键合结构及其形成方法技术

一种键合结构及其形成方法，所述键合结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括介质层和位于所述介质层内的金属互连线，并且所述金属互连线的表面与介质层表面齐平；在所述基底表面形成焊垫金属层，所述焊垫金属层包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于金属互连线上方，第二区域位于所述金属互连线一侧的介质层上方，且第一区域和第二区域连接；在所述焊垫金属层的第二区域内形成凹槽，所述凹槽的深度小于焊垫金属层的厚度。上述方法可以提高键合结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种。
技术介绍
键合是指用金属线以焊接的方式将芯片与引线框架的管脚连接的工序。在芯片焊点键合前，键合设备通过打火杆施放高压电将金属线端头烧成球状，再通过超声波焊接到芯片的键合区。长期以来，由于金线具备良好的导电性能、可塑性和化学稳定性等，在传统半导体分立器件内引线键合中，一直占据着绝对的主导地位，并拥有较为成熟的键合工艺。但由于金线价格昂贵，成本较高，所以近年来，为了降低成本，越来越多的封装厂将封装用线从金线转换到铜线。但是现有采用铜线作为封装线与焊垫焊接，经常会出现焊接不可靠的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种，提高焊垫层与金属球之间的焊接可靠性。为解决上述问题，本专利技术提供一种键合结构的形成方法，包括:提供基底，所述基底包括介质层和位于所述介质层内的金属互连线，并且所述金属互连线的表面与介质层表面齐平；在所述基底表面形成焊垫金属层，所述焊垫金属层包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于金属互连线上方，第二区域位于所述金属互连线一侧的介质层上方，且第一区域和第二区域连接；在所述焊垫金属层的第二区域内形成凹槽，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种键合结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括介质层和位于所述介质层内的金属互连线，并且所述金属互连线的表面与介质层表面齐平；在所述基底表面形成焊垫金属层，所述焊垫金属层包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于金属互连线上方，第二区域位于所述金属互连线一侧的介质层上方，且第一区域和第二区域连接；在所述焊垫金属层的第二区域内形成凹槽，所述凹槽的深度小于焊垫金属层的厚度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31