第二电子注入层和第三电子注入层。更优选地，所述空穴注入层的材质包括三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)和五氧化二钥;(V2O5)中的至少一种；所述空穴注入层的厚度为20nm?80nm。更优选地，所述空穴传输层的材质包括1，1-二 苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和N，N’- (1-萘基)_N，N’-二苯基_4，4’-联苯二胺(NPB)中的至少一种；所述空穴传输层的厚度为20nm?60nm。更优选地，所述电子传输层的材质包括4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)和N-芳基苯并咪唑(TPBi)中的至少一种；所述电子传输层的厚度为40nm?250nm。第二方面，本专利技术还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:(I)提供清洁的玻璃基底，采用磁控溅射的方法在所述玻璃基底表面制备阳极导电薄膜；(2)在所述阳极导电薄膜表面制备有机发光功能层，所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的发光层和电子注入层，所述电子注入层包括依次层叠设置在所述发光层表面的第一电子注入层、第二电子注入层和第三电子注入层；采用真空蒸镀的方法制备所述发光层；采用热阻蒸镀的方法制备所述第一电子注入层和所述第二电子注入层，采用电子束蒸镀的方法制备所述第三电子注入层，制备所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括玻璃基底，以及在所述玻璃基底表面依次层叠设置的阳极导电薄膜、有机发光功能层和阴极，其特征在于，所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的发光层和电子注入层，所述电子注入层包括依次层叠设置在所述发光层表面的第一电子注入层、第二电子注入层和第三电子注入层；所述第一电子注入层的材质包括金属硫化物和铁盐，所述金属硫化物为硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中的至少一种，所述铁盐为氯化铁、溴化铁和硫化铁中的至少一种；所述第二电子注入层的材质包括噻吩化合物和有机硅小分子材料，所述噻吩化合物为3‑甲基噻吩、3‑己基噻吩、3‑辛基噻吩和3‑十二烷基噻吩中的至少一种，所述有机硅小分子材料为二苯基二（o‑甲苯基）硅、p‑二（三苯基硅）苯、1,3‑双（三苯基硅）苯和p‑双（三苯基硅）苯中的至少一种；所述第三电子注入层的材质包括铜化合物，所述铜化合物为氧化铜、碘化铜、溴化铜和硫化铜中的至少一种。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，黄辉，陈吉星，王平，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44