【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多孔硅基氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器的制备方法,其特征在于,包括下列步骤:(1)硅基片的清洗:将P型单面抛光的单晶硅基片放入浓硫酸与过氧化氢的混合液中浸泡30~50min,随后置于氢氟酸与去离子水的混合液中浸泡20~40min,然后分别在丙酮和乙醇中超声清洗5~20min,最后将硅基片放入无水乙醇中备用;(2)制备多孔硅:采用双槽电化学腐蚀法在步骤(1)的单晶硅片的抛光表面制备多孔硅层;(3)制备种子溶液:将钨酸钠全部溶解于去离子水中,随后逐滴加入稀盐酸,直至不再产生白色沉淀,然后将混合液静置30~60min,将上层清液倒掉后再利用低速离心机离心底层的沉淀,再将沉淀溶入10~30ml的过氧化氢中形成浓度为0.5~1M的黄色透明的种子溶液;(4)制备种子层:将步骤(3)中制备的种子溶液旋涂于步骤(2)中所制备的多孔硅上,然后进行退火处理;(5)水热法制备多孔硅基氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器:首先配置反应液,称取4.13~8.25g钨酸钠,将其全部溶解于25ml去离子水中,调节pH至酸性,接着移取配置好的反应液至水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中,然后将(4)中附着有种子层的多孔硅衬底插 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:胡明,魏玉龙,闫文君,王登峰,袁琳,
申请(专利权)人:天津大学,
类型:发明
国别省市:天津;12
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。