当前位置: 首页 > 专利查询>白晓东专利>正文

一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法技术

技术编号:11507320 阅读:80 留言:0更新日期:2015-05-27 09:00
本发明专利技术涉及分析化学材料制备技术领域,具体涉及L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法。一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法,将ITO导电玻璃划成4.0cm×0.5cm的长方形,依次用稀氨水、无水乙醇、亚沸水各超声清洗10min;采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜。将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在HClO4溶液中,12h后取出,并在烘箱中放置1h,制得纳米多孔金膜电极。将纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/LL-半胱氨酸水溶液中,在4℃冰箱中保存约2h后取出,冲洗干净并用高纯氮气吹干,即制得L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。本发明专利技术采用电化学沉积金银合金及去合金化法在ITO电极表面制备了纳米孔金膜,电极制备方法简单,孔膜结构及表面积可由电沉积条件调控。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种L‑半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法,其特征在于:采用如下步骤:步骤1:纳米金银合金膜电极的制备:将ITO导电玻璃划成4.0cm×0.5cm的长方形,随后依次用稀氨水、无水乙醇、亚沸水各超声清洗10 min;后采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜;步骤2:纳米孔金膜电极的制备:将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在HClO4溶液中,12h后取出,并在烘箱中放置1 h,即制得纳米多孔金膜电极;步骤3:L‑半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备:将制得的纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/L L‑半胱氨酸水溶液中,在4℃冰箱中保存约2 h后取出,冲洗干净并用高纯氮气吹干,即制得L‑半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:白晓东
申请(专利权)人:白晓东
类型:发明
国别省市:陕西;61

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1