垂直磁记录介质和垂直磁记录介质的制造方法技术

本发明专利技术的实施方式提供一种抑制磁性粒子的粒径分散，具有良好的记录再生特性，能够高密度记录的垂直磁记录介质。实施方式涉及的垂直磁记录介质具有：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层之上形成的以与膜面垂直的方向为易磁化轴的磁记录层。基底层具有间隔1nm～20nm的距离而排列的多个凸部。磁记录层包含以顶端从基底层的凸部表面开始扩大的方式分别形成的多个磁粒子，至少凸部侧的磁粒子被分离。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 关联申请 本申请要求以日本专利申请2013-253428号（申请日：2013年12月6日）和日 本专利申请2014-148787号（申请日：2014年7月22日）为基础申请的优先权。本申请 通过参照这些基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及。
技术介绍
在使用垂直磁记录方式的现在的磁记录介质中，记录层的垂直取向性和磁性体粒 子的孤立必须并存。在现有技术中，采用了在氧化物（310 !￡、110!￡、410!￡等）的基体中配置垂 直取向的铁磁性体（CoPt合金、FePt合金、CoPd合金等）粒子的颗粒结构。但是，由于伴随 高密度化每1比特（bit)的粒子数减少，因此磁性体粒子的粒径分散成为问题。该粒径分 散主要取决于基底层的凹凸、晶粒尺寸，尽管进行了各种各样的尝试，但现状是不能够减少 分散。其原因是因为：仅采用Ru、MgO等的特定材料不能同时满足颗粒结构和结晶性的各向 异性；记录层自身也为结晶性的，引起独自的粒生长。与此相对，非晶磁记录层，不取决于基 底层而能够垂直取向，因为不进行独自的粒生长因此容易追从（trace)基底层形状。如果 将非晶材料用于磁记录层，则能够期待不被基底层材料控制而制作粒径分散少的结构。 例如，在将非晶材料设为TbFeCo的情况下，通过在基底层中使用Al、TiN等的具有 微细凹凸结构的材料，能够制作具有将作为记录层的TbFeCo的磁畴壁钉扎的结构的磁记 录介质。 另外，有：通过将具有碳簇（cluster)的基体进行等离子蚀刻来形成凹凸 (0.5nm~3nm)，并在其上形成非晶记录层，利用基底层的凹凸将磁畴壁钉扎的磁记录介 质；在FePt颗粒层上形成TbFeCo非晶记录层，且颗粒层抑制非晶记录层的磁畴壁移动的磁 记录介质；等等。 但是，一般地，这些微细的凹凸和颗粒层，在进行高密度的记录时难以固定磁畴， 因此难以应用于磁记录介质。
技术实现思路
本专利技术的实施方式是鉴于上述情况而完成的，其目的是提供抑制磁性粒子的粒径 分散、具有良好的记录再生特性、能够高密度记录的垂直磁记录介质。 根据实施方式，提供一种垂直磁记录介质，该垂直磁记录介质的特征在于，具备： 基板；基底层，其形成于该基板上，具有间隔Inm~20nm的距离而排列的多个凸部；和非晶 磁记录层，其包含以顶端从该基底层的凸部表面开始扩大的方式分别形成的多个磁粒子， 以与膜面垂直的方向为易磁化轴，至少凸部侧的磁粒子被分离。【附图说明】 图1是模式地表示实施方式涉及的磁记录介质的构成的截面图。 图2是模式地表示从上面观察基底层的凸部的排列图案的情况的图。 图3是模式地表示从上面观察基底层的凸部的排列图案的情况的图。 图4是模式地表示从上面观察基底层的凸部的排列图案的情况的图。 图5是表不基底层的凸部形状的例子的截面图。 图6是表不基底层的凸部形状的例子的截面图。 图7是表不基底层的凸部形状的例子的截面图。 图8是表不基底层的凸部形状的例子的截面图。 图9A是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的一例的图。 图9B是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的一例的图。 图9C是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的一例的图。 图9D是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的一例的图。 图9E是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的一例的图。 图10是表示实施方式涉及的垂直磁记录介质的磁化曲线的曲线图。 图IlA是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的另一例的图。 图IlB是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的另一例的图。 图IlC是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的另一例的图。 图IlD是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的另一例的图。 图12A是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的又一例的图。 图12B是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的又一例的图。 图12C是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的又一例的图。 图12D是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的又一例的图。 图12E是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的又一例的图。 图12F是表示实施方式涉及的磁记录介质的制作方法的又一例的图。【具体实施方式】 以下，对于实施的方式，参照附图进行说明。 第1实施方式涉及的垂直磁记录介质，具有：基板；在基板上形成的基底层；和在 基底层上形成的以与膜面垂直的方向为易磁化轴的磁记录层。 基底层，具有间隔Inm~20nm的距离而排列的多个凸部。 磁记录层，是包含以顶端从基底层的凸部表面开始扩大的方式分别形成的多个磁 粒子，至少凸部侧的磁粒子被分离的非晶磁记录层。 根据实施方式，能够得到具有下述结构的磁记录介质：在基板上形成间隔规定的 距离而排列的凸部，并在该凸部上沉积有非晶记录层。非晶记录层被沉积成：取得遵从凸部 的柱状结构，其形状从凸部表面开始顶端扩大，进而，在最表层可以连续。具有这样的结构 的磁记录介质，不是如通常的非晶记录层那样的磁畴壁移动型的磁化反转模式，而是具有 如颗粒结构那样的一齐旋转型的磁化反转方式。由于磁畴壁被空隙钉扎从而稳定化，因此 能够作为高密度记录用的磁记录介质使用。 另外，第2实施方式涉及的垂直磁记录介质的制造方法，包括：第1实施方式涉及 的垂直磁记录介质的制造工序的一例，即，在基板上形成加工用基底层，在加工用基底层上 涂布微粒子分散液形成单层的该微粒子层，通过隔着微粒子将加工用基底层蚀刻，形成具 有凸部的基底层，在凸部表面沉积出非晶磁记录层。 进而，第3实施方式涉及的垂直磁记录介质的制造方法，包括：第1实施方式涉及 的垂直磁记录介质的制造工序的另一例，即，在基板上，使用具有包含粒子和晶粒边界的共 晶结构的金属化合物形成加工用基底层，进行蚀刻使得残留共晶结构的粒子，形成具有凸 部的基底层，在凸部表面沉积出非晶磁记录层。 另外，根据其他实施方式涉及的磁记录介质，在第1实施方式涉及的磁记录介质 中，可以在具有凸部的基底层和非晶磁记录层之间设置防氧化层。 进而，根据其他实施方式涉及的磁记录介质的制造方法，在第2和第3实施方式 涉及的磁记录介质的制造方法中，进一步包括在沉积非晶磁记录层之前形成防氧化层的工 序。 非晶材料，具有在溅射时容易追从（trace)凹凸的优点。但是，很多的非晶磁性材 料含有稀土类，因此有氧化的倾向。例如，当在具有凸部的基底层SiO2上层叠TbFeCo之类 的非晶磁性材料时，Tb从5102夺取氧原子而容易氧化，存在静磁特性变化的情况。这通过 将SiO2改变为SiN 类的非氧化物而能够防止。 另外，具有凸部的基底层，在加工过程中具有氧化物和/或羟基的情况下，有可能 引起同样的磁特性的变化。在这样的情况下也可以在具有凸部的基底层和非晶磁记录层之 间夹持防氧化层。在防氧化层中可使用各种的材料，但例如使用结晶性的Pd的情况下，产 生晶粒，存在记录层难以追从（trace)凹凸基底的形状的倾向。因此，作为防氧化层，能够 使用非晶材料。通过防氧化层也设为与磁记录层同样的非晶材料，能够防止氧化并且追从 (trace)基底形状。具有这样的防氧化层和磁记录层的介质，能够实现由粒子径分散低所带 来的跳动噪声的降低，能够也兼具环境稳定性。 &本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直磁记录介质，其特征在于，具备：基板；基底层，其形成于该基板上，具有间隔1nm～20nm的距离而排列的多个凸部；和非晶磁记录层，其包含以顶端从该基底层的凸部表面开始扩大的方式分别形成的多个磁粒子，以与膜面垂直的方向为易磁化轴，至少凸部侧的磁粒子被分离。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木村香里，及川壮一，泷泽和孝，藤本明，竹尾昭彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP