晶圆托盘结构制造技术

技术编号:11632049 阅读:105 留言:0更新日期:2015-06-21 03:07
本实用新型专利技术为一种晶圆托盘结构,其包括托盘本体、至少一个第一晶圆平台及多个第二晶圆平台。托盘本体具有表面,表面上定义有第一区域及第二区域,第一区域是以托盘本体的任一点为圆心的圆形区域,第二区域是围绕于圆形区域外侧的同心环形区域。第一晶圆平台凸出形成于表面上且位于第一区域内,第一晶圆平台的容置面上形成有至少一个第一气孔,而多个第二晶圆平台凸出形成于表面上且位于第二区域内,每一个第二晶圆平台的容置面上形成有至少一个第二气孔,其中第一区域内的第一气孔的总面积大于第二区域内的第二气孔的总面积。借由本实用新型专利技术的实施,可达到下列进步功效:①提升晶圆片的降温效率,②使晶圆片的散热效果均匀。

【技术实现步骤摘要】

本技术为一种晶圆托盘结构,特别为一种可提升晶圆片的散热效率与温度均匀性的晶圆托盘结构。
技术介绍
在半导体制造过程中,公知晶圆托盘常会遇到散热效果不佳或不均匀的问题。晶圆片在历经一段加工制造过程后,会产生吸热温升现象,此时晶圆片的高温必须获得适当的冷却降温,否则将会产生形变而影响其表面平坦度,进而影响了晶圆产出的良率。如图1所示,其为公知的一种晶圆托盘结构的立体示意图。公知的晶圆托盘结构100主要是由托盘本体10与多个晶圆平台12所组成。晶圆平台12凸出形成于托盘本体10的表面11上。晶圆平台12的容置面13上形成有气孔14。气孔14的功用是在制造过程进行中,可以自气孔14通入冷却气体,做为温度传导的介质,使得置于晶圆平台12上方的晶圆片的高温能获得适当的冷却降温。然而,在半导体制造过程中,常会遇到一个问题就是,距离托盘本体10的中心点15越近的晶圆平台其温度就越高,例如晶圆平台12A的温度会比晶圆平台12B的温度还要高,导致在散热过程中晶圆片会有散热不均匀的现象。因此,一种可解决散热过程中导致晶圆片会有散热不均匀的创新晶圆托盘结构便有应运而生的急迫需求。有鉴于上述现有的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆托盘结构,其特征在于,其包括:托盘本体,具有表面,该表面上形成有第一区域及第二区域,该第一区域是以该托盘本体的任一点为圆心的圆形区域,该第二区域是围绕于该圆形区域外侧的同心环形区域;至少一个第一晶圆平台,凸出形成于该表面上且位于该第一区域内,该第一晶圆平台的容置面上形成有至少一个第一气孔;以及多个第二晶圆平台,凸出形成于该表面上且位于该第二区域内,每一个该第二晶圆平台的容置面上形成有至少一个第二气孔;其中,该第一区域内的该第一气孔的总面积大于该第二区域内的该第二气孔的总面积。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:白英宏张继允
申请(专利权)人:聚昌科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:中国台湾;71

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