本发明专利技术提供基板处理装置。本发明专利技术一实施例的基板处理装置包括：外壳；基板支撑单元，设置于外壳内部并用于支撑基板；气体供应单元，向外壳内供应工艺气体；等离子源，具备施加第一高频电力以由上述工艺气体产生等离子的电极；上述基板支撑单元包括：主体；加热器，设置于主体内并通过交流电流的施加而加热；第一板，设置于主体内上述电极和上述加热器之间，并减少施加于上述电极的频率和施加于上述加热器的频率间的干扰。本发明专利技术实施例的基板支撑单元及包含该基板支撑单元的基板处理装置能够最大限度地减少因用于产生等离子的高频电力的频率和为进行加热而施加于加热器的交流电流的频率之间的干扰而导致的基板中的温度分布变得不均匀的现象。
【技术实现步骤摘要】
基板支撑单元及包含该基板支撑单元的基板处理装置
本专利技术涉及基板支撑单元及包含该基板支撑单元的基板处理装置，尤其涉及通过基板支撑单元支撑基板并利用等离子处理基板的装置。
技术介绍
为了制造半导体元件，需对基板进行光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积及清洗等多种工艺以在基板上形成所需图案。其中，蚀刻工艺是在基板上形成的膜中去除所选择的加热区域的工艺，包括湿法蚀刻和干法蚀刻。其中，为干法蚀刻使用利用等离子的蚀刻装置。一般而言，为了形成等离子，在处理室的内部空间形成电磁场，电磁场将供应至处理室内的工艺气体激发为等离子状态。等离子是指由离子、电子、自由基组成的离子化的气体状态。等离子通过高温、强电场或高频电磁场(RFElectromagneticFields)生成。半导体元件制造工艺利用等离子执行蚀刻工艺。蚀刻工艺通过使包含于等离子的离子粒子与基板碰撞而执行。一般而言，为了控制基板的温度，埋设于基板支撑单元的加热器由金属材质制作而成。此时，在基板处理工艺过程中，在基板的上部和/或下部施加高频电力，但在高频电力的频率和加热器的频率之间发生干扰。因此，加热器的电气特性变得不稳定，且基板上的温度分布变得不均匀。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基板支撑单元及包含该基板支撑单元的基板处理装置，其能够最大限度地减少因用于产生等离子的高频电力的频率和为进行加热而施加于加热器的交流电流的频率之间的干扰而导致的基板中的温度变得不均匀的现象。本专利技术的另一目的在于提供一种基板支撑单元及包含该基板支撑单元的基板处理装置，其能够在利用等离子的基板处理工艺中，精确地控制基板的温度。本专利技术要解决的问题并不仅限于上述的问题，本领域普通技术人员可从本说明书与所附的说明书附图明确地理解未提到的问题。本专利技术提供基板处理装置。本专利技术一实施例所提供的基板处理装置包括：外壳；基板支撑单元，设置于上述外壳内部并用于支撑基板；气体供应单元，向上述外壳内供应工艺气体；等离子源，具备施加第一高频电力以由上述工艺气体产生等离子的电极；其中，上述基板支撑单元包括：主体；加热器，设置于上述主体内并通过交流电的施加而加热；第一板，设置于上述主体内上述电极和上述加热器之间，并减少施加于上述电极的频率和施加于上述加热器的频率间的干扰。根据一实施例，上述主体还包括：上部板，供放置基板并由电介质材料制作而成；静电电极，设置于上述上部板内部并通过静电力吸附基板。根据一实施例，上述电极为设置于上述基板支撑单元的上部的上部电极。根据一实施例，上述上部电极为设置于上述外壳的外部的天线。根据一实施例，上述加热器设置在上述上部板内上述静电电极下方，上述第一板设置于上述静电电极和上述加热器之间。根据一实施例，上述第一板的厚度比上述静电电极的厚度厚。根据一实施例，上述第一板的厚度在20μm以上。根据一实施例，上述第一板由金属材质制作而成。根据一实施例，上述金属为钨。根据一实施例，上述静电电极和上述第一板由相同的材质制作而成。根据一实施例，上述第一板呈圆盘形状。根据一实施例，在上述第一板上形成沿上下方向贯通的多个贯通孔。根据一实施例，从上部观察时，上述多个贯通孔以上述第一板的中心为基准形成同心圆。根据一实施例，在上述第一板上形成沿上下方向贯通的多个升降销孔。根据一实施例，上述贯通孔的直径小于上述升降销孔的直径。根据一实施例，还包括：下部板，设置于上述上部板下方，被施加第二高频电力且由金属材质制作而成；第二板，设置于上述加热器下方。根据一实施例，还包括用于粘接上述上部板和上述下部板的绝缘材质的粘接层，上述第二板设置于上述粘接层内。根据一实施例，上述第二板设置于上述上部板内。另外，本专利技术提供基板支撑单元。本专利技术一实施例的基板支撑单元，包括：主体，供放置基板并具备电介质材料的上部板；加热器，设置于上述上部板内并通过交流电流的施加而加热；板，设置于在上述主体内上述加热器的上部或下部，并减少施加于设置在上述上部板外部的外部电极的高频电力的频率和施加于上述加热器的频率间的干扰。根据一实施例，上述主体还包括设置于上述上部板内部并通过静电力吸附基板的静电电极。根据一实施例，上述外部电极设置于上述基板支撑单元的上部，上述板设置于上述加热器的上部。根据一实施例，上述加热器设置于上述上部板内上述静电电极下方，上述板设置于上述静电电极和上述加热器之间。根据一实施例，上述主体还包括设置于上述上部板下方的金属材质的下部板，上述外部电极设置于上述上部板的下部，上述板设置于上述加热器的下部。根据一实施例，还包括用于粘接上述上部板和上述下部板的绝缘材质的粘接层，上述板设置于上述粘接层内。根据一实施例，上述板的厚度比上述静电电极的厚度厚。根据一实施例，上述板由金属材质制作而成。根据一实施例，上述静电电极和上述板由相同的材质制作而成。根据一实施例，上述板呈圆盘形状。根据一实施例，在上述板上形成沿上下方向贯通的多个贯通孔。根据一实施例，在上述第一板上形成沿上下方向贯通的多个升降销孔，而上述贯通孔的直径小于上述升降销孔的直径。本专利技术的实施例的基板支撑单元及包含该基板支撑单元的基板处理装置能够最大限度地减少因用于产生等离子的高频电力的频率和为进行加热而施加于加热器的交流电流的频率之间的干扰而导致的基板中的温度分布变得不均匀的现象。另外，本专利技术的实施例的基板支撑单元及包含该基板支撑单元的基板处理装置通过控制基板的温度范围变得固定，能够改善温度不均匀的问题。本专利技术的效果不限于以上提及的效果，本领域普通技术人员可根据本说明书及附图明确理解未提及的效果。附图说明本说明书所附的如下附图是本专利技术较佳实施例的示例，与上述
技术实现思路
一起更好地说明本专利技术的技术思想，因此，本专利技术不受这些附图所记载的事项的限制。图1为本专利技术一实施例的基板处理装置的截面图；图2为图1的基板支撑单元的截面图；图3为在图1的基板支撑单元设置加热器的状态的平面图；图4为简要示出图1的基板处理装置的一实施例的截面图；图5为简要示出图1的基板处理装置的另一实施例的截面图；图6为简要示出图1的基板处理装置的又一实施例的截面图；图7为简要示出本专利技术另一实施例的基板处理装置的一例的截面图；图8为简要示出图7的基板处理装置的另一例的截面图；图9为简要示出图7的基板处理装置的又一例的截面图；图10为示出图1的板的形状的平面图。附图标记：10：基板处理装置110：外壳200：基板支撑单元215：主体220：上部板223：静电电极224：板224a：第一板224b：第二板225：加热器226：贯通孔230：下部板236：粘接层300：气体供应单元400：等离子源402：上部电极420：天线500：排气单元具体实施方式下面，结合附图对本专利技术较佳实施例进行详细说明。为便于说明各附图进行部分省略或夸张表示。需要注意的是，在给各附图中的结构赋予标记时，即使在不同的图中，也尽量给相同的结构赋予相同的标记。另外，在说明本专利技术的过程中，若认为对相关的公知的结构或功能的具体说明有碍于对本专利技术主旨的理解，则省略对其的详细说明。在本专利技术的实施例中，对利用等离子蚀刻基板的基板处理装置进行说明。但本专利技术不受上述实施例的限制，而可适用于对放置在上部的基板进行加热的各种装置。另外，在本专利技术的实施例中，将静电吸盘作本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，包括：外壳；基板支撑单元，设置于上述外壳内部并用于支撑基板；气体供应单元，向上述外壳内供应工艺气体；等离子源，具备施加第一高频电力以由上述工艺气体产生等离子的电极；其中，上述基板支撑单元包括：主体；加热器，设置于上述主体内并通过交流电流的施加而加热；第一板，设置于上述主体内上述电极和上述加热器之间，并减少施加于上述电极的频率和施加于上述加热器的频率间的干扰。
【技术特征摘要】
2013.11.29 KR 10-2013-0147469;2014.01.29 KR 10-2011.一种基板处理装置，其特征在于，包括：外壳；基板支撑单元，设置于上述外壳内部并用于支撑基板；气体供应单元，向上述外壳内供应工艺气体；等离子源，具备施加第一高频电力以由上述工艺气体产生等离子的、设置于上述基板支撑单元的上部的上部电极；其中，上述基板支撑单元包括：主体，其中，所述主体包括：上部板，供放置基板并由电介质材料制作而成；静电电极，设置于上述上部板内部并利用静电力吸附基板；加热器，设置于上述上部板内上述静电电极下方，并通过交流电流的施加而加热；第一板，设置于上述静电电极和上述加热器之间，并减少施加于上述上部电极的频率和施加于上述加热器的频率间的干扰。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述上部电极为设置于上述外壳的外部的天线。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一板的厚度比上述静电电极的厚度厚。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一板的厚度在20μm以上。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一板由金属材质制作而成。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，上述金属为钨。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述静电电极和上述第一板由相同的材质制作而成。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一板呈圆盘形状。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述第一板上形成沿上下方向贯通的多个贯通孔。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，从上部观察时，上述多个贯通孔以上述第一板的中心为基准形成同心圆。11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，在上述第一板上形成沿上下方向贯通的多个升降销孔。12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，上述贯通孔的直径小于上述升降销孔的直径。13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：下部板...
【专利技术属性】
技术研发人员：金炯俊，卢载旻，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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