本发明专利技术涉及一类如式（I）所示的化合物，其中：R1选自C1～20的脂肪族直链或支链烃基或C6～30的芳烃基；R2选自C4～40的取代或非取代的芳胺基、咔唑基、二苯并噻吩基、吲哚基或二苯并呋喃基；L选自单键、C4～40的取代芳胺、C4～40的取代咔唑、C4～40的取代吲哚、C4～40的取代二苯并呋喃、C4～40的取代二苯并噻吩、取代或未取代的二苯醚、O、N或S；R3-R6独立地选自H原子、C1～20的脂肪族直链或支链烃基或C6～30的芳香族基团，或者，相邻两个基团连接成环；n选自2-5的整数。本发明专利技术还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用，尤其是作为OLED器件中的空穴传输/注入材料。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种有机化合物，尤其涉及一种用于有机电致发光器件的剛巧类衍生 物及其在有机电致发光显示
中的应用。
技术介绍
目前，在有机电致发光器件中使用的空穴注入和传输材料一般是H芳胺类衍生物 (例如出光专利；公开号CN1152607C，公开日2004,6, 2)，其一般的结构特点是，作为注入材 料，在一个分子中其H芳胺结构单元至少在H个W上，且二个N之间用一个苯环隔开，如结 构式1 ;作为传输材料，在一个分子中其H芳胺结构单元一般是二个，且二个N之间用联苯 隔开，在该类材料中，典型的例子是NPB。【主权项】1. 一种吲哚类衍生物，其特征在于，具有如式（I)所示的结构：其中： R1选自Cl~C20的脂肪族直链或支链烃基或C6~C30的芳香族基团其中之一； R2选自C4~C40的取代或非取代的芳胺基团、C4~C40的取代或非取代的咔唑基团、 C4~C40的取代或非取代的二苯并噻吩基团、C4~C40的取代或非取代的吲哚基团、C4~ C40的取代或者非取代二苯并呋喃基团的其中之一； L为桥联基团，选自单键、C4~C40的取代芳胺、C4~C40的取代咔唑、C4~C40的取 代吲哚、C4~C40的取代二苯并呋喃、C4~C40的取代二苯并噻吩、取代或未取代的二苯 醚、氧原子、氮原子或硫原子的其中之一； R3-R6独立地选自H原子、Cl~C20的脂肪族直链或支链烃基或C6~C30的芳香族基 团，或者，相邻两个基团连接成环，形成苯并吲哚衍生物； η选自2-5的整数。2. 根据权利要求1所述的吲哚类衍生物，其特征在于，所述R3-R6中相邻两个基团连接 成环，形成一个或多个闭环结构。3. 根据权利要求1所述的吲哚类衍生物，其特征在于，所述Rl选自甲基、乙基、丙基、异 丙基、丁基、正丁基、戊基、乙基、苯基、联苯基、奈基、恩基。4. 根据权利要求1所述的吲哚类衍生物，其特征在于，所述Rl选自C4~C40的N-芳 香基咔唑基、咔唑基芳香基、N-烷基咔唑基、咔唑基、烷基取代的咔唑基芳香基、三芳胺基、 二芳胺基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、芳香基取代的苯并噻吩基、苯并呋喃基或二苯并呋 喃基的其中之一。5. 根据权利要求1所述的吲哚类衍生物，所述化合物结构式如下：6.权利要求1所述的吲哚类衍生物在有机电致发光器件中用作空穴注入材料和/或空 穴传输材料。7. -种有机电致发光器件，包括基板，以及依次成型于所述基板上的阳极层、有机发光 功能层和阴极层； 所述有机发光功能层所用材料包括空穴注入材料、空穴传输材料、有机发光材料以及 电子传输材料，所述有机发光功能层所用材料为具有如下述结构式（I)所示的化合物：其中： R1选自Cl~C20的脂肪族直链或支链烃基或C6~C30的芳香族基团其中之一； R2选自C4~C40的取代或非取代的芳胺基团、C4~C40的取代或非取代的咔唑基团、 C4~C40的取代或非取代的二苯并噻吩基团、C4~C40的取代或非取代的吲哚基团、C4~ C40的取代或者非取代二苯并呋喃基团的其中之一； L为桥联基团，选自单键、C4~C40的取代芳胺、C4~C40的取代咔唑、C4~C40的取 代吲哚、C4~C40的取代二苯并呋喃、C4~C40的取代二苯并噻吩、取代或未取代的二苯 醚、氧原子、氮原子或硫原子的其中之一； R3-R6独立地选自H原子、Cl~C20的脂肪族直链或支链烃基或C6~C30的芳香族基 团，或者，相邻两个基团连接成环，形成萘并吲哚衍生物； η选自2-5的整数。8. -种有机电致发光器件，包括基板，以及依次成型于所述基板上的阳极层、有机发光 功能层和阴极层； 所述有机发光功能层所用材料包括空穴注入材料、空穴传输材料、有机发光材料以及 电子传输材料，所述空穴注入材料为具有如下述结构式（I)所示的化合物： 其中：R1选自Cl~C20的脂肪族直链或支链烃基或C6~C30的芳香族基团其中之一； R2选自C4~C40的取代或非取代的芳胺基团、C4~C40的取代或非取代的咔唑基团、 C4~C40的取代或非取代的二苯并噻吩基团、C4~C40的取代或非取代的吲哚基团、C4~ C40的取代或者非取代二苯并呋喃基团的其中之一； L为桥联基团，选自单键、C4~C40的取代芳胺、C4~C40的取代咔唑、C4~C40的取 代吲哚、C4~C40的取代二苯并呋喃、C4~C40的取代二苯并噻吩、取代或未取代的二苯 醚、氧原子、氮原子或硫原子的其中之一； R3-R6独立地选自H原子、Cl~C20的脂肪族直链或支链烃基或C6~C30的芳香族基 团，或者，相邻两个基团连接成环，形成萘并吲哚衍生物； η选自2-5的整数。9. 一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次成型于所述基板上的阳极层、有机发光 功能层和阴极层； 所述有机发光功能层所用材料包括空穴注入材料、空穴传输材料、有机发光材料以及 电子传输材料，所述空穴传输材料为具有如下述结构式（I)所不的化合物： 其中：R1选自Cl~C20的脂肪族直链或支链烃基或C6~C30的芳香族基团其中之一； R2选自C4~C40的取代或非取代的芳胺基团、C4~C40的取代或非取代的咔唑基团、 C4~C40的取代或非取代的二苯并噻吩基团、C4~C40的取代或非取代的吲哚基团、C4~ C40的取代或者非取代二苯并呋喃基团的其中之一； L为桥联基团，选自单键、C4~C40的取代芳胺、C4~C40的取代咔唑、C4~C40的取 代吲哚、C4~C40的取代二苯并呋喃、C4~C40的取代二苯并噻吩、取代或未取代的二苯 醚、氧原子、氮原子或硫原子的其中之一； R3-R6独立地选自H原子、Cl~C20的脂肪族直链或支链烃基或C6~C30的芳香族基 团，或者，相邻两个基团连接成环，形成萘并吲哚衍生物； η选自2-5的整数。【专利摘要】本专利技术涉及一类如式（I）所示的化合物，其中：R1选自C1～20的脂肪族直链或支链烃基或C6～30的芳烃基；R2选自C4～40的取代或非取代的芳胺基、咔唑基、二苯并噻吩基、吲哚基或二苯并呋喃基；L选自单键、C4～40的取代芳胺、C4～40的取代咔唑、C4～40的取代吲哚、C4～40的取代二苯并呋喃、C4～40的取代二苯并噻吩、取代或未取代的二苯醚、O、N或S；R3-R6独立地选自H原子、C1～20的脂肪族直链或支链烃基或C6～30的芳香族基团，或者，相邻两个基团连接成环；n选自2-5的整数。本专利技术还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用，尤其是作为OLED器件中的空穴传输/注入材料。【IPC分类】C07D409-14, C07D209-14, C07D209-36, C07D209-40, C07D209-04, C07D209-82, C07D405-14, C07D209-86, C07D209-30, H01L51-54【公开号】CN104725296【申请号】CN201310460725【专利技术人】王星, 范洪涛, 李艳蕊 【申请人】北京鼎材科技有限公司, 北京维信诺科技有限公司, 清华大学【公开日】2015年6月24日【申请日】2013年12月24日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种吲哚类衍生物，其特征在于，具有如式（I）所示的结构：其中：R1选自C1～C20的脂肪族直链或支链烃基或C6～C30的芳香族基团其中之一；R2选自C4～C40的取代或非取代的芳胺基团、C4～C40的取代或非取代的咔唑基团、C4～C40的取代或非取代的二苯并噻吩基团、C4～C40的取代或非取代的吲哚基团、C4～C40的取代或者非取代二苯并呋喃基团的其中之一；L为桥联基团，选自单键、C4～C40的取代芳胺、C4～C40的取代咔唑、C4～C40的取代吲哚、C4～C40的取代二苯并呋喃、C4～C40的取代二苯并噻吩、取代或未取代的二苯醚、氧原子、氮原子或硫原子的其中之一；R3‑R6独立地选自H原子、C1～C20的脂肪族直链或支链烃基或C6～C30的芳香族基团，或者，相邻两个基团连接成环，形成苯并吲哚衍生物；n选自2‑5的整数。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王星，范洪涛，李艳蕊，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，北京维信诺科技有限公司，清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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