无氰镀金浴及无氰镀金浴的制造方法技术

无氰镀金浴(1)含有金离子与以下的化学式(化1)所表示的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于含有稳定地保存金离子的络合剂的无氰镀金浴、及所述无氰镀金浴的 制造方法。 现有技术 镀金膜具有优异的电特性、耐蚀性及电焊性等。因此多使用于以布线板为代表的 电子零件制造。另外，由于独特的光泽及色调也广泛地使用于装饰。 作为镀金浴，为使金离子稳定地保存于浴中，一直长年使用添加有氰化合物的氰 浴。但是，氰浴因其毒性不仅有必要在操作及保管上需要细心注意，而且由于会破坏抗蚀剂 从而不能使用于具有微细的抗蚀剂图案的布线板的镀敷。 为此提出了各种无氰镀敷浴。例如在日本专利特开2006-111960号公报中揭示为 稳定地保存金离子使用具有硫脲嘧啶、氨基乙烷硫醇、甲基硫脲、氨基巯基-三唑、二羟巯 基嘧啶或巯基烟碱酸的无氰置换镀敷浴。 另外，日本专利特开2000-26977号公报揭示使用巯基乙酸、2-巯基丙酸、2-氨基 乙烷硫醇、2-巯基乙醇、葡萄糖半胱氨酸、1-硫代丙三醇、巯基丙烷磺酸钠、N-乙酰基甲硫 氨酸、硫代水杨酸、2-噻唑啉-2-硫醇、2, 5-二巯基-1，3, 4-噻二唑、2-苯并噻唑硫醇或 2-苯并咪挫硫醇作为还原剂的贵金属无电解镀敷浴。 但是正在寻求更为稳定的无氰镀金浴、及所述无氰镀金浴的制造方法。
技术实现思路
专利技术欲解决的课题 本专利技术的实施方式的目的为提供稳定的无氰镀金浴、及所述无氰镀金浴的制造方 法。 解决课题的手段 本专利技术的实施方式的无氰镀金浴含有金离子与以下的化学式（化1)所表示的化 合物。【主权项】1. 一种无氰镀金浴，其特征在于， 包含金离子和以下的化学式（1)所表示的化合物，2. 如权利要求1所述的无氰镀金浴，其特征在于， 作为主络合剂的所述化合物为硫普罗宁及6-氨基青霉烷酸中的至少任意一种。3. 如权利要求2所述的无氰镀金浴，其特征在于， 作为辅助络合剂含有柠檬酸离子、酒石酸离子及碳酸离子中的至少任意一种。4. 如权利要求3所述的无氰镀金浴，其特征在于， 所述金离子的浓度C:所述主络合剂的浓度M:所述辅助络合剂的浓度N = I: (1~ 10) : (1 ~50) 〇5. 如权利要求4所述的无氰镀金浴，其特征在于， 金离子供给源为具有三价的金的金盐， 所述三价的金被所述化合物的作用还原，浴中的所述金离子呈一价。6. 如权利要求1~5中任一项所述的无氰镀金浴，其特征在于， 为包含所述金离子的还原剂的无电解镀敷浴。7. 如权利要求6所述的无氰镀金浴，其特征在于， 所述还原剂为次磷酸盐及抗坏血酸中的至少任意一种。8. 如权利要求1所述的无氰镀金浴，其特征在于， 包含由三价的所述金离子和所述化学式（1)所示的化合物制作、且经分离而得的一价 金络合物。9. 如权利要求1所述的无氰镀金浴，其特征在于， 包含由三价的所述金离子、所述化学式（1)所示的化合物和亚硫酸根离子制作、且经 分离而得的一价金络合物。10. -种无氰镀金浴的制造方法，其特征在于， 使用由三价的金离子和化学式（1)所示的化合物制作一价金络合物的步骤、 分离所述一价金络合物的步骤、及 使用经分离而得的所述一价金络合物来制作镀金浴，11.如权利要求10所述的无氰镀金浴的制造方法，其特征在于， 在制作所述一价金络合物的步骤中添加亚硫酸根离子。【专利摘要】无氰镀金浴(1)含有金离子与以下的化学式(化1)所表示的化合物。【IPC分类】C25D3-48, C23C18-44【公开号】CN104736739【申请号】CN201380037478【专利技术人】克里斯托弗·科多尼尔, 本间英夫 【申请人】学校法人关东学院, 株式会社杰希优【公开日】2015年6月24日【申请日】2013年5月14日【公告号】US20150167191, WO2014010301A1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无氰镀金浴，其特征在于，包含金离子和以下的化学式(1)所表示的化合物，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托弗·科多尼尔，本间英夫，
申请(专利权)人：学校法人关东学院，株式会社杰希优，
类型：发明
国别省市：日本;JP