NOR型存储器电路及操作方法技术

本发明专利技术公开了一种NOR型存储器电路，该电路改进了传统的每一存储单元需使用一存储管配合一选择管的结构，使用两存储单元共用一选择管的结构，没存储2位数据即可节省一个选择管，简化电路结构，缩小了存储器芯片的面积。本发明专利技术还公开了所述NOR型存储器电路的操作方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件设计领域，特别是指一种NOR型存储器电路，本专利技术还涉及所述NOR型存储器电路的操作方法。
技术介绍
NOR结构的存储器通常采用两管结构，即每个存储单元由两只晶体管组成，一只存储管及一只选择管，能存储1位数据，存储2位数据则需要4只晶体管。其电路结构如图1所示，存储管与选择管串联连接，同一列的存储单元共用源线SL和位线BL（图中为存储单元1列的源线SL1和位线BL1），存储管1和存储管2的栅极分别对应于存储管字线WLM1、WLM2，选择管1和选择管2的栅极分别对应于选择管字线WL1、WL2。上述存储器存储单元结构的操作方法如表1及表2所示，分别是对存储管1和存储管2的操作：对存储管1操作BL1WLM1SL1WL1WLM2擦除VH0floating0VH写入“0”状态VLVHfloating0VL写入“1”状态0V本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NOR型存储器电路，其特征在于：存储单元由3个晶体管组成，包含第一、第二存储管和一个选择管，所述第一、第二存储管的漏端接位线，其源端分别连接所述选择管的源、漏端；所述第一、第二存储管的栅极分别引出为第一、第二存储管字线，所述选择管的栅极引出为选择管字线；所述存储管的源端还分别引出存储单元的第一、第二源线端。

【技术特征摘要】
1.一种NOR型存储器电路，其特征在于：存储单元由3个晶体管组成，包含第一、
第二存储管和一个选择管，所述第一、第二存储管的漏端接位线，其源端分别连接所述
选择管的源、漏端；所述第一、第二存储管的栅极分别引出为第一、第二存储管字线，
所述选择管的栅极引出为选择管字线；所述存储管的源端还分别引出存储单元的第一、
第二源线端。
2.如权利要求1所述的NOR型存储器电路，其特征在于：所述的存储管是使用浮栅
结构的晶体管，或者是ONO结构的晶体管。
3.如权利要求1所述的NOR型存储器电路的操作方法，所述存储管是存储0或者1
两种状态，分别对应于存储管的关断或者开启，或者是开启与关断；存储单元的操作分
为擦除、编程及读取三种，擦除是使存储管处于0状态，编程是对存储管进行数据写入，
写入数据包括0或1两种状态，读取是根据存储管的关断或开启来对存储管进行数据读
取，VH表示高电平，VL表示低电平，Vd是系统电源电压；所述操作方法，对一存储单
元中的两个存储管和一个选择管，其特征在于：
对第一存储管的操作：
擦除时：位线为高电平VH，第一存储管字线为地电位，第一源线为悬空态，选择管
字线为地电位，第二源线为悬空态，第二存储管字线为高电平VH；
写入数据0时：位线为低电压VL，第一存储管字线为高电平VH，第一源线为悬空
态，选择管字线为地电位，第二源线为悬空态，第二存储管字线为低电平...

【专利技术属性】
技术研发人员：张可钢，陈华伦，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31